公开(公告)号：CN101689478B

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN200880021034.1

申请日：2008-05-27

Applicant: 信越半导体股份有限公司

Inventor： 横川功 ,  能登宣彦

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639

Abstract: 本发明是一种SOI芯片的制造方法，针对在平台部具有氧化膜的SOI芯片的SOI层的整个面上，形成硅外延层的步骤(f)，其特征在于：将氯化氢气体混入反应气体中。借此，提供一种SOI芯片的制造方法，能简单地在平台部具有氧化膜的SOI芯片的SOI层上，使硅外延层成长，并能抑制制造出来的SOI芯片发生翘曲；又，即便是在元件制造等的这类的后续步骤中，也能降低微粒的发生，进而能谋求削减制造SOI芯片的成本。

公开(公告)号：CN101558474B

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN200780046521.9

申请日：2007-11-29

Applicant: 信越半导体股份有限公司

Inventor： 冈哲史 ,  能登宣彦

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/02532 ,  C30B25/183 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02661

Abstract: 本发明是提供一种应变硅基板的制造方法，是至少在硅单晶基板上，先形成晶格弛豫的硅锗层，并通过化学机械研磨将该硅锗层的表面平坦化，而在该平坦化后的硅锗层的表面上形成应变硅层的应变硅基板的制造方法，其特征在于：在上述平坦化后的晶格弛豫硅锗层的表面上，形成应变硅层之前，SC1洗净该硅锗层的表面，并在800℃以上的含氢环境中，热处理具有上述SC1洗净后的硅锗层的上述基板，且在该热处理后未降温至低于800℃的温度而是立刻在上述热处理过后的基板上的硅锗层表面，形成保护硅层，并以比该保护硅层的形成温度低的温度，在该保护硅层的表面上形成应变硅层。由此，提供一种应变硅基板的制造方法，该应变硅基板的制造方法，能够制造出一种表面粗糙度、贯穿位错密度及微粒程度低的应变硅基板。

公开(公告)号：CN101496142B

公开(公告)日：2010-10-27

申请号：CN200780027926.8

申请日：2007-07-04

Applicant: 信越半导体股份有限公司

Inventor： 冈哲史 ,  能登宣彦

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/0251 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/02661

Abstract: 本发明是一种半导体基板的制造方法，其至少具备：在单晶硅基板上，形成硅锗组成渐变层的工序；在硅锗组成渐变层上，形成硅锗组成固定层的工序；平坦化该硅锗组成固定层的表面的工序；除去该平坦化后的硅锗组成固定层表面上的自然氧化膜的工序；以及在已除去该表面的自然氧化膜的硅锗组成固定层上，形成应变硅层的工序，其特征在于：上述硅锗组成渐变层的形成与上述硅锗组成固定层的形成，是在高于800℃的温度T1进行；上述硅锗组成固定层表面的自然氧化膜的除去，是在还原性气体环境下，于800℃以上且低于上述温度T1的温度T2，通过热处理而进行；并且上述应变硅层的形成，是在低于温度T1的温度T3进行。由此，可于平坦化的硅锗层上，使该硅锗层表面的平坦性不会恶化，磊晶生长应变硅层。

公开(公告)号：CN102652347A

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN201080056111.4

申请日：2010-11-18

Applicant: 信越半导体股份有限公司

Inventor： 冈哲史 ,  阿贺浩司 ,  加藤正弘 ,  能登宣彦

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/3247 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/76254

Abstract: 本发明是一种贴合晶片的制造方法，所述方法对通过离子注入剥离法制造而成的贴合晶片，在含有氢或氯化氢的环境中，施行将薄膜的表面平坦化的热处理，其中，所述贴合晶片的制造方法的特征在于：将在平坦化热处理时所使用的基座的表面，预先利用硅膜进行包覆，该基座是用以载置上述贴合晶片。由此，可提供一种贴合晶片的制造方法，针对离子注入剥离法，即便进行用以将剥离后的贴合晶片的薄膜表面平坦化的热处理时，也能得到一种贴合晶片，该贴合晶片具有膜厚度均匀性优良的薄膜。

公开(公告)号：CN101341577B

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：CN200680047873.1

申请日：2006-10-20

Applicant: 信越半导体股份有限公司

Inventor： 竹野博 ,  能登宣彦

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/322 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76256 ,  H01L21/3226 ,  H01L29/78603

Abstract: 一种SOI基板的制造方法，其是通过贴合法来制造SOI基板的方法，其特征为：至少于成为SOI层的单晶硅基板与成为支持基板的单晶硅基板的任一方的表面，制作硅氧化膜，然后隔着该硅氧化膜，贴合上述成为SOI层的单晶硅基板与上述成为支持基板的单晶硅基板后，在进行提高结合强度的结合热处理的情况，进行保持于至少950℃至1100℃的范围的温度的热处理之后，进行高于1100℃的温度的热处理。由此，提供一种SOI基板的制造方法以及SOI基板，该制造方法可有效率地制造出对于SOI层的金属污染，具有优良的除气能力的SOI基板。

公开(公告)号：CN101454871B

公开(公告)日：2011-07-13

申请号：CN200780019617.6

申请日：2007-05-14

Applicant: 信越半导体股份有限公司

Inventor： 添田康嗣 ,  能登宣彦

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/762 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明是一种贴合晶片的制造方法，是针对通过离子注入剥离法来制造贴合晶片的方法，该离子注入剥离法至少包含：接合步骤，其是将基体晶片与具有通过注入离子而形成的微小气泡层的接合晶片接合；剥离步骤，其是以前述微小气泡层作为边界而进行剥离；及薄膜周边部除去步骤，其是将通过前述剥离步骤而在基体晶片上所形成的薄膜周边部除去；至少将剥离步骤后的薄膜周边部除去步骤，以从喷嘴供给蚀刻气体来进行的干式蚀刻的方式来进行，且该干式蚀刻是调整前述喷嘴的气体喷出口的内径及前述喷嘴的气体喷出口与前述薄膜表面的间隔来进行。本发明能够再现性良好地得到除去宽度，且能够有效果地防止薄膜品质降低。

公开(公告)号：CN101960558B

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN200980107575.0

申请日：2009-02-17

Applicant: 信越半导体股份有限公司

Inventor： 小林德弘 ,  石塚徹 ,  阿贺浩司 ,  能登宣彦

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254

Abstract: 本发明是一种贴合晶片的制造方法，至少从结合晶片的表面，离子注入氢离子、稀有气体离子中的至少一种气体离子，而在晶片内部形成离子注入层，然后在将结合晶片的离子注入后的表面与基底晶片的表面，直接贴合或是隔着绝缘膜贴合后，以离子注入层为界，使结合晶片剥离，来制作贴合晶片，其中，根据对结合晶片和基底晶片的至少其中一方的贴合面施行等离子体处理，使氧化膜成长，而在对成长后的氧化膜实行蚀刻处理后，与另一方的晶片贴合。由此，当直接贴合或是隔着绝缘膜贴合时，通过减少贴合面的微粒且牢固地进行贴合，便能防止在贴合晶片的薄膜中发生缺陷。

公开(公告)号：CN101765901B

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN200880100644.0

申请日：2008-07-03

Applicant: 信越半导体股份有限公司

Inventor： 小林德弘 ,  阿贺浩司 ,  长冈康男 ,  能登宣彦

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/26506

Abstract: 本发明是一种贴合晶片的制造方法，是至少将接合晶片与成为支撑基板的基底晶片接合，该接合晶片具有根据气体离子的注入而形成的微小气泡层，并将前述微小气泡层作为边界来剥离接合晶片，而在基底晶片上形成薄膜的根据离子注入剥离法来制造贴合晶片的方法，其中，将剥离接合晶片后的贴合晶片，利用臭氧水洗净后，在含有氢气的气氛下，进行急速加热和急速冷却处理，接着，在氧化性气体气氛下，进行热处理，而在前述贴合晶片的表层上形成热氧化膜后，进行除去该热氧化膜，之后，在非氧化性气体气氛下，进行热处理。由此，提供一种贴合晶片的制造方法，是使用离子注入剥离法来制造贴合晶片的方法，能除去由于离子注入所造成的损伤，并在没有损及剥离后的贴合晶片的表面粗度的情况下，抑制凹状缺陷的发生。

公开(公告)号：CN102326227A

公开(公告)日：2012-01-18

申请号：CN201080008682.0

申请日：2010-01-08

Applicant: 信越半导体股份有限公司

Inventor： 阿贺浩司 ,  横川功 ,  能登宣彦

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/306 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/31111

Abstract: 本发明是一种SOI晶片的制造方法，从结合晶片的表面，离子注入气体离子而形成离子注入层，然后经由绝缘膜将此结合晶片的注入有离子的表面与基体晶片的表面贴合，并以离子注入层为界来剥离结合晶片，由此制作SOI晶片，其特征在于，具有下述步骤：将以离子注入层为界来剥离结合晶片之前的贴合晶片，浸渍于可溶解绝缘膜的液体中，或者暴露于可溶解绝缘膜的气体中，以此从贴合晶片的外周端，朝向中心方向，蚀刻位于结合晶片与基体晶片之间的绝缘膜。由此，提供一种SOI晶片的制造方法，所述SOI晶片的制造方法可控制使用离子注入剥离法来剥离时所产生的平台宽度，并且可防止会造成良率下降的平台部SOI岛的产生。

公开(公告)号：CN101765901A

公开(公告)日：2010-06-30

申请号：CN200880100644.0

申请日：2008-07-03

Applicant: 信越半导体股份有限公司

Inventor： 小林德弘 ,  阿贺浩司 ,  长冈康男 ,  能登宣彦

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/26506

Abstract: 本发明是一种贴合晶片的制造方法，是至少将接合晶片与成为支撑基板的基底晶片接合，该接合晶片具有根据气体离子的注入而形成的微小气泡层，并将前述微小气泡层作为边界来剥离接合晶片，而在基底晶片上形成薄膜的根据离子注入剥离法来制造贴合晶片的方法，其中，将剥离接合晶片后的贴合晶片，利用臭氧水洗净后，在含有氢气的气氛下，进行急速加热和急速冷却处理，接着，在氧化性气体气氛下，进行热处理，而在前述贴合晶片的表层上形成热氧化膜后，进行除去该热氧化膜，之后，在非氧化性气体气氛下，进行热处理。由此，提供一种贴合晶片的制造方法，是使用离子注入剥离法来制造贴合晶片的方法，能除去由于离子注入所造成的损伤，并在没有损及剥离后的贴合晶片的表面粗度的情况下，抑制凹状缺陷的发生。