触控面板传感器的制造方法及触控面板传感器

    公开(公告)号:CN103823586A

    公开(公告)日:2014-05-28

    申请号:CN201310537782.8

    申请日:2013-11-04

    CPC classification number: G02F1/13338 G06F3/041 Y02E10/548

    Abstract: 本发明提供一种无需降低性能而能够使触控面板的外观良好的触控面板传感器及其制造方法。与第2区域(20B)对应的部分通过注入氧离子而成为过氧化状态且成为不具有导电性的绝缘部(12B)。另一方面,在第1区域(20A)残留有抗蚀剂层(20),因此成为透明导电膜(12)由抗蚀剂层(20)覆盖的状态。由此,在该部分中,作为导电部(12A)通过与抗蚀剂层(20)的第1区域(20A)对应的图案进行图案形成。由此,对透明导电膜(12)进行电性图案形成。另一方面,导电部(12A)及绝缘部(12B)用光学上相同的材料以相同的膜厚形成,因此成为无法目视导电部(12A)的图案形状的状态。即,能够设为在光学上还未进行图案形成的状态。

    加热器用反射板
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102400104A

    公开(公告)日:2012-04-04

    申请号:CN201010279947.2

    申请日:2010-09-09

    Inventor: 岩田宽

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种加热器用反射板,提高从加热器放射的红外线的反射率而可以进行向被加热物的有效地加热。在反射从灯加热器(9)放射的红外线的反射板(11)中,反射红外线的反射面(19a)至少由银和银合金的至少一方构成。银或银合金的红外线的反射率不用说不锈钢比金还高。通过设为由银和银合金的至少一方构成的反射面(19a),能够实现红外线反射率高的反射板(11),并可以有效地加热被加热物。

    成膜装置、成膜基板制造方法及成膜基板

    公开(公告)号:CN102485949A

    公开(公告)日:2012-06-06

    申请号:CN201110358373.2

    申请日:2011-11-11

    Inventor: 岩田宽

    CPC classification number: Y02E10/541 Y02P70/521

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种可成膜当利用激光划线法来进行图案形成时能够适当地被去除的钼层的成膜装置、成膜基板制造方法及成膜基板。本发明的成膜装置在成膜室(11B)内,从基板输送方向(D)的上游侧遍及下游侧产生惰性气体的压力梯度。该压力梯度以上游侧的惰性气体的压力增大且下游侧的惰性气体的压力减小的方式形成。通过在产生这种压力梯度的成膜室(11B)内实施钼层的成膜,从而能够成膜从基板侧遍及表面侧形成有金属密度梯度的钼层。就该金属密度梯度而言,在钼层的膜厚方向上,以密度随着从表面侧接近基板侧而减小的方式形成密度梯度。若对具有这种密度梯度的钼层应用激光划线法,则能够适当地去除钼层。

    有机EL元件的制造方法及有机EL元件

    公开(公告)号:CN103824972A

    公开(公告)日:2014-05-28

    申请号:CN201310425075.X

    申请日:2013-09-17

    CPC classification number: H01L51/5262 H01L51/56 H01L2251/53 H01L2251/56

    Abstract: 一种能够提高光提取效率的有机EL元件的制造方法及有机EL元件。与第2区域(20B)对应的部分通过注入氧离子成为过氧化状态,成为不具有导电性的绝缘部(12B)。另一方面,由于第1区域(20A)中残留有抗蚀层(20),因此成为透明导电膜(12)被抗蚀层(20)覆盖的状态。因此,在该部分中,作为导电部(12A),以抗蚀层(20)的与第1区域(20A)对应的图案来进行图案形成。由此,在透明导电膜(12)上进行电性图案形成。另一方面,导电部(12A)及绝缘部(12B)由光学上相同的材料形成,因此能够成为在光学上未进行图案形成的状态,能够使提取光时的导电部(12A)与绝缘部(12B)之间的光学条件相近。

    成膜装置及靶装置
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102965627A

    公开(公告)日:2013-03-13

    申请号:CN201110256762.4

    申请日:2011-09-01

    Inventor: 岩田宽

    Abstract: 本发明提供一种成膜装置及靶装置,可提高对基板的成膜的生产率。成膜装置(1)具备作为成膜材料的靶(25)和与该靶(25)接触并进行冷却的板状冷却板(22),靶(25)和冷却板(22)通过夹具(27)固定,冷却板(22)的第2面(22b)与第1面(22a)相比暴露于高压的气氛中,并且第1面(22b)的中央部(22c)向靶(25)侧位移而按压靶(25),该第1面(22a)是与靶(25)对置的面,该第2面(22b)是第1面(22a)的相反侧的面。

    成膜基板的制造方法、成膜基板及成膜装置

    公开(公告)号:CN102447005A

    公开(公告)日:2012-05-09

    申请号:CN201110295469.9

    申请日:2011-09-27

    Inventor: 岩田宽

    CPC classification number: Y02E10/541 Y02E10/542 Y02P70/521

    Abstract: 本发明提供一种成膜基板的制造方法、成膜基板及成膜装置,所述成膜基板实现了提高玻璃基板与钼层的粘附力。在含有预定量氧的第1气氛中,在玻璃基板(2)的表面成膜第1钼层(3a),在含氧率低于第1气氛的第2气氛中,在第1钼层(3a)的表面成膜第2钼层(3b)。由此,能够在玻璃基板(2)上成膜包含氧化钼的粘附层(3a),并在该粘附层(3a)上成膜钼层(3b)。

    靶及具备该靶的成膜装置

    公开(公告)号:CN102586745B

    公开(公告)日:2014-10-15

    申请号:CN201210008545.8

    申请日:2012-01-12

    Inventor: 岩田宽 金子博

    Abstract: 本发明提供即使为烧结体靶也能够降低运转成本的靶及具备该靶的成膜装置。通过夹具(27)固定于冷却板(22)的靶(25)为包含作为金属粉体的Zn粉体和熔点高于Zn的熔点的作为金属氧化物的ZnO粉体的混合物在由t0<T<t1表示的烧结温度T下烧结而成的低氧化物烧结体,其中,在上述公式中,t0为Zn的熔点,t1为ZnO的熔点或升华点。

    太阳能电池的制造方法及太阳能电池

    公开(公告)号:CN103824901A

    公开(公告)日:2014-05-28

    申请号:CN201310565797.5

    申请日:2013-11-14

    Abstract: 本发明提供一种能够抑制发电效率下降的太阳能电池及其制造方法。本发明的太阳能电池中与第2区域(20B)对应的部分通过注入氧离子而成为过氧化状态,从而成为不具有导电性的绝缘部(12B)。a-Si层(5、6)成为透明导电膜(12)中不发挥导电部(12A)的作用的部分也由绝缘部(12B)覆盖的状态。这样,不使用激光蚀刻和蚀刻药液等而进行透明导电膜(12)的图案形成,从而能够通过由透明导电膜(12)的导电部(12A)及绝缘部(12B)覆盖来抑制a-Si层(5、6)的劣化。综上,能够抑制发电效率下降。

    靶及具备该靶的成膜装置

    公开(公告)号:CN102586745A

    公开(公告)日:2012-07-18

    申请号:CN201210008545.8

    申请日:2012-01-12

    Inventor: 岩田宽 金子博

    Abstract: 本发明提供即使为烧结体靶也能够降低运转成本的靶及具备该靶的成膜装置。通过夹具(27)固定于冷却板(22)的靶(25)为包含作为金属粉体的Zn粉体和熔点高于Zn的熔点的作为金属氧化物的ZnO粉体的混合物在由t0<T<t1表示的烧结温度T下烧结而成的低氧化物烧结体,其中,在上述公式中,t0为Zn的熔点,t1为ZnO的熔点或升华点。

    成膜基板、成膜基板的制造方法及成膜装置

    公开(公告)号:CN102208460A

    公开(公告)日:2011-10-05

    申请号:CN201110055790.X

    申请日:2011-03-08

    Inventor: 岩田宽

    CPC classification number: Y02E10/50 Y02P70/521

    Abstract: 本发明提供一种成膜基板、成膜基板的制造方法及成膜装置,其谋求降低膜厚的同时不需要蚀刻工序且谋求低成本化,并且具有凹凸结构的薄膜层成膜于被成膜基板表面。成膜基板(1)为具有凹凸结构的薄膜层(3)成膜于被成膜基板(2)表面的平坦部的基板,其凹凸结构通过成膜含氧化铟的薄膜层(3)而形成。另外,成膜基板(1)的制造方法为制造具有凹凸结构的薄膜层(3)成膜于被成膜基板(2)表面的平坦部的基板(1)的方法,该制造方法具有薄膜工序,所述薄膜工序为如下工序:在被成膜基板(2)表面成膜含氧化铟的薄膜层(3),并通过进行该成膜形成凹凸结构。由此,不需要用于形成凹凸结构的蚀刻工序,且谋求低成本化,并通过设成含氧化铟的透明导电膜(3)来降低膜厚。

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