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公开(公告)号：CN1748312A
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN200480003455.3
申请日：2004-02-13
Applicant: 信越半导体股份有限公司
IPC: H01L27/12 , H01L21/265
CPC classification number: H01L21/76243 , H01L21/26533
Abstract: 本发明提供一种SOI晶片的制造方法，该方法至少从硅晶片一边的主表面，注入氧离子以形成氧离子注入层后，对该硅晶片进行将上述氧离子注入层变成埋入式氧化膜的氧化膜形成热处理，以在埋入式氧化膜上制造具有SOI层的SOI晶片，其中，在上述硅晶片形成埋入式氧化膜时，是将其膜厚形成比上述制成的SOI晶片的埋入式氧化膜更厚，其后，在形成有该埋入式氧化膜的硅晶片上，进行减少埋入式氧化膜厚度的热处理。通过这种方式，可提供一种SOI晶片的制造方法，其可利用SIMOX法制造高品质的SOI晶片，而该SOI晶片具有膜厚较薄且完全性高的埋入式氧化膜，且SOI层的结晶性及表面质量极好。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1791982A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200480013227.4
申请日：2004-05-07
Applicant: 信越半导体股份有限公司
IPC: H01L27/12
CPC classification number: H01L21/76251 , Y10S65/08 , Y10T117/10
Abstract: 本发明提供一种SOI晶片，该SOI晶片为至少具备SOI层的SOI晶片，其特征为：该SOI层的面方位的偏角是由{110}只往 方向，而且，偏角角度在5分以上2度以下；及提供一种SOI晶片的制造方法，至少贴合基底晶片和由硅单结晶所构成的结合晶片，将该结合晶片予以薄膜化以形成SOI层而成，其特征为：前述结合晶片是使用面方位由{110}只往 方向偏角，而且，偏角角度在5分以上2度以下的晶片。因此，可以提供具有高的膜厚均匀性和良好的微观粗糙度，适合于高速元件的制作的SOI晶片及其制造方法。
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公开(公告)号：CN101910474B
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN200880124024.0
申请日：2008-12-18
Applicant: 信越半导体股份有限公司
CPC classification number: C30B29/06 , C30B15/14 , C30B15/20 , C30B35/00 , Y10T117/1068
Abstract: 一种单晶的制造装置根据切克劳斯基法来培育单晶，至少包括：主腔室，其容纳用以容置原料熔液的坩埚与用以加热上述原料熔液的加热器；提拉腔室，其连接设置在该主腔室的上部，成长的单晶被提拉而容置于其中；以及冷却筒，其被冷却介质强制冷却，并以包围上述提拉中的单晶的方式，从上述主腔室的至少顶部向原料熔液表面延伸；其特征在于，至少具有被嵌合在上述冷却筒的内侧上的冷却辅助筒，该冷却辅助筒具有贯通轴方向的缝隙，且向上述原料熔液表面延伸。由此，提供一种单晶制造装置，通过有效率地冷却培育中的单晶，能实现单晶的成长速度的高速化。
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公开(公告)号：CN100418194C
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200480003455.3
申请日：2004-02-13
Applicant: 信越半导体股份有限公司
IPC: H01L21/265 , H01L27/12
CPC classification number: H01L21/76243 , H01L21/26533
Abstract: 本发明提供一种SOI晶片的制造方法，该方法至少从硅晶片一边的主表面，注入氧离子以形成氧离子注入层后，对该硅晶片进行将上述氧离子注入层变成埋入式氧化膜的氧化膜形成热处理，以在埋入式氧化膜上制造具有SOI层的SOI晶片，其中，在上述硅晶片形成埋入式氧化膜时，是将其膜厚形成比上述制成的SOI晶片的埋入式氧化膜更厚，其后，在形成有该埋入式氧化膜的硅晶片上，进行减少埋入式氧化膜厚度的热处理。通过这种方式，可提供一种SOI晶片的制造方法，其可利用SIMOX法制造高品质的SOI晶片，而该SOI晶片具有膜厚较薄且完全性高的埋入式氧化膜，且SOI层的结晶性及表面质量极好。
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公开(公告)号：CN100361307C
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200480013227.4
申请日：2004-05-07
Applicant: 信越半导体股份有限公司
IPC: H01L27/12
CPC classification number: H01L21/76251 , Y10S65/08 , Y10T117/10
Abstract: 本发明提供一种SOI晶片，该SOI晶片为至少具备SOI层的SOI晶片，其特征为：该SOI层的面方位的偏角是由{110}只往 方法，而且，偏角角度在5分以上2度以下；及提供一种SOI晶片的制造方法，至少贴合基底晶片和由硅单结晶所构成的结合晶片，将该结合晶片予以薄膜化以形成SOI层而成，其特征为：前述结合晶片是使用面方位由{110}只往 方向偏角，而且，偏角角度在5分以上2度以下的晶片。因此，可以提供具有高的膜厚均匀性和良好的微观粗糙度，适合于高速元件的制作的SOI晶片及其制造方法。
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公开(公告)号：CN101910474A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200880124024.0
申请日：2008-12-18
Applicant: 信越半导体股份有限公司
CPC classification number: C30B29/06 , C30B15/14 , C30B15/20 , C30B35/00 , Y10T117/1068
Abstract: 一种单晶的制造装置根据切克劳斯基法来培育单晶，至少包括：主腔室，其容纳用以容置原料熔液的坩埚与用以加热上述原料熔液的加热器；提拉腔室，其连接设置在该主腔室的上部，成长的单晶被提拉而容置于其中；以及冷却筒，其被冷却介质强制冷却，并以包围上述提拉中的单晶的方式，从上述主腔室的至少顶部向原料熔液表面延伸；其特征在于，至少具有被嵌合在上述冷却筒的内侧上的冷却辅助筒，该冷却辅助筒具有贯通轴方向的缝隙，且向上述原料熔液表面延伸。由此，提供一种单晶制造装置，通过有效率地冷却培育中的单晶，能实现单晶的成长速度的高速化。
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