液体靶装置
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111724927B

    公开(公告)日:2024-07-09

    申请号:CN202010195674.7

    申请日:2020-03-19

    Abstract: 本发明提供一种液体靶装置,即使在靶箔破损时也可防止靶液体向装置外流出。该液体靶装置(1)具备:靶容纳部(23),作为液体容纳部而容纳靶液体;射束通道(11),使从粒子加速器(3)出射的带电粒子束(B)通过至液体容纳部;靶箔(33),对射束通道(11)与液体容纳部之间进行划分;及真空箔(31),对设置于射束通道(11)的上游侧的真空区域(A1)与射束通道(11)进行划分,在射束通道(11)上设置有在真空箔(31)侧供给冷却气体的第1气体室(R1)及在比第1气体室(R1)靠靶箔(33)侧供给冷却气体的第2气体室(R2),第1气体室(R1)与所述第2气体室(R2)之间通过中间箔(32)被划分。

    液体靶装置
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111724927A

    公开(公告)日:2020-09-29

    申请号:CN202010195674.7

    申请日:2020-03-19

    Abstract: 本发明提供一种液体靶装置,即使在靶箔破损时也可防止靶液体向装置外流出。该液体靶装置(1)具备:靶容纳部(23),作为液体容纳部而容纳靶液体;射束通道(11),使从粒子加速器(3)出射的带电粒子束(B)通过至液体容纳部;靶箔(33),对射束通道(11)与液体容纳部之间进行划分;及真空箔(31),对设置于射束通道(11)的上游侧的真空区域(A1)与射束通道(11)进行划分,在射束通道(11)上设置有在真空箔(31)侧供给冷却气体的第1气体室(R1)及在比第1气体室(R1)靠靶箔(33)侧供给冷却气体的第2气体室(R2),第1气体室(R1)与所述第2气体室(R2)之间通过中间箔(32)被划分。

    自屏蔽回旋加速器系统
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111465165A

    公开(公告)日:2020-07-28

    申请号:CN201910057247.X

    申请日:2019-01-22

    Abstract: 本发明提供一种能够进一步提高得到放射性同位素时的对辐射的安全性的自屏蔽回旋加速器系统。输送部(22)从对靶(10)进行带电粒子束(B)的照射的靶保持部(20)向回收放射性同位素的溶解部(21)输送靶(10)。在此,靶保持部(20)、溶解部(21)及输送部(22)配置于自屏蔽体(4)内。从而,将带电粒子束(B)照射于靶(10)的工序、通过溶解放射性同位素进行回收的工序、以及两个工序之间的进行靶的输送的工序均在自屏蔽体(4)内进行。从而,在各工序中,从带电粒子束照射后的靶(10)释放的辐射通过自屏蔽体而被阻断。

    靶装置
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN113470844B

    公开(公告)日:2024-07-09

    申请号:CN202110293440.0

    申请日:2021-03-19

    Abstract: 本发明提供一种能够提高基于冷却机构的冷却性能的靶装置。根据靶装置(100),靶容纳部(3)具有容纳靶液体(101)的第1区域(E1)及接收沸腾的靶液体的气液混合物(102)的第2区域(E2)。与此相对,冷却机构(4)具备至少冷却第1区域(E1)的第1冷却部(30A)及至少冷却第2区域(E2)的第2冷却部(30B)。而且,第2冷却部(30B)在第2区域(E2)形成从上方朝向下方的制冷剂的流动(图2的流动F2)。与直接使用第1冷却部30A中所使用的制冷剂时的冷却性能相比,能够提高基于从上方流向下方的制冷剂的冷却性能。

    放射性同位素制造装置
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110176323B

    公开(公告)日:2024-06-25

    申请号:CN201910115856.6

    申请日:2019-02-15

    Abstract: 本发明提供一种提高放射性同位素的产量的放射性同位素制造装置。本发明的放射性同位素制造装置(1)具备:粒子加速器;第1靶部,从粒子加速器射出的带电粒子束射入并通过;及第2靶部,射入有通过了第1靶部的带电粒子束。在第1靶部(11)中,在射束通路(15)内保持有靶材(17),且具有向靶材(17)喷吹冷却气体的冷却气体供给部(51)。在第2靶部(12)中,靶基板(35)保持于射束轴(B)上,且靶基板(35)中带电粒子束的下游侧的面被冷却水冷却。射束轴(B)上的第1靶部(11)的靶箔(16)的总厚度比射束轴(B)上的第2靶部(12)的靶基板(35)的厚度小。

    靶装置
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113470844A

    公开(公告)日:2021-10-01

    申请号:CN202110293440.0

    申请日:2021-03-19

    Abstract: 本发明提供一种能够提高基于冷却机构的冷却性能的靶装置。根据靶装置(100),靶容纳部(3)具有容纳靶液体(101)的第1区域(E1)及接收沸腾的靶液体的气液混合物(102)的第2区域(E2)。与此相对,冷却机构(4)具备至少冷却第1区域(E1)的第1冷却部(30A)及至少冷却第2区域(E2)的第2冷却部(30B)。而且,第2冷却部(30B)在第2区域(E2)形成从上方朝向下方的制冷剂的流动(图2的流动F2)。与直接使用第1冷却部30A中所使用的制冷剂时的冷却性能相比,能够提高基于从上方流向下方的制冷剂的冷却性能。

    放射性同位素制造装置
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110176323A

    公开(公告)日:2019-08-27

    申请号:CN201910115856.6

    申请日:2019-02-15

    Abstract: 本发明提供一种提高放射性同位素的产量的放射性同位素制造装置。本发明的放射性同位素制造装置(1)具备:粒子加速器;第1靶部,从粒子加速器射出的带电粒子束射入并通过;及第2靶部,射入有通过了第1靶部的带电粒子束。在第1靶部(11)中,在射束通路(15)内保持有靶材(17),且具有向靶材(17)喷吹冷却气体的冷却气体供给部(51)。在第2靶部(12)中,靶基板(35)保持于射束轴(B)上,且靶基板(35)中带电粒子束的下游侧的面被冷却水冷却。射束轴(B)上的第1靶部(11)的靶箔(16)的总厚度比射束轴(B)上的第2靶部(12)的靶基板(35)的厚度小。

Patent Agency Ranking