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公开(公告)号：CN105244358B
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201510549978.8
申请日：2012-02-09
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及一种固态图像拾取装置、其制造方法和图像拾取系统。提供一种用于制造固态图像拾取装置的方法。所述图像拾取装置包括光电转换部分、在光电转换部分之上的第一绝缘膜、在第一绝缘膜上的第二绝缘膜、以及波导，所述光电转换部分设置在半导体衬底上，所述第一绝缘膜用作抗反射膜，所述第二绝缘膜与所述光电转换部分对应地设置，所述波导具有包层和芯，所述芯的底部设置在第二绝缘膜上。所述方法包括通过各向异性蚀刻设置在光电转换部分之上的部件的一部分来形成开口，从而形成包层，并在所述开口中形成芯。在所述方法中，在第二绝缘膜的蚀刻速率低于所述部件的蚀刻速率的条件下执行所述蚀刻。
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公开(公告)号：CN101118919B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200710143752.3
申请日：2007-08-02
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/335 , H04N5/225
CPC classification number: H01L27/14616 , H01L27/14609 , H01L27/14612 , H01L27/14689
Abstract: 一种光电转换器件，包括：光电转换区域，其具有多个光电转换元件和配置为响应每个光电转换元件的电荷而读取信号的第一MOS晶体管；以及外围电路区域，其具有配置为驱动所述第一MOS晶体管和/或放大从所述光电转换区域读取的信号的第二MOS晶体管，并且所述光电转换区域和所述外围电路区域位于同一半导体衬底上，其中所述第一MOS晶体管的漏极中的杂质浓度低于所述第二MOS晶体管的漏极中的杂质浓度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101609813A
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200910151873.1
申请日：2007-08-02
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/822 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14616 , H01L27/14609 , H01L27/14612 , H01L27/14689
Abstract: 本发明公开光电转换器件的制造方法，该器件包括：光电转换区域，具有多个光电转换元件和响应每个光电转换元件的电荷读取信号的第一MOS晶体管；外围电路区域，具有驱动第一MOS晶体管和/或放大从光电转换区域读取的信号的第二MOS晶体管，光电转换区域和外围电路区域位于同一半导体衬底上。该方法包括：形成第一和第二MOS晶体管的栅电极；用栅电极作为掩模注入第一导电类型杂质离子；形成绝缘膜以覆盖光电转换区域和外围电路区域；在通过掩模保护光电转换区域上的绝缘膜时，通过回蚀刻去除外围电路区域上的绝缘膜，并形成第二MOS晶体管的侧面间隔件；用光电转换区域上的绝缘膜和侧面间隔件作为掩模，注入第一导电类型杂质离子。
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公开(公告)号：CN105244358A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201510549978.8
申请日：2012-02-09
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14685 , H01L27/14629 , H01L27/14632 , H01L27/14641 , H01L27/14687 , H01L27/14689
Abstract: 本发明涉及一种固态图像拾取装置、其制造方法和图像拾取系统。提供一种用于制造固态图像拾取装置的方法。所述图像拾取装置包括光电转换部分、在光电转换部分之上的第一绝缘膜、在第一绝缘膜上的第二绝缘膜、以及波导，所述光电转换部分设置在半导体衬底上，所述第一绝缘膜用作抗反射膜，所述第二绝缘膜与所述光电转换部分对应地设置，所述波导具有包层和芯，所述芯的底部设置在第二绝缘膜上。所述方法包括通过各向异性蚀刻设置在光电转换部分之上的部件的一部分来形成开口，从而形成包层，并在所述开口中形成芯。在所述方法中，在第二绝缘膜的蚀刻速率低于所述部件的蚀刻速率的条件下执行所述蚀刻。
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公开(公告)号：CN102637708A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210027929.4
申请日：2012-02-09
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14685 , H01L27/14629 , H01L27/14632 , H01L27/14641 , H01L27/14687 , H01L27/14689
Abstract: 本发明涉及一种固态图像拾取装置、其制造方法和图像拾取系统。提供一种用于制造固态图像拾取装置的方法。所述图像拾取装置包括光电转换部分、在光电转换部分之上的第一绝缘膜、在第一绝缘膜上的第二绝缘膜、以及波导，所述光电转换部分设置在半导体衬底上，所述第一绝缘膜用作抗反射膜，所述第二绝缘膜与所述光电转换部分对应地设置，所述波导具有包层和芯，所述芯的底部设置在第二绝缘膜上。所述方法包括通过各向异性蚀刻设置在光电转换部分之上的部件的一部分来形成开口，从而形成包层，并在所述开口中形成芯。在所述方法中，在第二绝缘膜的蚀刻速率低于所述部件的蚀刻速率的条件下执行所述蚀刻。
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公开(公告)号：CN101609813B
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN200910151873.1
申请日：2007-08-02
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/822 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14616 , H01L27/14609 , H01L27/14612 , H01L27/14689
Abstract: 本发明公开光电转换器件的制造方法，该器件包括：光电转换区域，具有多个光电转换元件和响应每个光电转换元件的电荷读取信号的第一MOS晶体管；外围电路区域，具有驱动第一MOS晶体管和/或放大从光电转换区域读取的信号的第二MOS晶体管，光电转换区域和外围电路区域位于同一半导体衬底上。该方法包括：形成第一和第二MOS晶体管的栅电极；用栅电极作为掩模注入第一导电类型杂质离子；形成绝缘膜以覆盖光电转换区域和外围电路区域；在通过掩模保护光电转换区域上的绝缘膜时，通过回蚀刻去除外围电路区域上的绝缘膜，并形成第二MOS晶体管的侧面间隔件；用光电转换区域上的绝缘膜和侧面间隔件作为掩模，注入第一导电类型杂质离子。
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公开(公告)号：CN101118919A
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200710143752.3
申请日：2007-08-02
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/335 , H04N5/225
CPC classification number: H01L27/14616 , H01L27/14609 , H01L27/14612 , H01L27/14689
Abstract: 一种光电转换器件，包括：光电转换区域，其具有多个光电转换元件和配置为响应每个光电转换元件的电荷而读取信号的第一MOS晶体管；以及外围电路区域，其具有配置为驱动所述第一MOS晶体管和/或放大从所述光电转换区域读取的信号的第二MOS晶体管，并且所述光电转换区域和所述外围电路区域位于同一半导体衬底上，其中所述第一MOS晶体管的漏极中的杂质浓度低于所述第二MOS晶体管的漏极中的杂质浓度。
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