公开(公告)号：CN1506495A

公开(公告)日：2004-06-23

申请号：CN200310120156.5

申请日：2003-12-09

Applicant: 关东化学株式会社 ,  奥博特瑞克斯株式会社

Inventor： 清水寿和 ,  景山宪二 ,  宫本孝吉 ,  藤信秀哉

IPC: C23F1/16 ,  G02F1/1335

Abstract: 本发明提供了价格低廉的蚀刻液组合物，其使用单一溶液可以同时蚀刻包含SiO2膜的金属反射层合膜，抑制各膜的侧面腐蚀量并且对于作为光散射层的树脂层没有损伤。即该蚀刻液组合物是用单一溶液同时蚀刻由含有金属反射膜和SiO2膜的2层以上的膜构成的金属反射层合膜的蚀刻液组合物，其由磷酸、硝酸、醋酸、氢氟酸和水配合而成。

公开(公告)号：CN1325697C

公开(公告)日：2007-07-11

申请号：CN200310120156.5

申请日：2003-12-09

Applicant: 关东化学株式会社 ,  奥博特瑞克斯株式会社

Inventor： 清水寿和 ,  景山宪二 ,  宫本孝吉 ,  藤信秀哉

IPC: C23F1/16 ,  G02F1/1335

Abstract: 本发明提供了价格低廉的蚀刻液组合物，其使用单一溶液可以同时蚀刻包含SiO2膜的金属反射层合膜，抑制各膜的侧面腐蚀量并且对于作为光散射层的树脂层没有损伤。即该蚀刻液组合物是用单一溶液同时蚀刻由含有金属反射膜和SiO2膜的2层以上的膜构成的金属反射层合膜的蚀刻液组合物，其由磷酸、硝酸、醋酸、氢氟酸和水配合而成。

公开(公告)号：CN101130870A

公开(公告)日：2008-02-27

申请号：CN200610121637.1

申请日：2006-08-23

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 清水寿和

IPC: C23F1/16 ,  C23F1/20 ,  C23F1/26 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种蚀刻液组合物，其可以将在玻璃等绝缘膜基板、硅基板和化合物半导体基板上通过溅射法所形成的含有由钛或以钛为主成分的合金所构成的层和由铝或以铝为主成分的合金所构成的层的金属层叠膜一起进行蚀刻，且不对底层的基板等造成损伤，并将锥角控制在30～90度。所述蚀刻液组合物含有氟化物和氧化剂，所述氟化物为选自氢氟酸的金属盐或铵盐、六氟硅酸、六氟硅酸的金属盐或铵盐、四氟硼酸、四氟硼酸的金属盐或铵盐中的至少1种。

公开(公告)号：CN105297022A

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201510438550.6

申请日：2015-07-23

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 河野良 ,  清水寿和

IPC: C23F1/44

Abstract: 本发明提供可对包括由Ti或以Ti为主要成分的合金形成的含Ti层、由Al或以Al为主要成分的合金形成的含Al层、含In的金属氧化物层的金属层叠膜的含Ti层和含Al层进行一次性蚀刻且可使蚀刻中的含In的金属氧化物层的损伤减少的蚀刻液组合物及使用该蚀刻液组合物的蚀刻方法。本发明的蚀刻液组合物是用于对包括由Ti或以Ti为主要成分的合金形成的含Ti层、由Al或以Al为主要成分的合金形成的含Al层、含In的金属氧化物层的金属层叠膜的含Ti层和含Al层进行一次性蚀刻的蚀刻液组合物，包含氟化合物以及选自磷的含氧酸、金属盐、有机溶剂、铵盐和季铵化合物的一种或两种以上，呈酸性。

公开(公告)号：CN100516303C

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200410097834.5

申请日：2004-12-02

Applicant: 关东化学株式会社 ,  恩益禧电子股份有限公司

Inventor： 清水寿和 ,  渡边香 ,  青木秀充

IPC: C23F1/16 ,  C23F1/26 ,  C23F1/02

CPC classification number: C23F1/26 ,  C09K13/08 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/32134

Abstract: 本发明提供一种用于去除在半导体基板上成膜或者附着的不需要的钨金属的稳定的酸性去除液以及使用了该去除液的钨金属的去除方法。本发明所述的去除液含有原高碘酸以及水。

公开(公告)号：CN1824834A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN200610009536.5

申请日：2006-02-24

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 清水寿和

IPC: C23F1/16 ,  C23F1/20 ,  C23F1/26

Abstract: 本发明提供一种蚀刻液组合物，其可以将在玻璃等绝缘膜基板、硅基板和化合物半导体基板上通过溅射法所形成的含有由钛或以钛为主成分的合金所构成的层和由铝或以铝为主成分的合金所构成的层的金属层叠膜一起进行蚀刻，且不对底层的基板等造成损伤，并将锥角控制在30～90度。其中，氟化物(除氢氟酸之外)的浓度为0.01～5质量％，特定的氧化剂的浓度为0.1～50质量％。

公开(公告)号：CN1502722A

公开(公告)日：2004-06-09

申请号：CN200310118044.6

申请日：2003-11-24

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 大城研二 ,  清水寿和 ,  景山宪二

IPC: C23F1/30

Abstract: 本发明提供高精度蚀刻加工以银为主成分的金属薄膜图案、形成良好的图案形状、且实用性良好的蚀刻液组合物。该蚀刻以银为主成分的金属薄膜的蚀刻液组合物由40～50重量％的磷酸、1.5～3.5重量％的硝酸、25～40重量％的醋酸及水混和而成。

公开(公告)号：CN111378453B

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN201911380289.3

申请日：2019-12-27

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 佐佐木辽 ,  高桥秀树 ,  清水寿和 ,  中村伸宏 ,  増茂邦雄 ,  渡边晓

IPC: C09K13/00 ,  C09K13/04 ,  C09K13/06 ,  C23F1/30 ,  C23F1/40 ,  C23F1/02 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明的目的在于，提供可以在缩小氧化锌或包含氧化锌的透明金属氧化物膜与银或银合金膜相邻的层压膜的侧面蚀刻差的同时，简单且经济地进行蚀刻的蚀刻液组合物。本发明涉及用于同时蚀刻氧化锌或包含氧化锌的透明金属氧化物膜与银或银合金膜相邻的层压膜底板的上述两个膜的蚀刻液组合物，其包含(A)过氧化氢、(B)银络合剂、以及(C)水。

公开(公告)号：CN104449739B

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201410478206.5

申请日：2014-09-18

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 大和田拓央 ,  清水寿和

IPC: C09K13/04 ,  C09K13/00 ,  C09K13/06 ,  H01L21/467 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明提供用于对作为半导体元件和平板显示器(FPD)等电子器件的氧化物半导体或透明电极使用的含In的金属氧化物及含Zn和In的金属氧化物进行蚀刻的蚀刻液组合物，其中，可控制为具实用性的蚀刻速度，且Zn的溶解性高，使用中的组成变化少，因此可使蚀刻液的使用寿命长。可对作为半导体元件和FPD等电子器件的氧化物半导体或透明电极使用的含In的金属氧化物及含Zn和In的金属氧化物进行微细加工，包含至少1种除氢卤酸和高卤酸等以外的某一解离阶段的25℃的酸解离常数pKan在2.15以下的酸和水，25℃的氢离子浓度pH在4以下的蚀刻液组合物及使用该蚀刻液组合物的蚀刻方法。

公开(公告)号：CN108690984A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201810273822.5

申请日：2018-03-29

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 清水寿和 ,  大和田拓央

IPC: C23F1/26

CPC classification number: C23F1/26

Abstract: 本发明的课题在于提供能够在对Qz基板不造成破坏的情况下对MoSi膜进行选择性的蚀刻的蚀刻液组合物及使用该蚀刻液组合物的蚀刻方法。一种用于对MoSi膜进行蚀刻处理的蚀刻液组合物，其中，包含少于3.5重量％的氟化合物、水和含碘氧化剂。