公开(公告)号：CN117813695A

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN202280056342.8

申请日：2022-08-23

Applicant: 出光兴产株式会社 ,  丰田合成株式会社 ,  国立大学法人东海国立大学机构

Inventor： 笘井重和 ,  胜又聪 ,  大山正嗣 ,  永田贤吾 ,  松原太一 ,  久志本真希 ,  本田善央 ,  天野浩

IPC: H01L33/32 ,  H01L33/40

Abstract: 层叠体，其依次包含反射电极层(17)、具有MgZnO系组成的中间层(16)、以及具有AlGaN系组成的半导体层(15)。

公开(公告)号：CN114730819A

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202080077201.5

申请日：2020-11-02

Applicant: 出光兴产株式会社 ,  国立大学法人东海国立大学机构 ,  日机装株式会社

Inventor： 笘井重和 ,  上冈义弘 ,  胜又聡 ,  久志本真希 ,  出来真斗 ,  本田善央 ,  天野浩

IPC: H01L33/42

Abstract: 层叠体，其依次包含支撑体、缓冲层和电极层，缓冲层包含选自Ga、Al、In和Zn中的1种以上的金属与氧，电极层包含镁氧化物和锌氧化物，在电极层的X射线衍射测定中，在2θ＝34.8±0.5deg处观测到的衍射峰的半值宽度为0.43deg以下。

公开(公告)号：CN118685736A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410837045.8

申请日：2019-09-26

Applicant: 出光兴产株式会社 ,  国立大学法人东海国立大学机构 ,  日机装株式会社

Inventor： 上冈義弘 ,  笘井重和 ,  胜又聪 ,  久志本真希 ,  出来真斗 ,  本田善央 ,  天野浩

IPC: C23C14/08 ,  H01L21/28 ,  H01L29/43 ,  C23C14/14 ,  C23C14/34 ,  C23C14/32 ,  C23C14/58

Abstract: 层叠体，其具有包含III‑V族氮化物半导体的半导体层、以及电极层；电极层包含镁氧化物和锌氧化物，电极层中镁相对于镁和锌的总计的摩尔比[Mg/（Mg＋Zn）]为0.25以上且0.75以下，电极层的电导率为1.0×10‑2S/cm以上。

公开(公告)号：CN112888808A

公开(公告)日：2021-06-01

申请号：CN201980063611.1

申请日：2019-09-26

Applicant: 出光兴产株式会社 ,  国立大学法人东海国立大学机构 ,  日机装株式会社

Inventor： 上冈義弘 ,  笘井重和 ,  胜又聪 ,  久志本真希 ,  出来真斗 ,  本田善央 ,  天野浩

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/14 ,  C23C14/58 ,  H01L21/28 ,  H01L29/43

Abstract: 层叠体，其具有包含III‑V族氮化物半导体的半导体层、以及电极层；电极层包含镁氧化物和锌氧化物，电极层中镁相对于镁和锌的总计的摩尔比[Mg/（Mg＋Zn）]为0.25以上且0.75以下，电极层的电导率为1.0×10‑2S/cm以上。

公开(公告)号：CN114008000B

公开(公告)日：2024-01-12

申请号：CN202080046931.9

申请日：2020-06-24

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 笘井重和 ,  上冈义弘 ,  胜又聪 ,  佐佐木健一

IPC: C04B35/453 ,  C04B35/053 ,  C04B35/622 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34

Abstract: 氧化物烧结体，其包含锌、镁、金属元素X和氧作为构成元素，所述金属元素X为正3价或正4价，金属元素X相对于锌、镁和金属元素X的合计的原子比[X/（Zn+Mg+X）]为0.0001以上且0.6以下，镁相对于锌和镁的合计的原子比[Mg/（Zn+Mg）]为0.25以上且0.8以下。

公开(公告)号：CN115340360B

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202211043880.1

申请日：2014-12-18

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 笘井重和 ,  井上一吉 ,  江端一晃 ,  柴田雅敏 ,  宇都野太 ,  霍间勇辉 ,  石原悠

IPC: C04B35/01 ,  C04B35/622 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34

Abstract: 本申请提供氧化物烧结体、该烧结体的制造方法及溅射靶。本申请提供适合在显示装置用氧化物半导体膜的制造中使用的氧化物烧结体及溅射靶，所述溅射靶具有高导电性、放电稳定性优异。一种氧化物烧结体，其包含由In2O3构成的方铁锰矿相和A3B5O12相，式中，A为选自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的一种以上的元素，B为选自Al和Ga中的一种以上的元素。

公开(公告)号：CN107924822B

公开(公告)日：2022-10-28

申请号：CN201680044317.2

申请日：2016-07-29

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 井上一吉 ,  宇都野太 ,  霍间勇辉 ,  笘井重和 ,  江端一晃

IPC: H01L21/205 ,  C01G15/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363 ,  H01L29/786

Abstract: 一种晶体氧化物半导体薄膜，其特征在于，以氧化铟作为主要成分，含有具有单一的晶体取向的表面晶体颗粒。

公开(公告)号：CN109641757A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201780050211.8

申请日：2017-08-25

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 井上一吉 ,  笘井重和 ,  柴田雅敏

IPC: C01G15/00 ,  C04B35/01 ,  C04B35/50 ,  C23C14/34

CPC classification number: C01G15/006 ,  C01G15/00 ,  C01P2002/72 ,  C01P2006/10 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/01 ,  C04B35/44 ,  C04B35/50 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/764 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/9638 ,  C23C14/34 ,  C23C14/3414

Abstract: 一种石榴石型化合物，以通式(I)表示，Ln3In2Ga3-XAlXO12 (I)(式中，Ln表示选自La、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb以及Lu的一种以上的金属元素。X为0≤X＜3)。

公开(公告)号：CN109311756A

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201780036417.5

申请日：2017-06-16

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 井上一吉 ,  笘井重和 ,  柴田雅敏 ,  竹岛基浩

IPC: C04B35/01 ,  C23C14/34 ,  H01B1/08 ,  H01B5/14 ,  H01L21/363 ,  H01B13/00

CPC classification number: C04B35/01 ,  C23C14/34 ,  H01B1/08 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00

Abstract: 一种氧化物烧结体，含有以In2O3表示的方铁锰矿相以及以Y3In2Ga3O12表示的石榴石相。

公开(公告)号：CN108369964A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201680074847.1

申请日：2016-12-26

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 川岛绘美 ,  关谷隆司 ,  霍间勇辉 ,  上冈义弘 ,  笘井重和 ,  竹岛基浩

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/28 ,  H01L29/47 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

CPC classification number: H01L21/28 ,  H01L29/47 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

Abstract: 一种层叠体，其中，依次具有基板、欧姆电极层、金属氧化物半导体层、肖特基电极层和缓冲电极层，在上述肖特基电极层与上述缓冲电极层之间具有还原抑制层。