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公开(公告)号：CN108192594A
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201810066277.2
申请日：2018-01-24
Applicant: 内蒙古民族大学
Abstract: 本发明公开了一种提高InAs单量子点荧光提取效率的方法，属于InAs单量子点发光的提取技术领域。通过分子束外延的方法在砷化镓衬底上生长GaAs缓冲层，再依次生长100nm的砷化铝层、GaAs层、砷化铟量子点及GaAs覆盖层。将黑色蜡状物质Apiezon W涂在上述样品的上表面作为保护，然后放在氢氟酸溶液中，并在溶液中放置金属钛加速氢氟酸酸与AlAs牺牲层的化学反应，在AlAs牺牲层被腐蚀后，将包含有InAs的GaAs-InAs量子点-GaAs三明治结构薄层通过范德瓦尔斯力的作用吸附在金纳米颗粒的金膜上，形成附着在金纳米颗粒的金膜上的量子点样品。
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