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公开(公告)号：CN103370451A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201280007837.8
申请日：2012-01-05
Applicant: 信越半导体股份有限公司
IPC: C30B15/00
CPC classification number: C30B15/10 , C30B15/00 , C30B15/30 , C30B29/06 , Y10T117/1072
Abstract: 本发明是一种单晶制造装置，其是利用CZ法的单晶制造装置，其具备：坩埚，该坩埚用以保持原料熔液；可升降的支架，该可升降的支架支持该坩埚；坩埚旋转轴，该坩埚旋转轴经由该支架使前述坩埚旋转；及，漏液盛接容器，该漏液盛接容器配置于前述坩埚的下方，并以围绕前述支架的方式设置有中心套筒，其特征在于，在前述支架的外周部上设置有2个以上的槽，以抑制从前述坩埚中泄漏出来的前述原料熔液滴落。由此，本发明提供一种单晶制造装置及单晶制造方法，即使在因意外事故等导致坩埚内的原料熔液流出至坩埚外，并沿着支架流下来的情况下，仍然可以确实地防止熔液到达支架下方的金属部，并将装置损坏和事故发生防患于未然。
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公开(公告)号：CN101772595B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN200880102139.X
申请日：2008-07-30
Applicant: 信越半导体股份有限公司
IPC: C30B15/22
CPC classification number: C30B15/28 , C30B15/26 , Y10T117/1004
Abstract: 本发明提供一种单晶直径的检测方法及一种单晶提拉装置，该装置具备摄影机及测力计两者，用以检测所提拉的单晶的直径；该单晶直径的检测方法，是用以检测通过切克劳斯基法所培育的单晶的直径的方法，其特征在于：使用摄影机与测力计两者，各自检测单晶的直径，并根据摄影机的检测直径与通过测力计所算出的直径的差、及按照前述单晶的成长速度所预先求得的修正系数α，来修正前述摄影机的检测直径，并且将通过该修正所得到的值作为前述单晶的直径。借此，能够提升大口径、高重量结晶的直径测定精确度，且能够实现产率的提升及减少品质偏差。
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公开(公告)号：CN103370451B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201280007837.8
申请日：2012-01-05
Applicant: 信越半导体股份有限公司
IPC: C30B15/00
CPC classification number: C30B15/10 , C30B15/00 , C30B15/30 , C30B29/06 , Y10T117/1072
Abstract: 本发明是一种单晶制造装置，其是利用CZ法的单晶制造装置，其具备：坩埚，该坩埚用以保持原料熔液；可升降的支架，该可升降的支架支持该坩埚；坩埚旋转轴，该坩埚旋转轴经由该支架使前述坩埚旋转；及，漏液盛接容器，该漏液盛接容器配置于前述坩埚的下方，并以围绕前述支架的方式设置有中心套筒，其特征在于，在前述支架的外周部上设置有2个以上的槽，以抑制从前述坩埚中泄漏出来的前述原料熔液滴落。由此，本发明提供一种单晶制造装置及单晶制造方法，即使在因意外事故等导致坩埚内的原料熔液流出至坩埚外，并沿着支架流下来的情况下，仍然可以确实地防止熔液到达支架下方的金属部，并将装置损坏和事故发生防患于未然。
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公开(公告)号：CN101772595A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN200880102139.X
申请日：2008-07-30
Applicant: 信越半导体股份有限公司
IPC: C30B15/22
CPC classification number: C30B15/28 , C30B15/26 , Y10T117/1004
Abstract: 本发明提供一种单晶直径的检测方法及一种单晶提拉装置，该装置具备摄影机及测力计两者，用以检测所提拉的单晶的直径；该单晶直径的检测方法，是用以检测通过切克劳斯基法所培育的单晶的直径的方法，其特征在于：使用摄影机与测力计两者，各自检测单晶的直径，并根据摄影机的检测直径与通过测力计所算出的直径的差、及按照前述单晶的成长速度所预先求得的修正系数α，来修正前述摄影机的检测直径，并且将通过该修正所得到的值作为前述单晶的直径。借此，能够提升大口径、高重量结晶的直径测定精确度，且能够实现产率的提升及减少品质偏差。
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