公开(公告)号：CN103370451B

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201280007837.8

申请日：2012-01-05

Applicant: 信越半导体股份有限公司

Inventor： 岩崎淳 ,  园川将 ,  竹安志信

IPC: C30B15/00

CPC classification number: C30B15/10 ,  C30B15/00 ,  C30B15/30 ,  C30B29/06 ,  Y10T117/1072

Abstract: 本发明是一种单晶制造装置，其是利用CZ法的单晶制造装置，其具备：坩埚，该坩埚用以保持原料熔液；可升降的支架，该可升降的支架支持该坩埚；坩埚旋转轴，该坩埚旋转轴经由该支架使前述坩埚旋转；及，漏液盛接容器，该漏液盛接容器配置于前述坩埚的下方，并以围绕前述支架的方式设置有中心套筒，其特征在于，在前述支架的外周部上设置有2个以上的槽，以抑制从前述坩埚中泄漏出来的前述原料熔液滴落。由此，本发明提供一种单晶制造装置及单晶制造方法，即使在因意外事故等导致坩埚内的原料熔液流出至坩埚外，并沿着支架流下来的情况下，仍然可以确实地防止熔液到达支架下方的金属部，并将装置损坏和事故发生防患于未然。

公开(公告)号：CN103370451A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201280007837.8

申请日：2012-01-05

Applicant: 信越半导体股份有限公司

Inventor： 岩崎淳 ,  园川将 ,  竹安志信

IPC: C30B15/00

CPC classification number: C30B15/10 ,  C30B15/00 ,  C30B15/30 ,  C30B29/06 ,  Y10T117/1072

Abstract: 本发明是一种单晶制造装置，其是利用CZ法的单晶制造装置，其具备：坩埚，该坩埚用以保持原料熔液；可升降的支架，该可升降的支架支持该坩埚；坩埚旋转轴，该坩埚旋转轴经由该支架使前述坩埚旋转；及，漏液盛接容器，该漏液盛接容器配置于前述坩埚的下方，并以围绕前述支架的方式设置有中心套筒，其特征在于，在前述支架的外周部上设置有2个以上的槽，以抑制从前述坩埚中泄漏出来的前述原料熔液滴落。由此，本发明提供一种单晶制造装置及单晶制造方法，即使在因意外事故等导致坩埚内的原料熔液流出至坩埚外，并沿着支架流下来的情况下，仍然可以确实地防止熔液到达支架下方的金属部，并将装置损坏和事故发生防患于未然。