离子注入用基板载置部件及离子注入方法

    公开(公告)号:CN103531451A

    公开(公告)日:2014-01-22

    申请号:CN201310135078.X

    申请日:2013-04-17

    CPC classification number: H01L21/67213 H01L21/67763

    Abstract: 本发明提供一种离子注入用基板载置部件及离子注入方法,其能够防止离子被注入到基板的侧面。根据本发明的离子注入用基板载置部件(3),通过在注入离子的方向的上游侧开口的凹部(20)内配置基板(4),离子被注入到基板(4)的上表面(4a)即上游侧的表面。并且,从注入离子的方向观察,由周壁部(22)覆盖基板(4)的侧面(4c)的凹部(20)具有与基板(4)相同的形状。即,基板(4)的侧面(4c)遍及整周而被周壁部(22)覆盖。由此,能够防止离子被注入到基板(4)的侧面(4c)。

    自屏蔽回旋加速器系统
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111465165A

    公开(公告)日:2020-07-28

    申请号:CN201910057247.X

    申请日:2019-01-22

    Abstract: 本发明提供一种能够进一步提高得到放射性同位素时的对辐射的安全性的自屏蔽回旋加速器系统。输送部(22)从对靶(10)进行带电粒子束(B)的照射的靶保持部(20)向回收放射性同位素的溶解部(21)输送靶(10)。在此,靶保持部(20)、溶解部(21)及输送部(22)配置于自屏蔽体(4)内。从而,将带电粒子束(B)照射于靶(10)的工序、通过溶解放射性同位素进行回收的工序、以及两个工序之间的进行靶的输送的工序均在自屏蔽体(4)内进行。从而,在各工序中,从带电粒子束照射后的靶(10)释放的辐射通过自屏蔽体而被阻断。

    触控面板传感器的制造方法及触控面板传感器

    公开(公告)号:CN103823586A

    公开(公告)日:2014-05-28

    申请号:CN201310537782.8

    申请日:2013-11-04

    CPC classification number: G02F1/13338 G06F3/041 Y02E10/548

    Abstract: 本发明提供一种无需降低性能而能够使触控面板的外观良好的触控面板传感器及其制造方法。与第2区域(20B)对应的部分通过注入氧离子而成为过氧化状态且成为不具有导电性的绝缘部(12B)。另一方面,在第1区域(20A)残留有抗蚀剂层(20),因此成为透明导电膜(12)由抗蚀剂层(20)覆盖的状态。由此,在该部分中,作为导电部(12A)通过与抗蚀剂层(20)的第1区域(20A)对应的图案进行图案形成。由此,对透明导电膜(12)进行电性图案形成。另一方面,导电部(12A)及绝缘部(12B)用光学上相同的材料以相同的膜厚形成,因此成为无法目视导电部(12A)的图案形状的状态。即,能够设为在光学上还未进行图案形成的状态。

    靶装置
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN113470844B

    公开(公告)日:2024-07-09

    申请号:CN202110293440.0

    申请日:2021-03-19

    Abstract: 本发明提供一种能够提高基于冷却机构的冷却性能的靶装置。根据靶装置(100),靶容纳部(3)具有容纳靶液体(101)的第1区域(E1)及接收沸腾的靶液体的气液混合物(102)的第2区域(E2)。与此相对,冷却机构(4)具备至少冷却第1区域(E1)的第1冷却部(30A)及至少冷却第2区域(E2)的第2冷却部(30B)。而且,第2冷却部(30B)在第2区域(E2)形成从上方朝向下方的制冷剂的流动(图2的流动F2)。与直接使用第1冷却部30A中所使用的制冷剂时的冷却性能相比,能够提高基于从上方流向下方的制冷剂的冷却性能。

    放射性同位素制造装置
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110176323B

    公开(公告)日:2024-06-25

    申请号:CN201910115856.6

    申请日:2019-02-15

    Abstract: 本发明提供一种提高放射性同位素的产量的放射性同位素制造装置。本发明的放射性同位素制造装置(1)具备:粒子加速器;第1靶部,从粒子加速器射出的带电粒子束射入并通过;及第2靶部,射入有通过了第1靶部的带电粒子束。在第1靶部(11)中,在射束通路(15)内保持有靶材(17),且具有向靶材(17)喷吹冷却气体的冷却气体供给部(51)。在第2靶部(12)中,靶基板(35)保持于射束轴(B)上,且靶基板(35)中带电粒子束的下游侧的面被冷却水冷却。射束轴(B)上的第1靶部(11)的靶箔(16)的总厚度比射束轴(B)上的第2靶部(12)的靶基板(35)的厚度小。

    太阳能电池的制造方法及太阳能电池

    公开(公告)号:CN103824901A

    公开(公告)日:2014-05-28

    申请号:CN201310565797.5

    申请日:2013-11-14

    Abstract: 本发明提供一种能够抑制发电效率下降的太阳能电池及其制造方法。本发明的太阳能电池中与第2区域(20B)对应的部分通过注入氧离子而成为过氧化状态,从而成为不具有导电性的绝缘部(12B)。a-Si层(5、6)成为透明导电膜(12)中不发挥导电部(12A)的作用的部分也由绝缘部(12B)覆盖的状态。这样,不使用激光蚀刻和蚀刻药液等而进行透明导电膜(12)的图案形成,从而能够通过由透明导电膜(12)的导电部(12A)及绝缘部(12B)覆盖来抑制a-Si层(5、6)的劣化。综上,能够抑制发电效率下降。

    太阳能电池的制造方法及太阳能电池的制造装置

    公开(公告)号:CN103247716A

    公开(公告)日:2013-08-14

    申请号:CN201310047842.8

    申请日:2013-02-06

    Inventor: 村上喜信

    CPC classification number: Y02E10/50 Y02P70/521

    Abstract: 本发明提供一种太阳能电池的制造方法及太阳能电池的制造装置,其能够在各单元面内使离子注入量均匀,并且能够在多个单元之间使离子注入量均匀。在第1离子注入工序中,使多个单元(4)通过离子束照射区域(17),对多个单元(4)照射离子束后,在载置台旋转工序中通过托盘旋转机构(20)使托盘(3)旋转90度,从而改变托盘(3)的配置。之后,在第2离子注入工序中,输送旋转后的托盘,以使多个单元(4)通过离子束照射区域(17)。在该第2离子注入工序中,使各单元(4)相对于离子束照射区域(17)的配置与第1离子注入工序的配置不同。由此,在各单元(4)的面内使离子注入量均匀,进一步在多个单元(4)之间使离子注入量均匀。

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