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公开(公告)号：CN102859649B
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201180017235.6
申请日：2011-03-01
Applicant: 信越半导体股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L27/12
CPC classification number: H01L21/02381 , H01L21/02433 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L21/0262 , H01L21/76254 , H01L29/78603
Abstract: 本发明的外延硅晶片，是使外延硅层气相生长在单晶硅基板的主表面上而成的外延硅晶片，所述外延硅晶片的特征在于：单晶硅基板的主表面，相对于[100]轴，自(100)面向[011]方向或[0-1-1]方向只倾斜角度θ，并向[01-1]方向或[0-11]方向只倾斜角度φ，θ及φ不足10＇，外延硅层的掺杂剂浓度为1×1019/cm3以上。由此，提供一种外延晶片及其制造方法、以及使用该外延硅晶片而成的贴合SOI晶片及其制造方法，所述外延晶片是在单晶硅基板的主表面上，形成有掺杂剂浓度为1×1019/cm3以上的外延层，且外延层表面的条纹状凹凸得以被抑制。
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公开(公告)号：CN102859649A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201180017235.6
申请日：2011-03-01
Applicant: 信越半导体股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L27/12
CPC classification number: H01L21/02381 , H01L21/02433 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L21/0262 , H01L21/76254 , H01L29/78603
Abstract: 本发明的外延硅晶片，是使外延硅层气相生长在单晶硅基板的主表面上而成的外延硅晶片，所述外延硅晶片的特征在于：单晶硅基板的主表面，相对于[100]轴，自(100)面向[011]方向或[0-1-1]方向只倾斜角度θ，并向[01-1]方向或[0-11]方向只倾斜角度φ，θ及φ不足10＇，外延硅层的掺杂剂浓度为1×1019/cm3以上。由此，提供一种外延晶片及其制造方法、以及使用该外延硅晶片而成的贴合SOI晶片及其制造方法，所述外延晶片是在单晶硅基板的主表面上，形成有掺杂剂浓度为1×1019/cm3以上的外延层，且外延层表面的条纹状凹凸得以被抑制。
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公开(公告)号：CN102246264A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200980149263.6
申请日：2009-11-11
Applicant: 信越半导体股份有限公司
CPC classification number: H01L21/76254 , H01L21/84 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L29/78603
Abstract: 本发明是对埋入式氧化膜上形成有SOI层的SOI晶片材料进行减少埋入式氧化膜厚度的热处理，来制造具有规定的埋入式氧化膜厚的SOI晶片的方法，根据通过热处理而减少的埋入式氧化膜的厚度与因热处理而产生的埋入式氧化膜面内范围变化量的容许值之比，算出进行减少埋入式氧化膜厚度的热处理的SOI晶片材料的SOI层厚度，对将结合晶片薄膜化而获得的SOI晶片材料进行减少埋入式氧化膜厚度的热处理，使SOI层的厚度成为算出的厚度。由此，提供SOI晶片的方法，将因进行减少埋入式氧化膜厚度的热处理时的热处理温度等的不均匀性而产生的埋入式氧化膜面内分布恶化控制在规定的范围内，制造埋入式氧化膜的膜厚均匀性好的SOI晶片。
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公开(公告)号：CN101960558B
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN200980107575.0
申请日：2009-02-17
Applicant: 信越半导体股份有限公司
CPC classification number: H01L21/76254
Abstract: 本发明是一种贴合晶片的制造方法，至少从结合晶片的表面，离子注入氢离子、稀有气体离子中的至少一种气体离子，而在晶片内部形成离子注入层，然后在将结合晶片的离子注入后的表面与基底晶片的表面，直接贴合或是隔着绝缘膜贴合后，以离子注入层为界，使结合晶片剥离，来制作贴合晶片，其中，根据对结合晶片和基底晶片的至少其中一方的贴合面施行等离子体处理，使氧化膜成长，而在对成长后的氧化膜实行蚀刻处理后，与另一方的晶片贴合。由此，当直接贴合或是隔着绝缘膜贴合时，通过减少贴合面的微粒且牢固地进行贴合，便能防止在贴合晶片的薄膜中发生缺陷。
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公开(公告)号：CN101765901B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN200880100644.0
申请日：2008-07-03
Applicant: 信越半导体股份有限公司
CPC classification number: H01L21/76254 , H01L21/02057 , H01L21/26506
Abstract: 本发明是一种贴合晶片的制造方法，是至少将接合晶片与成为支撑基板的基底晶片接合，该接合晶片具有根据气体离子的注入而形成的微小气泡层，并将前述微小气泡层作为边界来剥离接合晶片，而在基底晶片上形成薄膜的根据离子注入剥离法来制造贴合晶片的方法，其中，将剥离接合晶片后的贴合晶片，利用臭氧水洗净后，在含有氢气的气氛下，进行急速加热和急速冷却处理，接着，在氧化性气体气氛下，进行热处理，而在前述贴合晶片的表层上形成热氧化膜后，进行除去该热氧化膜，之后，在非氧化性气体气氛下，进行热处理。由此，提供一种贴合晶片的制造方法，是使用离子注入剥离法来制造贴合晶片的方法，能除去由于离子注入所造成的损伤，并在没有损及剥离后的贴合晶片的表面粗度的情况下，抑制凹状缺陷的发生。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101765901A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200880100644.0
申请日：2008-07-03
Applicant: 信越半导体股份有限公司
CPC classification number: H01L21/76254 , H01L21/02057 , H01L21/26506
Abstract: 本发明是一种贴合晶片的制造方法，是至少将接合晶片与成为支撑基板的基底晶片接合，该接合晶片具有根据气体离子的注入而形成的微小气泡层，并将前述微小气泡层作为边界来剥离接合晶片，而在基底晶片上形成薄膜的根据离子注入剥离法来制造贴合晶片的方法，其中，将剥离接合晶片后的贴合晶片，利用臭氧水洗净后，在含有氢气的气氛下，进行急速加热和急速冷却处理，接着，在氧化性气体气氛下，进行热处理，而在前述贴合晶片的表层上形成热氧化膜后，进行除去该热氧化膜，之后，在非氧化性气体气氛下，进行热处理。由此，提供一种贴合晶片的制造方法，是使用离子注入剥离法来制造贴合晶片的方法，能除去由于离子注入所造成的损伤，并在没有损及剥离后的贴合晶片的表面粗度的情况下，抑制凹状缺陷的发生。
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公开(公告)号：CN102224568B
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN200980147233.1
申请日：2009-10-14
Applicant: 信越半导体股份有限公司
CPC classification number: H01L21/76254
Abstract: 本发明是一种贴合晶片的制造方法，包括：在结合晶片内部形成离子注入层的步骤；直接或经由氧化膜使结合晶片的注入有离子的表面与基体晶片的表面密接的步骤；以离子注入层为界来使结合晶片剥离的热处理步骤；其特征在于：通过在小于500℃的温度下进行预退火，然后在500℃以上的温度下进行剥离热处理，来进行使结合晶片剥离的热处理步骤，通过至少在第1温度下进行热处理后，在高于第1温度的第2温度下进行热处理来进行预退火。由此，提供一种高品质贴合晶片的制造方法，在采用智能剥离法(注册商标)制作贴合晶片时，在比剥离产生温度低的温度下，形成贴合强度高的状态，而制造出以减少缺陷为中心的高品质贴合晶片。
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公开(公告)号：CN102246264B
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN200980149263.6
申请日：2009-11-11
Applicant: 信越半导体股份有限公司
CPC classification number: H01L21/76254 , H01L21/84 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L29/78603
Abstract: 本发明是对埋入式氧化膜上形成有SOI层的SOI晶片材料进行减少埋入式氧化膜厚度的热处理，来制造具有规定的埋入式氧化膜厚的SOI晶片的方法，根据通过热处理而减少的埋入式氧化膜的厚度与因热处理而产生的埋入式氧化膜面内范围变化量的容许值之比，算出进行减少埋入式氧化膜厚度的热处理的SOI晶片材料的SOI层厚度，对将结合晶片薄膜化而获得的SOI晶片材料进行减少埋入式氧化膜厚度的热处理，使SOI层的厚度成为算出的厚度。由此，提供SOI晶片的方法，将因进行减少埋入式氧化膜厚度的热处理时的热处理温度等的不均匀性而产生的埋入式氧化膜面内分布恶化控制在规定的范围内，制造埋入式氧化膜的膜厚均匀性好的SOI晶片。
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公开(公告)号：CN102224568A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN200980147233.1
申请日：2009-10-14
Applicant: 信越半导体股份有限公司
CPC classification number: H01L21/76254
Abstract: 本发明是一种贴合晶片的制造方法，包括：在结合晶片内部形成离子注入层的步骤；直接或经由氧化膜使结合晶片的注入有离子的表面与基体晶片的表面密接的步骤；以离子注入层为界来使结合晶片剥离的热处理步骤；其特征在于：通过在小于500℃的温度下进行预退火，然后在500℃以上的温度下进行剥离热处理，来进行使结合晶片剥离的热处理步骤，通过至少在第1温度下进行热处理后，在高于第1温度的第2温度下进行热处理来进行预退火。由此，提供一种高品质贴合晶片的制造方法，在采用智能剥离法(注册商标)制作贴合晶片时，在比剥离产生温度低的温度下，形成贴合强度高的状态，而制造出以减少缺陷为中心的高品质贴合晶片。
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公开(公告)号：CN101960558A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200980107575.0
申请日：2009-02-17
Applicant: 信越半导体股份有限公司
CPC classification number: H01L21/76254
Abstract: 本发明是一种贴合晶片的制造方法，至少从结合晶片的表面，离子注入氢离子、稀有气体离子中的至少一种气体离子，而在晶片内部形成离子注入层，然后在将结合晶片的离子注入后的表面与基底晶片的表面，直接贴合或是隔着绝缘膜贴合后，以离子注入层为界，使结合晶片剥离，来制作贴合晶片，其中，根据对结合晶片和基底晶片的至少其中一方的贴合面施行等离子体处理，使氧化膜成长，而在对成长后的氧化膜实行蚀刻处理后，与另一方的晶片贴合。由此，当直接贴合或是隔着绝缘膜贴合时，通过减少贴合面的微粒且牢固地进行贴合，便能防止在贴合晶片的薄膜中发生缺陷。
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