二极管元件和检测设备
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103650167A

    公开(公告)日:2014-03-19

    申请号:CN201280033860.4

    申请日:2012-06-27

    Abstract: 提供了解决常规横向二极管元件的问题的二极管元件、检测设备等。在常规元件中,半导体界面出现在其表面上的两个电极之间的电流路径中,并且因此,由该界面所引起的噪声大。该二极管元件包括:第一导电类型的低载流子浓度层(103);第一导电类型的高载流子浓度层(102);以及,在半导体表面上形成的肖特基电极(104)和欧姆电极(105)。低载流子层(103)具有低于高载流子层(102)的载流子浓度的载流子浓度。该二极管元件包括在欧姆电极(105)下面形成的第一导电类型的杂质引入区域(106),并包括第二导电类型的杂质引入区域(107),以便在肖特基电极(104)和欧姆电极(105)之间的半导体表面上不与肖特基电极(104)电接触。第二导电类型的区域(107)与第一导电类型的区域(106)接触。

    电磁THz波产生器件、电磁THz波检测器件和时域分光装置

    公开(公告)号:CN103097952A

    公开(公告)日:2013-05-08

    申请号:CN201180040604.3

    申请日:2011-08-08

    Abstract: 提供一种电磁波产生器件,该电磁波产生器件包括包含多个波导区段(101、104、107)的光学波导,使得合成的电磁波的主瓣(111)具有大致单一的大方向性。电磁波产生器件包括包含分别被夹在电介质(10、11)之间并包含非线性光学晶体的多个波导区段(101、104、107)的光学波导。波导区段被布置成使得由两个相邻的波导区段(101、104、107)中的光的传播方向形成的角度(2θc)基本上与2θc对应。当ng表示非线性光学晶体对于光的折射率,且εeff表示电介质(10、11)和波导区段(101、104、107)的组件对于电磁波的有效相对介电常数时,θc被定义为θc=cos-1(ng/√εeff)。

    具有负电阻元件的振荡器

    公开(公告)号:CN102484450A

    公开(公告)日:2012-05-30

    申请号:CN201080039684.6

    申请日:2010-08-13

    CPC classification number: H03B9/12

    Abstract: 振荡器具有负电阻元件和谐振器,以及相对于电源偏压电路与负电阻元件并联电连接的电容器,电容器的电容被选择为使得抑制由于电源偏压电路导致的任何寄生振荡并允许由于负电阻元件和谐振器导致的谐振频率上的振荡。

    整流器
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102113122B

    公开(公告)日:2013-12-11

    申请号:CN200980129467.3

    申请日:2009-07-27

    Inventor: 关口亮太

    Abstract: 本发明提供了出于与减小结构尺寸的观点不同的观点而可以增大截止频率的诸如检测器的整流器。该整流器包括:包括肖特基电极(111)的肖特基势垒部分(101);对于在肖特基势垒部分中的多数载流子具有整流特性的势垒部分(102);以及与具有整流特性的势垒部分电接触的欧姆电极(103),其中肖特基势垒部分和具有整流特性的势垒部分中的每一个具有其在一侧的坡度比另一侧的坡度大的不对称的能带轮廓,以及肖特基势垒部分和具有整流特性的势垒部分彼此连接使得能带轮廓的陡的坡度侧位于肖特基电极一侧。

    具有用于产生电磁波的负微分电阻器件的振荡器

    公开(公告)号:CN102577099A

    公开(公告)日:2012-07-11

    申请号:CN201080039014.4

    申请日:2010-09-03

    CPC classification number: H03B7/14 H03B7/08

    Abstract: 具有负电阻器件和谐振器的振荡器包含:与负电阻器件连接的传输线路;三端子器件,包含在端子部分处与传输线路的信号线路侧连接的第一端子、与传输线路的接地线路侧连接的第二端子、以及用于接收要对其施加的控制信号的第三端子;用于调整要向第三端子施加的控制信号的第一调整单元;以及用于调整要向第二端子施加的电压的第二调整单元,第一调整单元和第二调整单元适于分别调整所述控制信号和所述电压,以便使传输线路的特性阻抗与第一端子和第二端子间阻抗表现为阻抗匹配。稳定化电路的功耗速率可被减少。

    激光器装置
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101083383B

    公开(公告)日:2010-09-29

    申请号:CN200710108180.5

    申请日:2007-05-30

    Abstract: 一种激光器装置,包括:具有增益的增益介质;用于传播电磁波的波导;以及由所述波导构成的谐振结构。增益介质沿着电磁波的传播方向延伸,并在其厚度方向上于顶面和底面处被夹在由负介电常数介质制成的第一覆层和第二覆层之间。增益介质配备有在和电磁波的传播方向以及厚度方向垂直的宽度方向上与其至少一个侧面相邻的横向结构。该横向结构包括正介电常数介质,该介质在其厚度方向于其顶面和底面处被夹在负介电常数介质之间。波导由增益介质、横向结构、第一覆层和第二覆层构成。

    频率可调振荡器及使用该频率可调振荡器的感测设备

    公开(公告)号:CN100588109C

    公开(公告)日:2010-02-03

    申请号:CN200680010024.9

    申请日:2006-03-27

    CPC classification number: H03B5/1847 H01P7/088 H03B7/143 H03B2200/0022

    Abstract: 本发明提供一种频率可调振荡器,具有较小的由寄生电抗分量等引起的振荡特性恶化,而无需在其中安装诸如可变电容元件之类的集总常数元件。该频率可调振荡器包括共同形成反馈电路的负阻抗元件和共振器。该频率可调振荡器在所述反馈电路的至少一部分上,还包括:分布常数材料,其被配置为具有分布常数从而使得共振器的电气长度被调制;和修正单元,其用于外部地修正所述分布常数材料,其中,可以通过所述修正单元的外部修正改变所述振荡频率。

    谐振隧穿结构
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101447763A

    公开(公告)日:2009-06-03

    申请号:CN200810179719.0

    申请日:2008-11-28

    CPC classification number: H01L29/882 H01Q3/42

    Abstract: 本发明涉及一种谐振隧穿结构。提供一种用于生成具有多个基本振荡频率的振荡的谐振隧穿结构。第一量子阱层具有第二子带(E2)。第二量子阱层具有第一子带(E1)和第三子带(E3)。当没有施加电场时,所述谐振隧穿结构满足“(Eb1,Eb2)<E1<E2<E3”,其中,第一电接触层和第二电接触层相对于载流子的带边沿能量分别由Eb1和Eb2表示。当施加第一电场(Va)时,由所述第三子带和所述第二子带产生谐振隧穿现象。当施加在极性上与所述第一电场不同的第二电场(Vb)时,由所述第二子带和所述第一子带产生谐振隧穿现象。

    振荡器
    10.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102362428B

    公开(公告)日:2014-06-18

    申请号:CN201080013047.1

    申请日:2010-03-23

    CPC classification number: H03B7/08 H03B7/14

    Abstract: 振荡器包括:被构建为使得电介质被插入第一和第二导体之间并且使得第一和第二导体与共振隧道二极管电连接的共振器部分;被构建为使得电介质被插入第一和第二导体之间的电容器部分;被配置为相互并联地电连接共振器部分和电容器部分的线路部分;和被配置为相互电连接第一和第二导体的电阻器部分。共振器部分的第一位置和电容器部分的第二位置通过线路部分相互连接,使得第一位置和第二位置在比在共振器部分中共振的电磁波的波长大的波长范围中在电气上基本相互等价。

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