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公开(公告)号：CN113891851A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202080038631.6
申请日：2020-05-27
Applicant: 公益财团法人相模中央化学研究所 , 东曹株式会社
IPC: C01B25/45 , H01M4/58 , H01M10/054
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种适合作为钠二次电池的正极活性材料的钠过渡金属聚阴离子及其简便的制造方法。所述钠过渡金属聚阴离子的纯度为90质量％以上，晶粒粒径为以上且以下，并且由通式Na3‑xMPO4CO3(M为选自Fe、Mn、Ni和Co中的至少一种，且0≤x≤2)表示。
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公开(公告)号：CN113785085A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202080019987.5
申请日：2020-04-03
Applicant: 东曹株式会社 , 公益财团法人相模中央化学研究所
Abstract: 本发明提供即使是薄膜也显示出高阻气性能的氧化硅膜。该氧化硅膜满足下述(1)及(2)的要件：(1)膜厚500nm以下时的水蒸气透过率(WVTR)为9.0×10‑3g/m2·天以下。(2)通过X射线光电子能谱法(XPS)测定的膜中碳浓度为3.0atom％以下。
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公开(公告)号：CN104884417B
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201380068922.X
申请日：2013-12-27
Applicant: 东曹株式会社 , 公益财团法人相模中央化学研究所
IPC: C07C31/28 , C07C29/68 , C07C33/26 , H01L21/28 , H01L21/288 , H01L21/316 , C07F9/00
CPC classification number: C07F9/005 , C07C29/68 , C07C31/28 , C07C33/26 , C07F9/00 , H01L21/02118 , H01L21/02175 , H01L21/02183 , H01L21/02194 , H01L21/02282 , H01L21/02318
Abstract: 提供对于制作第5族金属氧化物膜而言为有用的化合物。其为下述通式(A)所示的第5族金属氧代-烷氧代络合物，制备含有该化合物和有机溶剂的制膜用材料溶液，使用该制膜用材料溶液，可以制作第5族金属氧化物膜。Mα(μ4-O)β(μ3-O)γ(μ-O)δ(μ-ORA)ε(ORA)ζ(RAOH)ηXθYι (A)(式中，M表示铌原子等、RA表示烷基、X表示亚烷基二
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公开(公告)号：CN104884417A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201380068922.X
申请日：2013-12-27
Applicant: 东曹株式会社 , 公益财团法人相模中央化学研究所
IPC: C07C31/28 , C07C29/68 , C07C33/26 , H01L21/28 , H01L21/288 , H01L21/316 , C07F9/00
CPC classification number: C07F9/005 , C07C29/68 , C07C31/28 , C07C33/26 , C07F9/00 , H01L21/02118 , H01L21/02175 , H01L21/02183 , H01L21/02194 , H01L21/02282 , H01L21/02318
Abstract: 提供对于制作第5族金属氧化物膜而言为有用的化合物。其为下述通式(A)所示的第5族金属氧代-烷氧代络合物，制备含有该化合物和有机溶剂的制膜用材料溶液，使用该制膜用材料溶液，可以制作第5族金属氧化物膜。Mα(μ4-O)β(μ3-O)γ(μ-O)δ(μ-ORA)ε(ORA)ζ(RAOH)ηXθYι (A)(式中，M表示铌原子等、RA表示烷基、X表示亚烷基二氧基、Y表示羧基等、α表示3～10、β表示0～1、γ表示0～8、δ表示2～9、ε表示0～6、ζ表示6～16、η表示0～4、θ表示0～2、ι表示0～6的整数)。
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