-
公开(公告)号：CN103299395B
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201180061352.2
申请日：2011-11-18
Applicant: 信越半导体股份有限公司
CPC classification number: H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L21/31111 , H01L21/76254
Abstract: 本发明是一种SOI晶片的制造方法，以使结构成为SOI晶片的SOI层的外周端位于较埋入式氧化膜的外周端更外侧的方式，进行去除该埋入式氧化膜的外周部的处理，然后，在包含氢的还原性环境或包含氯化氢气体的环境下，对SOI晶片进行热处理后，在SOI层的表面形成外延层。由此，提供一种方法，所述方法是在不产生溪谷状台阶（段差）的前提下，对利用离子注入剥离法制作而成且在平台部上没有硅氧化膜的SOI晶片，进行外延生长，从而可以制造具有所需SOI层厚度的SOI晶片。
-
公开(公告)号：CN102652347A
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201080056111.4
申请日：2010-11-18
Applicant: 信越半导体股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/324 , H01L27/12
CPC classification number: H01L21/3247 , H01L21/302 , H01L21/3065 , H01L21/76254
Abstract: 本发明是一种贴合晶片的制造方法，所述方法对通过离子注入剥离法制造而成的贴合晶片，在含有氢或氯化氢的环境中，施行将薄膜的表面平坦化的热处理，其中，所述贴合晶片的制造方法的特征在于：将在平坦化热处理时所使用的基座的表面，预先利用硅膜进行包覆，该基座是用以载置上述贴合晶片。由此，可提供一种贴合晶片的制造方法，针对离子注入剥离法，即便进行用以将剥离后的贴合晶片的薄膜表面平坦化的热处理时，也能得到一种贴合晶片，该贴合晶片具有膜厚度均匀性优良的薄膜。
-
公开(公告)号：CN100418194C
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200480003455.3
申请日：2004-02-13
Applicant: 信越半导体股份有限公司
IPC: H01L21/265 , H01L27/12
CPC classification number: H01L21/76243 , H01L21/26533
Abstract: 本发明提供一种SOI晶片的制造方法，该方法至少从硅晶片一边的主表面，注入氧离子以形成氧离子注入层后，对该硅晶片进行将上述氧离子注入层变成埋入式氧化膜的氧化膜形成热处理，以在埋入式氧化膜上制造具有SOI层的SOI晶片，其中，在上述硅晶片形成埋入式氧化膜时，是将其膜厚形成比上述制成的SOI晶片的埋入式氧化膜更厚，其后，在形成有该埋入式氧化膜的硅晶片上，进行减少埋入式氧化膜厚度的热处理。通过这种方式，可提供一种SOI晶片的制造方法，其可利用SIMOX法制造高品质的SOI晶片，而该SOI晶片具有膜厚较薄且完全性高的埋入式氧化膜，且SOI层的结晶性及表面质量极好。
-
公开(公告)号：CN102246264B
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN200980149263.6
申请日：2009-11-11
Applicant: 信越半导体股份有限公司
CPC classification number: H01L21/76254 , H01L21/84 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L29/78603
Abstract: 本发明是对埋入式氧化膜上形成有SOI层的SOI晶片材料进行减少埋入式氧化膜厚度的热处理，来制造具有规定的埋入式氧化膜厚的SOI晶片的方法，根据通过热处理而减少的埋入式氧化膜的厚度与因热处理而产生的埋入式氧化膜面内范围变化量的容许值之比，算出进行减少埋入式氧化膜厚度的热处理的SOI晶片材料的SOI层厚度，对将结合晶片薄膜化而获得的SOI晶片材料进行减少埋入式氧化膜厚度的热处理，使SOI层的厚度成为算出的厚度。由此，提供SOI晶片的方法，将因进行减少埋入式氧化膜厚度的热处理时的热处理温度等的不均匀性而产生的埋入式氧化膜面内分布恶化控制在规定的范围内，制造埋入式氧化膜的膜厚均匀性好的SOI晶片。
-
公开(公告)号：CN101960558A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200980107575.0
申请日：2009-02-17
Applicant: 信越半导体股份有限公司
CPC classification number: H01L21/76254
Abstract: 本发明是一种贴合晶片的制造方法，至少从结合晶片的表面，离子注入氢离子、稀有气体离子中的至少一种气体离子，而在晶片内部形成离子注入层，然后在将结合晶片的离子注入后的表面与基底晶片的表面，直接贴合或是隔着绝缘膜贴合后，以离子注入层为界，使结合晶片剥离，来制作贴合晶片，其中，根据对结合晶片和基底晶片的至少其中一方的贴合面施行等离子体处理，使氧化膜成长，而在对成长后的氧化膜实行蚀刻处理后，与另一方的晶片贴合。由此，当直接贴合或是隔着绝缘膜贴合时，通过减少贴合面的微粒且牢固地进行贴合，便能防止在贴合晶片的薄膜中发生缺陷。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104364880B
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201380026585.8
申请日：2013-04-19
Applicant: 信越半导体股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/306 , H01L27/12
CPC classification number: H01L21/76254 , H01L21/2007 , H01L21/265 , H01L21/26506 , H01L21/30604 , H01L21/3081 , H01L21/3086 , H01L21/3226 , H01L21/76251 , H01L21/76256
Abstract: 本发明是一种SOI晶片的制造方法，其具有以下工序：于至少整个基底晶片的表面上形成绝缘膜，对于以离子注入层为界来剥离接合晶片之前的贴合晶片，一边保护背面的绝缘膜，所述背面位于基底晶片的贴合面的相反侧，一边使该贴合晶片接触可溶解绝缘膜的液体、或暴露于可溶解绝缘膜的气体中，由此，自贴合晶片的外周端向中心方向，蚀刻位于接合晶片与基底晶片之间的绝缘膜。由此，可提供一种SOI晶片的制造方法，当在基底晶片上形成绝缘膜并进行贴合时，可控制平台宽度，防止SOI岛的发生，同时可抑制SOI晶片的翘曲。
-
公开(公告)号：CN102652347B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201080056111.4
申请日：2010-11-18
Applicant: 信越半导体股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/324 , H01L27/12
CPC classification number: H01L21/3247 , H01L21/302 , H01L21/3065 , H01L21/76254
Abstract: 本发明是一种贴合晶片的制造方法，所述方法对通过离子注入剥离法制造而成的贴合晶片，在含有氢或氯化氢的环境中，施行将薄膜的表面平坦化的热处理，其中，所述贴合晶片的制造方法的特征在于：将在平坦化热处理时所使用的基座的表面，预先利用硅膜进行包覆，该基座是用以载置上述贴合晶片。由此，可提供一种贴合晶片的制造方法，针对离子注入剥离法，即便进行用以将剥离后的贴合晶片的薄膜表面平坦化的热处理时，也能得到一种贴合晶片，该贴合晶片具有膜厚度均匀性优良的薄膜。
-
公开(公告)号：CN102246264A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200980149263.6
申请日：2009-11-11
Applicant: 信越半导体股份有限公司
CPC classification number: H01L21/76254 , H01L21/84 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L29/78603
Abstract: 本发明是对埋入式氧化膜上形成有SOI层的SOI晶片材料进行减少埋入式氧化膜厚度的热处理，来制造具有规定的埋入式氧化膜厚的SOI晶片的方法，根据通过热处理而减少的埋入式氧化膜的厚度与因热处理而产生的埋入式氧化膜面内范围变化量的容许值之比，算出进行减少埋入式氧化膜厚度的热处理的SOI晶片材料的SOI层厚度，对将结合晶片薄膜化而获得的SOI晶片材料进行减少埋入式氧化膜厚度的热处理，使SOI层的厚度成为算出的厚度。由此，提供SOI晶片的方法，将因进行减少埋入式氧化膜厚度的热处理时的热处理温度等的不均匀性而产生的埋入式氧化膜面内分布恶化控制在规定的范围内，制造埋入式氧化膜的膜厚均匀性好的SOI晶片。
-
公开(公告)号：CN104364880A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201380026585.8
申请日：2013-04-19
Applicant: 信越半导体股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/306 , H01L27/12
CPC classification number: H01L21/76254 , H01L21/2007 , H01L21/265 , H01L21/26506 , H01L21/30604 , H01L21/3081 , H01L21/3086 , H01L21/3226 , H01L21/76251 , H01L21/76256
Abstract: 本发明是一种SOI晶片的制造方法，其具有以下工序：于至少整个基底晶片的表面上形成绝缘膜，对于以离子注入层为界来剥离接合晶片之前的贴合晶片，一边保护背面的绝缘膜，所述背面位于基底晶片的贴合面的相反侧，一边使该贴合晶片接触可溶解绝缘膜的液体、或暴露于可溶解绝缘膜的气体中，由此，自贴合晶片的外周端向中心方向，蚀刻位于接合晶片与基底晶片之间的绝缘膜。由此，可提供一种SOI晶片的制造方法，当在基底晶片上形成绝缘膜并进行贴合时，可控制平台宽度，防止SOI岛的发生，同时可抑制SOI晶片的翘曲。
-
公开(公告)号：CN103299395A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201180061352.2
申请日：2011-11-18
Applicant: 信越半导体股份有限公司
CPC classification number: H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L21/31111 , H01L21/76254
Abstract: 本发明是一种SOI晶片的制造方法，以使结构成为SOI晶片的SOI层的外周端位于较埋入式氧化膜的外周端更外侧的方式，进行去除该埋入式氧化膜的外周部的处理，然后，在包含氢的还原性环境或包含氯化氢气体的环境下，对SOI晶片进行热处理后，在SOI层的表面形成外延层。由此，提供一种方法，所述方法是在不产生溪谷状台阶（段差）的前提下，对利用离子注入剥离法制作而成且在平台部上没有硅氧化膜的SOI晶片，进行外延生长，从而可以制造具有所需SOI层厚度的SOI晶片。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
15
records
(took 0.022 seconds)
