光学半导体器件
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101794835B

    公开(公告)日:2012-05-30

    申请号:CN201010135255.0

    申请日:2005-07-28

    CPC classification number: H01L31/08 G01N21/3581 H01S1/02

    Abstract: 本发明提供了一种光学半导体器件,其包括具有光电导性的半导体薄膜(4)和用于在大致垂直于所述半导体薄膜(4)的表面的方向向所述半导体薄膜(4)内部施加电场的电极对(5)和(10),其中,当光作用于所述半导体薄膜(4)的被施加了电场的区域时,所述半导体薄膜(4)产生电磁波。所述电极被设置在所述半导体薄膜(4)的前表面和背面,其间夹着所述半导体薄膜。

    太赫兹波相机系统和用于控制太赫兹波相机系统的方法

    公开(公告)号:CN113253356B

    公开(公告)日:2024-08-27

    申请号:CN202110183859.0

    申请日:2021-02-10

    Abstract: 本发明公开了太赫兹波相机系统和用于控制太赫兹波相机系统的方法。太赫兹波相机系统包括:第一发送单元,所述第一发送单元能够发射第一太赫兹波;第二发送单元,所述第二发送单元被设置在与所述第一发送单元的位置不同的位置并且能够发射第二太赫兹波;检测单元,所述检测单元能够检测第一反射太赫兹波或者第二反射太赫兹波中的至少一个,并且输出基于检测的太赫兹波的图像数据,所述第一反射太赫兹波是从被照体反射的所述第一太赫兹波的一部分,所述第二反射太赫兹波是从所述被照体反射的所述第二太赫兹波的一部分;以及第一控制单元,所述第一控制单元被配置为在基于所述图像数据设定的条件下,控制所述第一发送单元的操作或者所述第二发送单元的操作中的至少一个。

    使用太赫兹波的检查装置和检查方法

    公开(公告)号:CN101498654B

    公开(公告)日:2010-11-17

    申请号:CN200910009706.3

    申请日:2009-01-23

    Inventor: 井辻健明

    CPC classification number: G01N21/3581 G01N21/3504 G01N21/3563 G01N21/3577

    Abstract: 提供一种检查装置,该检查装置包括:太赫兹波检测部分;波形成形部分,被配置为通过使用在上述的太赫兹波检测部分中获取的信号,使关于太赫兹波的第一应答信号成形;测量条件获取部分,被配置为获取第一测量条件;应答信号存储部分,被配置为存储与测量条件相对应的第二应答信号;选择部分,被配置为从上述的应答信号存储部分选择上述的第二应答信号;以及信号处理部分,被配置为基于上述的第二应答信号,对于上述的第一应答信号进行解卷积。

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