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公开(公告)号：CN101080515A
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：CN200580043234.3
申请日：2005-10-21
Applicant: 信越半导体股份有限公司
CPC classification number: C30B15/203 , C30B15/14 , C30B29/06
Abstract: 一种单晶的制造方法，是通过切克劳斯基法在处理室内从相同的坩埚中的原料熔液4，提拉二根以上单晶3之多重牵引(multi－pulling)法，针对在从原料熔液4提拉单晶3之后，没有关闭加热器7的电源而将多晶原料追加投入残留的原料熔液4中，将其熔解之后，提拉下一根单晶3，重复这些步骤来进行二根以上单晶3的提拉之单晶的制造方法，其特征为：在将使单晶3的晶身部成长时的提拉速度V和固液界面附近的提拉轴方向的结晶温度梯度G的比，设为V/G的情况，为了要将各个提拉的单晶3的V/G控制成规定值，按照从开始操作算起的经过时间，在开始提拉单晶之前，事前修正上述提拉速度V等的提拉条件，来生长具有所希望的缺陷区域之单晶3。
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公开(公告)号：CN101772595B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN200880102139.X
申请日：2008-07-30
Applicant: 信越半导体股份有限公司
IPC: C30B15/22
CPC classification number: C30B15/28 , C30B15/26 , Y10T117/1004
Abstract: 本发明提供一种单晶直径的检测方法及一种单晶提拉装置，该装置具备摄影机及测力计两者，用以检测所提拉的单晶的直径；该单晶直径的检测方法，是用以检测通过切克劳斯基法所培育的单晶的直径的方法，其特征在于：使用摄影机与测力计两者，各自检测单晶的直径，并根据摄影机的检测直径与通过测力计所算出的直径的差、及按照前述单晶的成长速度所预先求得的修正系数α，来修正前述摄影机的检测直径，并且将通过该修正所得到的值作为前述单晶的直径。借此，能够提升大口径、高重量结晶的直径测定精确度，且能够实现产率的提升及减少品质偏差。
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公开(公告)号：CN101772595A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN200880102139.X
申请日：2008-07-30
Applicant: 信越半导体股份有限公司
IPC: C30B15/22
CPC classification number: C30B15/28 , C30B15/26 , Y10T117/1004
Abstract: 本发明提供一种单晶直径的检测方法及一种单晶提拉装置，该装置具备摄影机及测力计两者，用以检测所提拉的单晶的直径；该单晶直径的检测方法，是用以检测通过切克劳斯基法所培育的单晶的直径的方法，其特征在于：使用摄影机与测力计两者，各自检测单晶的直径，并根据摄影机的检测直径与通过测力计所算出的直径的差、及按照前述单晶的成长速度所预先求得的修正系数α，来修正前述摄影机的检测直径，并且将通过该修正所得到的值作为前述单晶的直径。借此，能够提升大口径、高重量结晶的直径测定精确度，且能够实现产率的提升及减少品质偏差。
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公开(公告)号：CN101479411A
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200780024275.7
申请日：2007-05-28
Applicant: 信越半导体股份有限公司
CPC classification number: C30B15/203 , C30B29/06 , C30B35/00
Abstract: 本发明提供一种单晶硅的制造系统，是为了使通过采用切克劳斯基法(CZ法)的提拉装置制造出来的单晶硅的结晶品质在目标规格内，设计出将提拉速度F与结晶固液界面轴方向温度梯度G的值，控制在规定范围内的制造条件的制造系统，至少具备以下自动化的手段：手段1，根据前一批制造出来的单晶硅的结晶品质结果，暂时设计下一批要制造的单晶硅的制造条件；手段2，根据起因于在下一批所使用的提拉装置的组成构件而造成的F及/或G的变化量，来算出修正量；手段3，根据起因于下一批的制造步骤而造成的F及/或G的变化量，来算出修正量；以及手段4，将依据手段2及/或上述手段3所算出的修正量，加入由手段1所设计的制造条件中，来算出下一批的制造条件。借此，可以提供一种单晶硅的制造系统及使用此制造系统之单晶硅的制造方法，能够更确实地得到具有所希望的结晶品质的单晶硅，并提高生产性和良率等。
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