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公开(公告)号：CN101517710B
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN200780034238.4
申请日：2007-08-22
Applicant: 信越半导体股份有限公司
IPC: H01L21/304 , B24B27/06 , B28D5/04
CPC classification number: B28D5/0064 , B24B27/0633 , B28D5/007 , B28D5/045 , Y10T83/0443 , Y10T83/9292 , Y10T117/10 , Y10T117/1004
Abstract: 提供一种切断方法，是将钢线卷绕于多个附凹沟滚筒，一边供给切断用浆液至该附凹沟滚筒，一边使上述钢线行进地压抵晶棒，将其切断成晶片状的方法，其特征在于：预先一边控制切断用浆液的供给温度，将其供给至附凹沟滚筒，一边进行切断晶棒的试验，来调查附凹沟滚筒的轴方向位移与切断用浆液的供给温度的关系，然后由该附凹沟滚筒的轴方向位移与切断用浆液的供给温度的关系来设定切断用浆液的供给温度曲线，并基于该供给温度曲线供给上述切断用浆液，以此一边控制附凹沟滚筒的轴方向位移一边切断晶棒，使要被切断的晶片全部的弯度集中于一方向。以此，可提供一种切断方法，使用线锯切断晶棒时，可简单且再现性良好地集中晶片全部的弯曲于一方向。
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公开(公告)号：CN101253021A
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200680031869.6
申请日：2006-08-09
Applicant: 信越半导体股份有限公司
IPC: B24B27/06 , B24B47/04 , B28D5/04 , H01L21/304
CPC classification number: B28D5/045 , B23D57/0046 , B24B27/0633 , B28D5/0082
Abstract: 本发明提供一种改善晶片表面的纳米形貌的方法，用于改善通过线锯装置切割晶棒而成的晶片表面的纳米形貌的方法，改善线锯装置所具备的进给平台的进给直线度，该进给平台是用以将晶棒往将钢线卷绕在多个滚轮之间所形成的钢线列进给；以及提供一种用来切割晶棒以制造晶片的线锯装置，其具备：将钢线卷绕在多个滚轮之间而形成的钢线列，用以固定晶棒而将其往钢线列进给的进给平台，以及用以将进给平台直线状地导引的直线导轨；进给平台的进给直线度，其波长20～200mm的成分满足PV值≤1.0μm。由此，提供一种通过消除具有周期性的切片波纹度而改善晶片表面的纳米形貌的方法及线锯装置。
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公开(公告)号：CN101517711A
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200780034327.9
申请日：2007-08-22
Applicant: 信越半导体股份有限公司
IPC: H01L21/304 , B24B27/06 , B28D5/04
CPC classification number: B28D5/045 , B28D5/0064 , B28D5/007
Abstract: 本发明提供一种切断方法，该切断方法是将钢线卷绕于多个附凹沟滚筒，一边供给切断用浆液至该附凹沟滚筒，一边使上述钢线行进地压抵晶棒，将该晶棒切断成晶片状的方法，该方法控制上述切断用浆液的供给温度，以至少在上述晶棒的切断结束时使上述切断用浆液的供给温度与晶棒的温度成为30℃以上的方式来进行切断。由此，提供一种切断方法，其在利用线锯切断晶棒时，减轻在晶棒的切断结束时附近的晶棒的急剧冷却，并因此可抑制纳米形貌的发生。
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公开(公告)号：CN101517710A
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200780034238.4
申请日：2007-08-22
Applicant: 信越半导体股份有限公司
IPC: H01L21/304 , B24B27/06 , B28D5/04
CPC classification number: B28D5/0064 , B24B27/0633 , B28D5/007 , B28D5/045 , Y10T83/0443 , Y10T83/9292 , Y10T117/10 , Y10T117/1004
Abstract: 提供一种切断方法，是将钢线卷绕于多个附凹沟滚筒，一边供给切断用浆液至该附凹沟滚筒，一边使上述钢线行进地压抵晶棒，将其切断成晶片状的方法，其特征在于：预先一边控制切断用浆液的供给温度，将其供给至附凹沟滚筒，一边进行切断晶棒的试验，来调查附凹沟滚筒的轴方向位移与切断用浆液的供给温度的关系，然后由该附凹沟滚筒的轴方向位移与切断用浆液的供给温度的关系来设定切断用浆液的供给温度曲线，并基于该供给温度曲线供给上述切断用浆液，以此一边控制附凹沟滚筒的轴方向位移一边切断晶棒，使要被切断的晶片全部的弯度集中于一方向。以此，可提供一种切断方法，使用线锯切断晶棒时，可简单且再现性良好地集中晶片全部的弯曲于一方向。
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公开(公告)号：CN101516573B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200780034317.5
申请日：2007-08-08
Applicant: 信越半导体股份有限公司
IPC: B24B57/02 , B24B27/06 , B28D5/04 , H01L21/304
CPC classification number: B28D5/0076
Abstract: 本发明提供一种切断方法，是将钢线卷绕于多个附凹沟滚筒，一边供给切断用浆液至该附凹沟滚筒，一边使上述钢线行进地压抵晶棒，将晶棒切断成晶片状的方法，该方法仅从上述晶棒的切入深度至少达直径的2/3开始至切断结束为止之间，将晶棒调温用浆液，与上述切断用浆液互相独立且控制供给温度地供给至该晶棒，由此控制切入深度为直径2/3以上时的晶棒的冷却速度来进行切断。由此，提供一种切断方法，利用线锯来切断晶棒时，减轻晶棒的切断结束时附近的晶棒的急剧地冷却，其结果，可抑制纳米形貌的发生，且切断成为厚度均匀的高质量晶片。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101622098A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200880006116.9
申请日：2008-01-24
Applicant: 信越半导体股份有限公司
CPC classification number: B28D5/0064 , B28D5/0076 , B28D5/045
Abstract: 本发明是一种切断方法，是将钢线卷绕于多个附凹沟滚筒，一边供给切断用浆液至该附凹沟滚筒，一边使上述钢线行进地压抵晶棒，将其切断成芯片状的方法，其特征在于：切断上述晶棒时，测定于轴方向变化的晶棒的位移量，然后对应该测定的晶棒的轴方向的位移量，来控制上述附凹沟滚筒的轴方向的位移量，以此，一边控制相对于在上述轴方向变化的晶棒的全长的上述钢线的相对位置，一边切断晶棒。以此，提供一种切断方法与线锯装置，控制晶棒的切断轨迹，可降低例如被切断后的芯片的弯曲度和翘曲度等，特别是可切断成平坦状。
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公开(公告)号：CN101516573A
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200780034317.5
申请日：2007-08-08
Applicant: 信越半导体股份有限公司
IPC: B24B57/02 , B24B27/06 , B28D5/04 , H01L21/304
CPC classification number: B28D5/0076
Abstract: 本发明提供一种切断方法，是将钢线卷绕于多个附凹沟滚筒，一边供给切断用浆液至该附凹沟滚筒，一边使上述钢线行进地压抵晶棒，将晶棒切断成晶片状的方法，该方法仅从上述晶棒的切入深度至少达直径的2/3开始至切断结束为止之间，将晶棒调温用浆液，与上述切断用浆液互相独立且控制供给温度地供给至该晶棒，由此控制切入深度为直径2/3以上时的晶棒的冷却速度来进行切断。由此，提供一种切断方法，利用线锯来切断晶棒时，减轻晶棒的切断结束时附近的晶棒的急剧地冷却，其结果，可抑制纳米形貌的发生，且切断成为厚度均匀的高质量晶片。
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公开(公告)号：CN101622098B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN200880006116.9
申请日：2008-01-24
Applicant: 信越半导体股份有限公司
CPC classification number: B28D5/0064 , B28D5/0076 , B28D5/045
Abstract: 本发明是一种切断方法，是将钢线卷绕于多个附凹沟滚筒，一边供给切断用浆液至该附凹沟滚筒，一边使上述钢线行进地压抵晶棒，将其切断成芯片状的方法，其特征在于：切断上述晶棒时，测定于轴方向变化的晶棒的位移量，然后对应该测定的晶棒的轴方向的位移量，来控制上述附凹沟滚筒的轴方向的位移量，以此，一边控制相对于在上述轴方向变化的晶棒的全长的上述钢线的相对位置，一边切断晶棒。以此，提供一种切断方法与线锯装置，控制晶棒的切断轨迹，可降低例如被切断后的芯片的弯曲度和翘曲度等，特别是可切断成平坦状。
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公开(公告)号：CN101517711B
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN200780034327.9
申请日：2007-08-22
Applicant: 信越半导体股份有限公司
IPC: H01L21/304 , B24B27/06 , B28D5/04
CPC classification number: B28D5/045 , B28D5/0064 , B28D5/007
Abstract: 本发明提供一种切断方法，该切断方法是将钢线卷绕于多个附凹沟滚筒，一边供给切断用浆液至该附凹沟滚筒，一边使上述钢线行进地压抵晶棒，将该晶棒切断成晶片状的方法，该方法控制上述切断用浆液的供给温度，以至少在上述晶棒的切断结束时使上述切断用浆液的供给温度与晶棒的温度成为30℃以上的方式来进行切断。由此，提供一种切断方法，其在利用线锯切断晶棒时，减轻在晶棒的切断结束时附近的晶棒的急剧冷却，并因此可抑制纳米形貌的发生。
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公开(公告)号：CN101253021B
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200680031869.6
申请日：2006-08-09
Applicant: 信越半导体股份有限公司
IPC: B24B27/06 , B24B47/04 , B28D5/04 , H01L21/304
CPC classification number: B28D5/045 , B23D57/0046 , B24B27/0633 , B28D5/0082
Abstract: 本发明提供一种改善晶片表面的纳米形貌的方法，用于改善通过线锯装置切割晶棒而成的晶片表面的纳米形貌的方法，改善线锯装置所具备的进给平台的进给直线度，该进给平台是用以将晶棒往将钢线卷绕在多个滚轮之间所形成的钢线列进给；以及提供一种用来切割晶棒以制造晶片的线锯装置，其具备：将钢线卷绕在多个滚轮之间而形成的钢线列，用以固定晶棒而将其往钢线列进给的进给平台，以及用以将进给平台直线状地导引的直线导轨；进给平台的进给直线度，其波长20～200mm的成分满足PV值≤1.0μm。由此，提供一种通过消除具有周期性的切片波纹度而改善晶片表面的纳米形貌的方法及线锯装置。
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