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公开(公告)号:CN114730819A
公开(公告)日:2022-07-08
申请号:CN202080077201.5
申请日:2020-11-02
Applicant: 出光兴产株式会社 , 国立大学法人东海国立大学机构 , 日机装株式会社
IPC: H01L33/42
Abstract: 层叠体,其依次包含支撑体、缓冲层和电极层,缓冲层包含选自Ga、Al、In和Zn中的1种以上的金属与氧,电极层包含镁氧化物和锌氧化物,在电极层的X射线衍射测定中,在2θ=34.8±0.5deg处观测到的衍射峰的半值宽度为0.43deg以下。
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公开(公告)号:CN108475702A
公开(公告)日:2018-08-31
申请号:CN201680075286.7
申请日:2016-12-26
Applicant: 出光兴产株式会社
IPC: H01L29/872 , H01L21/28 , H01L29/47
CPC classification number: H01L21/28 , H01L29/47 , H01L29/872
Abstract: 一种层叠体,其中,依次具有基板、选自接触电阻降低层和还原抑制层中的1层以上的层、肖特基电极层和金属氧化物半导体层。
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公开(公告)号:CN108369964B
公开(公告)日:2021-09-10
申请号:CN201680074847.1
申请日:2016-12-26
Applicant: 出光兴产株式会社
IPC: H01L29/872 , H01L21/28 , H01L29/47 , H01L29/861 , H01L29/868
Abstract: 一种层叠体,其中,依次具有基板、欧姆电极层、金属氧化物半导体层、肖特基电极层和缓冲电极层,在上述肖特基电极层与上述缓冲电极层之间具有还原抑制层。
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公开(公告)号:CN108431963A
公开(公告)日:2018-08-21
申请号:CN201680074791.X
申请日:2016-12-21
Applicant: 出光兴产株式会社
IPC: H01L29/872 , H01L29/24 , H01L29/47
Abstract: 一种半导体元件1,其特征在于,其具有:分隔开的一对欧姆电极20和肖特基电极10;以及,与上述欧姆电极20和上述肖特基电极10接触的半导体层30,所述半导体元件满足下述式(I)(式中,n为上述半导体层的载流子浓度(cm-3)、ε为上述半导体层的介电常数(F/cm)、Ve为上述欧姆电极与上述肖特基电极之间的正向有效电压(V)、q为基本电荷(C)、L为上述欧姆电极与上述肖特基电极之间的距离(cm))。
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公开(公告)号:CN114008000B
公开(公告)日:2024-01-12
申请号:CN202080046931.9
申请日:2020-06-24
Applicant: 出光兴产株式会社
IPC: C04B35/453 , C04B35/053 , C04B35/622 , C23C14/08 , C23C14/34
Abstract: 氧化物烧结体,其包含锌、镁、金属元素X和氧作为构成元素,所述金属元素X为正3价或正4价,金属元素X相对于锌、镁和金属元素X的合计的原子比[X/(Zn+Mg+X)]为0.0001以上且0.6以下,镁相对于锌和镁的合计的原子比[Mg/(Zn+Mg)]为0.25以上且0.8以下。
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公开(公告)号:CN108369964A
公开(公告)日:2018-08-03
申请号:CN201680074847.1
申请日:2016-12-26
Applicant: 出光兴产株式会社
IPC: H01L29/872 , H01L21/28 , H01L29/47 , H01L29/861 , H01L29/868
CPC classification number: H01L21/28 , H01L29/47 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/872
Abstract: 一种层叠体,其中,依次具有基板、欧姆电极层、金属氧化物半导体层、肖特基电极层和缓冲电极层,在上述肖特基电极层与上述缓冲电极层之间具有还原抑制层。
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公开(公告)号:CN117819960A
公开(公告)日:2024-04-05
申请号:CN202410029992.4
申请日:2020-06-24
Applicant: 出光兴产株式会社
IPC: C04B35/453 , C04B35/053 , C04B35/443 , C04B35/622 , C23C14/34 , C23C14/08
Abstract: 本发明涉及一种氧化物烧结体。该氧化物烧结体,其包含锌、镁、金属元素X和氧作为构成元素,所述金属元素X为正3价或正4价,金属元素X相对于锌、镁和金属元素X的合计的原子比[X/(Zn+Mg+X)]为0.0001以上且0.6以下,镁相对于锌和镁的合计的原子比[Mg/(Zn+Mg)]为0.25以上且0.8以下。
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公开(公告)号:CN114008000A
公开(公告)日:2022-02-01
申请号:CN202080046931.9
申请日:2020-06-24
Applicant: 出光兴产株式会社
IPC: C04B35/453 , C04B35/053 , C04B35/622 , C23C14/08 , C23C14/34
Abstract: 氧化物烧结体,其包含锌、镁、金属元素X和氧作为构成元素,所述金属元素X为正3价或正4价,金属元素X相对于锌、镁和金属元素X的合计的原子比[X/(Zn+Mg+X)]为0.0001以上且0.6以下,镁相对于锌和镁的合计的原子比[Mg/(Zn+Mg)]为0.25以上且0.8以下。
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公开(公告)号:CN108431963B
公开(公告)日:2021-08-24
申请号:CN201680074791.X
申请日:2016-12-21
Applicant: 出光兴产株式会社
IPC: H01L29/872 , H01L29/24 , H01L29/47
Abstract: 一种半导体元件1,其特征在于,其具有:分隔开的一对欧姆电极20和肖特基电极10;以及,与上述欧姆电极20和上述肖特基电极10接触的半导体层30,所述半导体元件满足下述式(I)(式中,n为上述半导体层的载流子浓度(cm‑3)、ε为上述半导体层的介电常数(F/cm)、Ve为上述欧姆电极与上述肖特基电极之间的正向有效电压(V)、q为基本电荷(C)、L为上述欧姆电极与上述肖特基电极之间的距离(cm))。
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