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公开(公告)号：CN100381526C
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200410031386.9
申请日：2004-03-26
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 松下电器产业株式会社
IPC: C09D183/04 , H01L21/312
CPC classification number: H01L21/02126 , C09D183/04 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/31695
Abstract: 根据本发明，用半导体工艺中常用的方法，很容易制备任意控制膜厚的薄膜。本发明提供了形成多孔膜的涂覆液，该多孔膜具有优良的介电常数及机械特性。具体地，形成多孔膜的涂覆液是含有缩合物及有机溶剂的多孔膜组合物，所述的缩合物是从至少一种选自用通式(X2O)i(SiO2)j(H2O)k表示的硅酸盐化合物和用通式(X2O)a(RSiO1.5)b(H2O)c表示的有机硅酸盐化合物在酸存在下缩合得到的。由此可制造用于半导体制造工艺的，具有足够机械强度和介电常数的多孔绝缘膜。
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公开(公告)号：CN1542071A
公开(公告)日：2004-11-03
申请号：CN200410031386.9
申请日：2004-03-26
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 松下电器产业株式会社
IPC: C09D183/04 , H01L21/312
CPC classification number: H01L21/02126 , C09D183/04 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/31695
Abstract: 根据本发明，用半导体工艺中常用的方法，很容易制备任意控制膜厚的薄膜。本发明提供了形成多孔膜的涂覆液，该多孔膜具有优良的介电常数及机械特性。具体地，形成多孔膜的涂覆液是含有缩合物及有机溶剂的多孔膜组合物，所述的缩合物是从至少一种选自用通式(X2O)i(SiO2)j(H2O)k表示的硅酸盐化合物和用通式(X2O)a(RSiO1.5)b(H2O)c表示的有机硅酸盐化合物在酸存在下缩合得到的。由此可制造用于半导体制造工艺的，具有足够机械强度和介电常数的多孔绝缘膜。
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公开(公告)号：CN100467541C
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200510005885.5
申请日：2005-01-27
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 松下电器产业株式会社
IPC: C08L83/04 , C08K3/36 , C08J5/18 , H01L21/312
CPC classification number: H01L21/02126 , C08G77/06 , C08G77/08 , C09D183/02 , C09D183/04 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/31695
Abstract: 本发明提供了一种用于形成具有优良机械强度和介电常数的多孔膜的涂布液和用于在通常使用的半导体制造工艺中易于形成膜厚度可自由控制的膜的涂布液。更具体来说，本发明提供了一种制备多孔膜形成用组合物的方法，该方法包含制备聚硅氧烷粒子、二氧化硅粒子或沸石粒子(组分A)的步骤、赋予组分A交联性的步骤、和暂时终止交联性的步骤；以及用该方法可得到的多孔膜形成用组合物。此外，本发明也提供了一种形成多孔膜的方法，该方法包括通过制备组分A的步骤、赋予组分A交联性的步骤、和加入交联性抑制剂以暂时终止交联性的步骤来制备多孔膜形成用组合物；将多孔膜形成用组合物施用于衬底上形成膜，干燥该膜，通过加热该干燥膜在去除交联性抑制剂的同时使粒子交联。
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公开(公告)号：CN1651515A
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：CN200510005885.5
申请日：2005-01-27
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 松下电器产业株式会社
IPC: C08L83/04 , C08K3/36 , C08J5/18 , H01L21/312
CPC classification number: H01L21/02126 , C08G77/06 , C08G77/08 , C09D183/02 , C09D183/04 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/31695
Abstract: 本发明提供了一种用于形成具有优良机械强度和介电常数的多孔膜的涂布液和用于在通常使用的半导体制造工艺中易于形成膜厚度可自由控制的膜的涂布液。更具体来说，本发明提供了一种制备多孔膜形成用组合物的方法，该方法包含制备聚硅氧烷粒子、二氧化硅粒子或沸石粒子(组分A)的步骤、赋予组分A交联性的步骤、和暂时终止交联性的步骤；以及用该方法可得到的多孔膜形成用组合物。此外，本发明也提供了一种形成多孔膜的方法，该方法包括通过制备组分A的步骤、赋予组分A交联性的步骤、和加入交联性抑制剂以暂时终止交联性的步骤来制备多孔膜形成用组合物；将多孔膜形成用组合物施用于衬底上形成膜，干燥该膜，通过加热该干燥膜在去除交联性抑制剂的同时使粒子交联。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1536023A
公开(公告)日：2004-10-13
申请号：CN200410031387.3
申请日：2004-03-26
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/3124 , H01L21/31695 , H01L23/5222 , H01L23/5329 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的是提供介电常数为2.2或更低的，并具有实用价值的机械强度的多孔膜，本发明提供了形成多孔膜的组合物，该组合物包括组分(A)和(B)：(A)100重量份的至少一种可水解的硅化合物和/或至少一种下式(1)表示的硅化合物水解缩合的产物：R1aSiZ14－a(1)；其中Z1表示可水解的基团；R1表示取代或未取代的一价烃基；以及a是0－3的整数；和(B)0.1－20重量份含有至少一种环状低聚物的交联剂，所述的低聚物在受热时可产生一种或多种硅烷醇基团，并用下述式(3)表示：{R31(H)SiO}d{R32(Z3)SiO}e(3)其中R31和R32各自表示取代或未取代的一价烃基；Z3表示受热时可以产生硅醇基的基团；和d和e各自表示0－10的整数，d和e之和大于或等于3。
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公开(公告)号：CN101649177B
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN200910167032.X
申请日：2009-08-14
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C09J183/00 , C09J5/00 , H01L21/50
CPC classification number: C09J183/14 , C08G77/50 , C08G77/52 , C08G77/54 , H01L21/187 , H01L23/296 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L25/50 , H01L2224/29191 , H01L2224/2929 , H01L2224/29298 , H01L2224/83801 , H01L2224/83855 , H01L2225/06513 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/0101 , H01L2924/01011 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01016 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01027 , H01L2924/01033 , H01L2924/01056 , H01L2924/01082 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/19042 , H01L2924/351 , H01L2924/0715 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299
Abstract: 提供一种高温粘结组合物，它包括硅基础聚合物作为热固性粘合剂。由含硅烷化合物的缩合物前体的脱水缩合获得硅基础聚合物，其中所述硅烷化合物具有通过由脂族烃基、杂环或芳烃基组成的交联键连接的至少一对硅原子，和具有至少三个羟基和/或可水解基团。相对于在所述硅基础聚合物内的所有硅原子，具有与由脂族烃基、含杂环的基团或含芳环的烃基组成的交联键的直接键合的那些硅原子的存在比例为至少90mol％。
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公开(公告)号：CN101649177A
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200910167032.X
申请日：2009-08-14
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C09J183/00 , C09J5/00 , H01L21/50
CPC classification number: C09J183/14 , C08G77/50 , C08G77/52 , C08G77/54 , H01L21/187 , H01L23/296 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L25/50 , H01L2224/29191 , H01L2224/2929 , H01L2224/29298 , H01L2224/83801 , H01L2224/83855 , H01L2225/06513 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/0101 , H01L2924/01011 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01016 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01027 , H01L2924/01033 , H01L2924/01056 , H01L2924/01082 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/19042 , H01L2924/351 , H01L2924/0715 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299
Abstract: 提供一种高温粘结组合物，它包括硅基础聚合物作为热固性粘合剂。由含硅烷化合物的缩合物前体的脱水缩合获得硅基础聚合物，其中所述硅烷化合物具有通过由脂族烃基、杂环或芳烃基组成的交联键连接的至少一对硅原子，和具有至少三个羟基和/或可水解基团。相对于在所述硅基础聚合物内的所有硅原子，具有与由脂族烃基、含杂环的基团或含芳环的烃基组成的交联键的直接键合的那些硅原子的存在比例为至少90mol％。
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公开(公告)号：CN101651107B
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN200910167033.4
申请日：2009-08-14
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: H01L21/2007 , H01L2924/0002 , Y10T156/10 , H01L2924/00
Abstract: 通过在基材的接合表面之间布置接合层的前体涂层，并加热该前体涂层，形成接合层，从而将各自具有接合表面的一对基材连接在一起。在连接步骤之前，提供在接合表面上的基材透气层。甚至当热固化时放出显著大量气体的材料用作前体涂层时，可借助坚固的接合，连接基材且没有因气体排放引起的剥离问题。
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公开(公告)号：CN101651107A
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200910167033.4
申请日：2009-08-14
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: H01L21/2007 , H01L2924/0002 , Y10T156/10 , H01L2924/00
Abstract: 通过在基材的接合表面之间布置接合层的前体涂层，并加热该前体涂层，形成接合层，从而将各自具有接合表面的一对基材连接在一起。在连接步骤之前，提供在接合表面上的基材透气层。甚至当热固化时放出显著大量气体的材料用作前体涂层时，可借助坚固的接合，连接基材且没有因气体排放引起的剥离问题。
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