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公开(公告)号：CN101689608A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200880021455.4
申请日：2008-06-13
Applicant: 剑桥显示技术有限公司 , 松下电器产业株式会社
IPC: H01L51/10
CPC classification number: H01L51/0545 , H01L51/0005 , H01L51/105
Abstract: 一种制造有机薄膜晶体管的方法，该方法包括：沉积源极(2)和漏极(4)电极；在该源电极和漏电极上形成薄的自组装材料层(14)，该薄的自组装材料层包括掺杂剂部分和单独的附着部分，该掺杂剂部分用于通过接受或贡献电荷来对有机半导电材料进行化学掺杂，该附着部分键合到掺杂剂部分并选择性地键合到源电极和漏电极；以及在该源电极和漏电极之间的沟道区中沉积包括溶剂和有机半导电材料(8)的溶液。
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公开(公告)号：CN101689608B
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN200880021455.4
申请日：2008-06-13
Applicant: 剑桥显示技术有限公司 , 松下电器产业株式会社
IPC: H01L51/10
CPC classification number: H01L51/0545 , H01L51/0005 , H01L51/105
Abstract: 一种制造有机薄膜晶体管的方法，该方法包括：沉积源极(2)和漏极(4)电极；在该源电极和漏电极上形成薄的自组装材料层(14)，该薄的自组装材料层包括掺杂剂部分和单独的附着部分，该掺杂剂部分用于通过接受或贡献电荷来对有机半导电材料进行化学掺杂，该附着部分键合到掺杂剂部分并选择性地键合到源电极和漏电极；以及在该源电极和漏电极之间的沟道区中沉积包括溶剂和有机半导电材料(8)的溶液。
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公开(公告)号：CN102388476A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201080005844.5
申请日：2010-01-27
Applicant: 剑桥显示技术有限公司
CPC classification number: H01L51/0021 , H01L51/0003 , H01L51/002 , H01L51/0022 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/105
Abstract: 一种制造有机薄膜晶体管的方法，该方法包括：使用溶液处理技术将源电极和漏电极沉积于衬底之上；使用溶液处理技术将功函数改性层形成于源电极和漏电极之上；以及使用溶液处理技术将有机半导电材料沉积于源电极和漏电极之间的沟道区中。
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公开(公告)号：CN101663772B
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN200880010906.4
申请日：2008-04-03
Applicant: 剑桥显示技术有限公司
IPC: H01L51/05
Abstract: 一种有机薄膜晶体管及其形成方法，该方法包括：提供一种包含在它们之间具有沟道区的源电极(2)及漏电极(4)、栅电极(1)、以及布置于源电极(2)及漏电极(4)与栅电极(1)之间的电介质层(10)的结构；以及使用该源电极(2)和漏电极(4)作为掩模对电介质层(10)进行图形化以在沟道区中形成比邻接于沟道区的电介质材料的区域更薄的电介质材料的区域。
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公开(公告)号：CN101595576B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN200780036941.9
申请日：2007-08-30
Applicant: 剑桥显示技术有限公司
IPC: H01L51/10
CPC classification number: H01L51/057 , H01L27/283 , H01L27/3244 , H01L51/0036
Abstract: 本发明总体地涉及有机电子器件及其制造方法。更具体地，我们将描述有机薄膜晶体管(TFT)结构及其制造。一种有机电子器件，所述器件包括：支持第一电极的衬底；在所述衬底之上的间隔体结构；在所述间隔体结构之上且在所述第一电极以上的一定高度处的第二电极；以及所述第一电极和所述第二电极之上的有机半导体材料层，以在所述第一电极和所述第二电极之间提供导电沟道；以及其中大部分的所述第一电极都横向位于所述沟道的所述一侧，并且大部分的所述第二电极都横向位于所述沟道的所述另一侧。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101911329A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200880123725.2
申请日：2008-11-27
Applicant: 剑桥显示技术有限公司
IPC: H01L51/10
CPC classification number: H01L51/105 , H01L51/002 , H01L51/0036 , H01L51/0039 , H01L51/0541 , H01L51/0545
Abstract: 一种薄膜晶体管及其制造方法，包括：源电极(2)和漏电极(4)及布置在其之间的沟道区中的有机半导体材料(8)，其中，源电极和漏电极具有设置在其上面的薄自组装材料层(14)，该薄自组装材料层(14)包括用于通过接受电子在化学上对有机半导体材料进行掺杂的掺杂剂部分，该掺杂剂部分具有相对于乙腈中的饱和甘汞电极至少0.3eV的氧化还原电位。
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公开(公告)号：CN101663772A
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200880010906.4
申请日：2008-04-03
Applicant: 剑桥显示技术有限公司
IPC: H01L51/05
Abstract: 一种形成有机薄膜晶体管的方法，该方法包括：提供一种包含在它们之间具有沟道区的源电极(2)及漏电极(4)、栅电极(1)、以及布置于源电极(2)及漏电极(4)与栅电极(1)之间的电介质层(10)的结构；以及使用该源电极(2)和漏电极(4)作为掩膜对电介质层(10)进行图形化以在沟道区中形成比邻接于沟道区的电介质材料区更薄的电介质材料区。
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公开(公告)号：CN101911329B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN200880123725.2
申请日：2008-11-27
Applicant: 剑桥显示技术有限公司
IPC: H01L51/10
CPC classification number: H01L51/105 , H01L51/002 , H01L51/0036 , H01L51/0039 , H01L51/0541 , H01L51/0545
Abstract: 一种薄膜晶体管及其制造方法，包括：源电极(2)和漏电极(4)及布置在其之间的沟道区中的有机半导体材料(8)，其中，源电极和漏电极具有设置在其上面的薄自组装材料层(14)，该薄自组装材料层(14)包括用于通过接受电子在化学上对有机半导体材料进行掺杂的掺杂剂部分，该掺杂剂部分具有相对于乙腈中的饱和甘汞电极至少0.3eV的氧化还原电位。
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公开(公告)号：CN101978523A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN200980109575.4
申请日：2009-02-06
Applicant: 剑桥显示技术有限公司
CPC classification number: H01L51/0541 , H01L27/283 , H01L51/0017
Abstract: 本发明提供了一种制造顶栅有机半导体晶体管的方法，包括：提供一衬底；在该衬底上沉积源电极和漏电极；在源电极和漏电极之间的沟道沉积有机半导体材料，并且覆盖源电极和漏电极的至少一部分；在该有机半导体材料上沉积电介质材料；在电介质材料和沟道中的有机半导体材料上沉积栅电极；去除该电介质材料和有机半导体制料的一部分，其中，在该去除步骤期间，该栅电极作为掩模来保护其下方的有机半导体材料和电介质材料。
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公开(公告)号：CN101595576A
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200780036941.9
申请日：2007-08-30
Applicant: 剑桥显示技术有限公司
IPC: H01L51/10
CPC classification number: H01L51/057 , H01L27/283 , H01L27/3244 , H01L51/0036
Abstract: 本发明总体地涉及有机电子器件及其制造方法。更具体地，我们将描述有机薄膜晶体管(TFT)结构及其制造。一种有机电子器件，所述器件包括：支持第一电极的衬底；在所述衬底之上的间隔体结构；在所述间隔体结构之上且在所述第一电极以上的一定高度处的第二电极；以及所述第一电极和所述第二电极之上的有机半导体材料层，以在所述第一电极和所述第二电极之间提供导电沟道；以及其中大部分的所述第一电极都横向位于所述沟道的所述一侧，并且大部分的所述第二电极都横向位于所述沟道的所述另一侧。
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