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公开(公告)号：CN102725823B
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201080062579.4
申请日：2010-12-27
Applicant: 信越半导体股份有限公司
Inventor： 加藤忠弘
CPC classification number: H01L21/76256 , H01L21/304
Abstract: 本发明是一种贴合晶片的制造方法，至少贴合外周经过倒角的结合晶片和基体晶片，并将所述结合晶片薄膜化，由此来制造贴合晶片，所述贴合晶片的制造方法的特征在于，所述结合晶片的薄膜化具有：第1工序，将所述结合晶片平面磨削至第1特定厚度；第2工序，去除所述经过平面磨削的结合晶片的外周部；及，第3工序，将所述结合晶片平面磨削并薄膜化至第2特定厚度。由此，本发明提供一种贴合晶片的制造方法，可以在短时间内制造一种贴合晶片，不改变基体晶片的形状，结合晶片的直径减少得以被尽量抑制，并且在SOI层等经过薄膜化的结合晶片外周部上无豁口，而且不会剥落。
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公开(公告)号：CN101939136B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN200980104427.3
申请日：2009-01-23
Applicant: 信越半导体股份有限公司
IPC: B24B7/17 , B24B41/06 , B24D3/00 , B24D3/14 , H01L21/304
CPC classification number: B24B41/067 , B24B37/28
Abstract: 本发明是一种工件的双面磨削装置，至少具备：可自转的工件保持器，其沿着径向，从外周侧来支撑薄板状的工件；一对静压支撑构件，其位于该工件保持器两侧，沿着自转的轴向，从两侧通过流体的静压，非接触支撑工件保持器；以及一对砥石，其同时地磨削被上述工件保持器支撑的工件的两面；其特征在于：上述工件保持器与上述静压支撑构件的间隔是50μm以下，且上述静压支撑构件以0.3MPa以上的上述流体的静压，来支撑上述工件保持器。由此，提供一种工件的双面磨削装置及双面磨削方法，在工件的双面磨削中，可使成为工件的纳米形貌恶化的重要原因的沿着从外周侧来支撑工件的工件保持器的自转的轴向的位置稳定化。
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公开(公告)号：CN101861230A
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200880116667.0
申请日：2008-11-17
Applicant: 信越半导体股份有限公司
IPC: B24B27/06 , B28D5/04 , H01L21/304
CPC classification number: B28D5/045 , B24B27/0633 , B28D5/0082
Abstract: 本发明是一种线锯，通过将切断用钢线卷绕在多个滚筒的周边上而形成钢线列，所述切断用钢线在轴方向被往复驱动，一边供给浆液至该切断用钢线，一边对于所述钢线列切入进给工件，由此将该工件同时在轴方向并列的多处切断，其特征在于：该线锯控制成为在所述工件切断后，在由所述钢线列拔出该工件时，一边使钢线以2m/min以下的速度行进，一边拔出工件。由此提供一种线锯，利用简单的结构，便不会对于通过线锯的钢线列切断的工件的切断面造成不良影响，而从所述钢线列拔出已经完成切断的工件。
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公开(公告)号：CN104284755B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201380023886.5
申请日：2013-02-14
Applicant: 信越半导体股份有限公司 , 快递股份有限公司
IPC: B24B9/00 , H01L21/304
CPC classification number: B24B9/065 , B24B27/0069 , B24B27/0076 , H01L21/304
Abstract: 提供一种外周研磨装置，能够对坡口角度不同的工件的边缘进行研磨。对工件(W)的表面侧及背面侧的边缘(Ea、Eb)进行研磨的边缘研磨单元(2A、2B)具有：研磨部件安装体(11)，其安装有研磨部件(10)；安装体支承部件(12)，其倾转自如地支承该研磨部件安装体(11)；安装体用角度调整机构(13)，其调整所述研磨部件安装体(11)的倾斜角度；摆动支承基座(15)，其以沿着摆动直线摆动自如的方式支承所述安装体支承部(12)；基座支承部(17)，其倾转自如地支承该摆动支承基座(15)；基座用角度调整机构(18)，其以与所述工件(W)的边缘(Eb)平行的方式调整所述摆动支承基座(15)的倾斜角度；以及基台部(19)，其以能够在垂直方向和水平方向上进行位置校正的方式支承所述基座支承部(17)。
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公开(公告)号：CN101861230B
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN200880116667.0
申请日：2008-11-17
Applicant: 信越半导体股份有限公司
IPC: H01L21/304 , B24B27/06 , B28D5/04
CPC classification number: B28D5/045 , B24B27/0633 , B28D5/0082
Abstract: 本发明是一种线锯，通过将切断用钢线卷绕在多个滚筒的周边上而形成钢线列，所述切断用钢线在轴方向被往复驱动，一边供给浆液至该切断用钢线，一边对于所述钢线列切入进给工件，由此将该工件同时在轴方向并列的多处切断，其特征在于：该线锯控制成为在所述工件切断后，在由所述钢线列拔出该工件时，一边使钢线以2m/min以下的速度行进，一边拔出工件。由此提供一种线锯，利用简单的结构，便不会对于通过线锯的钢线列切断的工件的切断面造成不良影响，而从所述钢线列拔出已经完成切断的工件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101253021B
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200680031869.6
申请日：2006-08-09
Applicant: 信越半导体股份有限公司
IPC: B24B27/06 , B24B47/04 , B28D5/04 , H01L21/304
CPC classification number: B28D5/045 , B23D57/0046 , B24B27/0633 , B28D5/0082
Abstract: 本发明提供一种改善晶片表面的纳米形貌的方法，用于改善通过线锯装置切割晶棒而成的晶片表面的纳米形貌的方法，改善线锯装置所具备的进给平台的进给直线度，该进给平台是用以将晶棒往将钢线卷绕在多个滚轮之间所形成的钢线列进给；以及提供一种用来切割晶棒以制造晶片的线锯装置，其具备：将钢线卷绕在多个滚轮之间而形成的钢线列，用以固定晶棒而将其往钢线列进给的进给平台，以及用以将进给平台直线状地导引的直线导轨；进给平台的进给直线度，其波长20～200mm的成分满足PV值≤1.0μm。由此，提供一种通过消除具有周期性的切片波纹度而改善晶片表面的纳米形貌的方法及线锯装置。
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公开(公告)号：CN102026774B
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN200980116945.7
申请日：2009-04-20
Applicant: 信越半导体股份有限公司
IPC: B24B7/17 , H01L21/304
Abstract: 本发明是一种两头磨削装置，至少具备：环状且可作自转的保持器，其对于具有用以表示结晶方位的凹槽的薄板状芯片，具有与上述凹槽卡合的突起部，且沿着径向从外周侧来支撑该芯片；一对砥石，其同时磨削已通过上述保持器而被支撑的芯片的两面；在上述保持器上，除了与上述结晶方位用的凹槽卡合的突起部以外，至少设有一个以上的突起部，并使该突起部与已形成于上述芯片上的芯片支撑用的凹槽卡合，来支撑芯片且使其旋转，并利用上述一对砥石，同时磨削上述芯片的两面。由此，可提供一种两头磨削装置及芯片的制造方法，在两头磨削中，能抑制芯片的凹槽周边的变形来改善纳米形貌，且降低芯片及保持器的破损率，并能提高制品的成品率与降低装置成本。
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公开(公告)号：CN102026774A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200980116945.7
申请日：2009-04-20
Applicant: 信越半导体股份有限公司
IPC: B24B7/17 , H01L21/304
Abstract: 本发明是一种两头磨削装置，至少具备：环状且可作自转的保持器，其对于具有用以表示结晶方位的凹槽的薄板状芯片，具有与上述凹槽卡合的突起部，且沿着径向从外周侧来支撑该芯片；一对砥石，其同时磨削已通过上述保持器而被支撑的芯片的两面；在上述保持器上，除了与上述结晶方位用的凹槽卡合的突起部以外，至少设有一个以上的突起部，并使该突起部与已形成于上述芯片上的芯片支撑用的凹槽卡合，来支撑芯片且使其旋转，并利用上述一对砥石，同时磨削上述芯片的两面。由此，可提供一种两头磨削装置及芯片的制造方法，在两头磨削中，能抑制芯片的凹槽周边的变形来改善纳米形貌，且降低芯片及保持器的破损率，并能提高制品的成品率与降低装置成本。
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公开(公告)号：CN101253021A
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200680031869.6
申请日：2006-08-09
Applicant: 信越半导体股份有限公司
IPC: B24B27/06 , B24B47/04 , B28D5/04 , H01L21/304
CPC classification number: B28D5/045 , B23D57/0046 , B24B27/0633 , B28D5/0082
Abstract: 本发明提供一种改善晶片表面的纳米形貌的方法，用于改善通过线锯装置切割晶棒而成的晶片表面的纳米形貌的方法，改善线锯装置所具备的进给平台的进给直线度，该进给平台是用以将晶棒往将钢线卷绕在多个滚轮之间所形成的钢线列进给；以及提供一种用来切割晶棒以制造晶片的线锯装置，其具备：将钢线卷绕在多个滚轮之间而形成的钢线列，用以固定晶棒而将其往钢线列进给的进给平台，以及用以将进给平台直线状地导引的直线导轨；进给平台的进给直线度，其波长20～200mm的成分满足PV值≤1.0μm。由此，提供一种通过消除具有周期性的切片波纹度而改善晶片表面的纳米形貌的方法及线锯装置。
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公开(公告)号：CN104284755A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201380023886.5
申请日：2013-02-14
Applicant: 信越半导体股份有限公司 , 快递股份有限公司
IPC: B24B9/00 , H01L21/304
CPC classification number: B24B9/065 , B24B27/0069 , B24B27/0076 , H01L21/304
Abstract: 提供一种外周研磨装置，能够对坡口角度不同的工件的边缘进行研磨。对工件(W)的表面侧及背面侧的边缘(Ea、Eb)进行研磨的边缘研磨单元(2A、2B)具有：研磨部件安装体(11)，其安装有研磨部件(10)；安装体支承部件(12)，其倾转自如地支承该研磨部件安装体(11)；安装体用角度调整机构(13)，其调整所述研磨部件安装体(11)的倾斜角度；摆动支承基座(15)，其以沿着摆动直线摆动自如的方式支承所述安装体支承部(12)；基座支承部(17)，其倾转自如地支承该摆动支承基座(15)；基座用角度调整机构(18)，其以与所述工件(W)的边缘(Eb)平行的方式调整所述摆动支承基座(15)的倾斜角度；以及基台部(19)，其以能够在垂直方向和水平方向上进行位置校正的方式支承所述基座支承部(17)。
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