公开(公告)号：CN1120738A

公开(公告)日：1996-04-17

申请号：CN95105165.2

申请日：1995-04-14

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 木村幸治 ,  中岛雄一 ,  川本浩

IPC: H01L27/06

CPC classification number: H01L21/8249 ,  H01L21/76895

Abstract: 在半导体基片的元件区上形成第一导电膜4。在半导体基片上形成一绝缘膜5，以覆盖第一导电膜。第二导电膜6覆盖绝缘膜的端部。该第一导电膜被用作MOS晶体管的栅电极，而第二导电膜6被用作覆盖和保护绝缘膜端部和双极晶体管引出电极的保护膜。对导电层刻图所获得的第二导电膜覆盖和保护绝缘膜5的端部。再对导电层刻图，以便覆盖住绝缘膜5的端部及其上形成的台阶部位，再用该图形进行各向异性刻蚀。如此可避免在因覆盖第一导电膜所形成的台阶部位上的第二导电膜的侧壁形成残留物。

公开(公告)号：CN1051642C

公开(公告)日：2000-04-19

申请号：CN95105165.2

申请日：1995-04-14

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 木村幸治 ,  中岛雄一 ,  川本浩

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/8249

CPC classification number: H01L21/8249 ,  H01L21/76895

Abstract: 在半导体基片的元件区上形成第一导电膜4。在半导体基片上形成一绝缘膜5，以覆盖第一导电膜。第二导电膜6覆盖绝缘膜的端部。该第一导电膜被用作MOS晶体管的栅电极，而第二导电膜6被用作覆盖和保护绝缘膜端部和双极晶体管引出电极的保护膜。对导电层刻图所获得的第二导电膜覆盖和保护绝缘膜5的端部。再对导电层刻图，以便覆盖住绝缘膜5的端部及其上形成的台阶部位，再用该图形进行各向异性刻蚀。如此可避免在因覆盖第一导电膜所形成的台阶部位上的第二导电膜的侧壁形成残留物。