公开(公告)号：CN102007234B

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN200980113403.4

申请日：2009-03-24

Applicant: 信越半导体股份有限公司

Inventor： 菅原孝世 ,  星亮二 ,  高沢雅纪 ,  宫原祐一 ,  岩崎淳

IPC: C30B29/06 ,  C30B15/00 ,  C30B15/10

CPC classification number: C30B15/20 ,  C30B15/10 ,  C30B29/06 ,  Y10T117/1068 ,  Y10T117/1072

Abstract: 本发明关于一种单晶硅的成长方法及提拉装置，该单晶硅的成长方法根据切克劳斯基法，将单晶从已在石英坩埚内熔融的硅原料的熔融液提拉而使其成长，其特征在于：以上述石英坩埚的外壁侧为正极，并以电极侧为负极的方式，施加直流电压，一边使电流从上述电极流过一边根据上述提拉轴来使单晶硅成长；并且，该电极是与用以提拉上述单晶的提拉轴分开设置，且被浸渍于上述硅原料的熔融液中。由此，在单晶硅的成长过程中，通过使适当的结晶化层即失透发生在石英坩埚的内壁表面，同时防止锂等的碱金属混入单晶硅中，能提高单晶产率与生产性，并且在切片成芯片后的热氧化处理中，能抑制氧化膜的异常成长。

公开(公告)号：CN102007234A

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN200980113403.4

申请日：2009-03-24

Applicant: 信越半导体股份有限公司

Inventor： 菅原孝世 ,  星亮二 ,  高沢雅纪 ,  宫原祐一 ,  岩崎淳

IPC: C30B29/06 ,  C30B15/00 ,  C30B15/10

CPC classification number: C30B15/20 ,  C30B15/10 ,  C30B29/06 ,  Y10T117/1068 ,  Y10T117/1072

Abstract: 本发明关于一种单晶硅的成长方法及提拉装置，该单晶硅的成长方法根据切克劳斯基法，将单晶从已在石英坩埚内熔融的硅原料的熔融液提拉而使其成长，其特征在于：以上述石英坩埚的外壁侧为正极，并以电极侧为负极的方式，施加直流电压，一边使电流从上述电极流过一边根据上述提拉轴来使单晶硅成长；并且，该电极是与用以提拉上述单晶的提拉轴分开设置，且被浸渍于上述硅原料的熔融液中。由此，在单晶硅的成长过程中，通过使适当的结晶化层即失透发生在石英坩埚的内壁表面，同时防止锂等的碱金属混入单晶硅中，能提高单晶产率与生产性，并且在切片成芯片后的热氧化处理中，能抑制氧化膜的异常成长。