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公开(公告)号：CN102630343B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201080054061.6
申请日：2010-11-29
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14609 , H01L27/14683
Abstract: 根据本发明的固态图像拾取装置是包括分别具有光电转换部分的多个像素的背侧照明型固态图像拾取装置。收集空穴的p型半导体区域（110）被设置在PD基板（101）的前侧。n型半导体区域（119）在PD基板（101）的背侧被设置在p型半导体区域（110）下面。n型半导体区域（119）包含砷作为主要杂质。光电转换部分包含p型半导体区域（110）和n型半导体区域（119）。
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公开(公告)号：CN102244084B
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201110119054.6
申请日：2011-05-10
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 渡边高典
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14689 , H01L27/14641 , H01L27/14643
Abstract: 本申请公开了固态图像传感器的制造方法，该制造方法用于制造在基板上具有像素的传感器，各像素包含光电转换器、电荷-电压转换器和用于形成用于将光电转换器中的电荷传送到电荷-电压转换器的沟道的栅极，该方法包括：将离子注入到基板的要形成光电转换器的目标区域内的步骤，其中，该步骤被执行N次，在步骤中的每一个中，离子沿相对于基板表面的法线具有倾斜角的方向被注入，注入离子的目标区域在各步骤中不同，并且，对于各步骤，在基板上形成对于每N个像素具有开口的掩模，多个开口沿表面和由法线和该方向确定的平面之间的交线的方向周期性布置。
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公开(公告)号：CN102301473A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201080006217.3
申请日：2010-01-26
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 渡边高典
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/1464 , H01L27/14689
Abstract: 一种光电转换装置(100)包括：被设置在半导体基板(SB)中的多个光电转换单元(PD)；和被设置在半导体基板中的隔离部(103、104、105、106)。各光电转换单元包含：第二半导体区域(107)；被设置在第二半导体区域之下的第三半导体区域(109)和被设置在第三半导体区域之下的第四半导体区域(102)，并且，各隔离部包含：被设置在比半导体基板的表面更深的位置并且至少在第二半导体区域的侧方延伸的包含第一导电类型杂质的第五半导体区域(104)；和被设置在第五半导体区域之下并且至少在第三半导体区域的侧方延伸的包含第一导电类型杂质的第六半导体区域(105)，并且，包含于第五半导体区域中的杂质的扩散系数比包含于第六半导体区域中的杂质的扩散系数低。
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公开(公告)号：CN102017150A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200980115090.6
申请日：2009-04-30
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H04N5/378 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/14641 , H01L27/14643 , H04N5/359 , H04N5/37452 , H04N5/37457
Abstract: 一种包括多个像素(100)的固态成像装置，各像素包含：用于保持来自光电转换部分(101)的信号载流子的第一保持部分(103)，用于放大和读取基于在光电转换部分中产生的信号载流子的信号的放大部分(109)，以及用于将光电转换部分中的电荷载流子排出到OFD区域的载流子排出控制部分(111)；并在光电转换部分和第一保持部分之间具有载流子路径，其中，当从光电转换部分的输出节点观察时，固态成像装置还包括通过第一传送单元(104)与第一保持部分并联电连接的第二保持部分(105)，由此在抑制产生混入电荷载流子保持部分中的噪声的同时使动画成像平滑化而不导致不连续的帧。
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公开(公告)号：CN100595929C
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200810092645.7
申请日：2008-04-16
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L23/528 , H04N5/225
CPC classification number: H04N5/37457 , H01L27/14603 , H01L27/14605 , H01L27/14609 , H01L27/14612 , H01L27/1463 , H01L27/14636 , H01L27/14641 , H01L27/14643 , H01L27/14806 , H04N3/1506 , H04N5/3575 , H04N5/365 , H04N5/369 , H04N5/3741 , H04N5/37455
Abstract: 本发明公开一种在单位单元的区域中具有提高的布局对称性的光电转换装置和一种包含该光电转换装置的图像拾取设备。在光电转换装置中，多组单位像素被配置在阱中，其中，每一个单位像素包含光电转换元件、放大器晶体管和传输晶体管。光电转换装置包含用于给阱供给电压的线、用于将阱电压供给线连接到阱的阱接触部分以及用于控制传输晶体管的传输控制线。在单位像素组的各自区域中，传输控制线相对于阱电压供给线对称配置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118472085A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410160053.3
申请日：2024-02-05
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/102 , H01L31/0352 , H01L27/146
Abstract: 本发明涉及检测器和检测系统。检测器包括基板和形成在基板的主表面上方的绝缘膜。基板包括转换元件部分和部署在主表面的凹陷部分中的绝缘体区域。转换元件部分包括形成在主表面上并且具有第一导电类型的第一半导体区域、形成在主表面上并且具有第二导电类型的第二半导体区域、以及形成在第一半导体区域和第二半导体区域下方并且具有第一导电类型的第三半导体区域。在对于主表面的平面图中，绝缘体区域在至少一个方向上位于第一半导体区域与第二半导体区域之间。
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公开(公告)号：CN117092683A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202310541425.2
申请日：2023-05-15
Applicant: 佳能株式会社
IPC: G01T1/24 , G01T1/29 , H01L27/146
Abstract: 本发明涉及放射线检测器和放射线成像系统。一种放射线检测器包括：像素阵列，其中像素以矩阵形状排列，每个像素具有被配置为将放射线转换为电荷的放射线检测元件和被配置为放大来自放射线检测元件的信号并输出经放大的信号的放大晶体管；以及针对每个像素列提供的信号布线，其中，设有被形成为在平面视图中包围放射线检测元件的像素隔离结构，并且放大晶体管在平面视图中被布置在由像素隔离结构限定的区域内部。
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公开(公告)号：CN104241305A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410263602.6
申请日：2014-06-13
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L31/03529 , H01L27/14607 , H01L27/1461 , H01L27/14643 , H01L27/14689 , H01L27/14806 , H01L31/186
Abstract: 本发明公开了光电转换设备以及光电转换设备的制造方法。示例性实施例为一种光电转换设备，其具有光电转换部和传送部。传送部传送光电转换部的电荷。光电转换部包括第一导电类型的第一和第二半导体区域。通过光电转换生成的电荷累积在第一和第二半导体区域中。根据示例性实施例的第一和第二半导体区域的结构或者它们的制造方法，可在提高光电转换部的灵敏性的同时提高电荷的传送效率。
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公开(公告)号：CN102301477B
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201080006236.6
申请日：2010-01-20
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/14609 , H01L27/1464 , H01L27/14641 , H01L27/14689 , H01L29/7833
Abstract: 一种图像感测装置包括像素阵列和外围电路、列选择电路和读出电路，其中，各像素包含光电二极管、浮动扩散、向浮动扩散传送的传送PMOS晶体管、放大器PMOS晶体管和复位PMOS晶体管，放大器PMOS晶体管具有由n型导电图案形成的栅极，并且被第一元件隔离区域和至少覆盖第一元件隔离区域的下部的n型杂质区域隔离，并且，包含于列选择电路中的各PMOS晶体管具有由p型导电图案形成的栅极并且被第二元件隔离区域隔离，并且，与第二元件隔离区域的下部相邻的区域中的n型杂质浓度比n型杂质区域中的n型杂质浓度低。
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公开(公告)号：CN102630343A
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN201080054061.6
申请日：2010-11-29
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14609 , H01L27/14683
Abstract: 根据本发明的固态图像拾取装置是包括分别具有光电转换部分的多个像素的背侧照明型固态图像拾取装置。收集空穴的p型半导体区域（110）被设置在PD基板（101）的前侧。n型半导体区域（119）在PD基板（101）的背侧被设置在p型半导体区域（110）下面。n型半导体区域（119）包含砷作为主要杂质。光电转换部分包含p型半导体区域（110）和n型半导体区域（119）。
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