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公开(公告)号：CN103875077A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201280049140.7
申请日：2012-10-04
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 日新电机株式会社
IPC: H01L29/786 , C23C14/08 , C23C16/42 , H01L21/318 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/0217 , C23C16/0281 , C23C16/345 , H01L21/022 , H01L21/02274 , H01L29/4908 , H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: 提供一种绝缘膜，其为含有硅原子、氟原子及氮原子的绝缘膜，所述绝缘膜具备配置在含有氧原子的基板上的第一氮化硅膜和以与该第一氮化硅膜接触的方式配置的第二氮化硅膜，该第二氮化硅膜中含有的氟量比该第一氮化硅膜中含有的氟量多，并且提供一种半导体元件，其具有含有铟原子及氧原子的氧化物半导体层以及含有硅原子、氟原子及氮原子的绝缘膜。该半导体元件可以为薄膜晶体管。
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公开(公告)号：CN103875077B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201280049140.7
申请日：2012-10-04
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 日新电机株式会社
IPC: H01L29/786 , C23C14/08 , C23C16/42 , H01L21/318 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/0217 , C23C16/0281 , C23C16/345 , H01L21/022 , H01L21/02274 , H01L29/4908 , H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: 提供一种绝缘膜，其为含有硅原子、氟原子及氮原子的绝缘膜，所述绝缘膜具备配置在含有氧原子的基板上的第一氮化硅膜和以与该第一氮化硅膜接触的方式配置的第二氮化硅膜，该第二氮化硅膜中含有的氟量比该第一氮化硅膜中含有的氟量多，并且提供一种半导体元件，其具有含有铟原子及氧原子的氧化物半导体层以及含有硅原子、氟原子及氮原子的绝缘膜。该半导体元件可以为薄膜晶体管。
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公开(公告)号：CN119698928A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202380059547.6
申请日：2023-12-28
Applicant: 日新电机株式会社
IPC: H05H1/46 , C23C16/509 , H01L21/3065
Abstract: 一种天线装置10，用于使高频电流流动而产生等离子体P，其包括：呈直线状的天线3；呈直管状的绝缘罩4，覆盖天线3的外侧周面3c；以及突出绝缘部5，设置在天线3的轴向两端部3a、3b之间，向比天线3的外侧周面3c更靠绝缘罩4的内侧周面4a侧突出，并且包含绝缘材料。
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公开(公告)号：CN117501419B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202380010868.7
申请日：2023-03-17
Applicant: 日新电机株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/786 , H01L21/425 , H01L21/265
Abstract: 一种固定电荷控制方法及薄膜晶体管的制造方法，所述固定电荷控制方法，为对半导体元件中使用的绝缘层内的固定电荷进行控制的方法，所述方法中，在形成有所述绝缘层后，对所述绝缘层的表层部进行离子注入，在所述离子注入后的所述绝缘层的表面形成包含金属膜或绝缘膜的顶盖层，对在表面形成有所述顶盖层的所述绝缘层进行热处理，由此在所述绝缘层中显现出固定电荷。
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公开(公告)号：CN118510939A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202380016467.2
申请日：2023-04-27
Applicant: 日新电机株式会社
IPC: C23C16/27 , H05H1/46 , C30B29/04 , C23C16/505 , H01L21/205
Abstract: 一种成膜装置，包括：真空容器，配置有基材；天线，在所述真空容器内产生感应耦合型等离子体，且具有电相互串联连接的导体部件与电容元件；高频电源，向所述天线供给高频电流；以及气体供给机构，向所述真空容器内供给包含C、H及O的原料气体，通过等离子体CVD法在所述真空容器内的所述基材上形成碳系薄膜，所述等离子体CVD法使用了通过在所述天线流动高频电流而在所述真空容器内产生的感应耦合型等离子体。
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公开(公告)号：CN118510937A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202380016354.2
申请日：2023-01-26
Applicant: 日新电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够提高靶附近的等离子体密度的溅镀装置。溅镀装置(1)包括：靶(Tr)，以与载置于载台(H)上的被处理物(H1)相向的方式，配置于真空容器(2)的内部；高频窗(11)，包括具有狭缝(12s)的金属板(12)及介电体(13)，为了在真空容器(2)的内部产生等离子体，而将高频磁场导入至真空容器(2)的内部，并且设置于真空容器(2)的安装有靶(Tr)的壁面；以及直线状天线(14)，在真空容器(2)的外部接近于高频窗(11)而配置，并且产生高频磁场。高频窗(11)具有以轴与所述壁面平行的方式设置的半圆筒状部(11a)。
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公开(公告)号：CN112425269A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201980047003.1
申请日：2019-07-17
Applicant: 日新电机株式会社
IPC: H05H1/46 , C23C14/54 , C23C16/455 , C23C16/509 , C23C16/52 , H01L21/205 , H01L21/3065
Abstract: 本发明实现一种等离子体处理装置，其可使形成于基板的膜的成膜速率及膜厚度均匀。等离子体处理装置(1)包括多个设置于真空容器(10)内的等离子体生成用的天线(20)；设置有多个气体喷出口(30)的多个组群，所述多个气体喷出口(30)相对于多个天线(20)的各自的长边方向(D1)而大致垂直，且设置于在多个天线(20)相互排列的方向上延伸的线(L1)的附近；并且还包括气体流量控制部，其对从多个气体喷出口(30)的组群的每一个所喷出的气体的流量加以控制。
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公开(公告)号：CN107208833A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201680007653.X
申请日：2016-01-22
Applicant: 日新电机株式会社
IPC: F16L41/08 , F16L5/00 , H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L21/31 , H05H1/46 , C23C16/509
CPC classification number: F16L15/04 , F16L5/08 , F16L15/008 , F16L41/086 , H01J37/3211 , H01J37/3244 , H01J2237/002 , H05H1/46 , H05H2001/463
Abstract: 本发明提供一种管路保持连接结构，能够减小结构整体的宽度，且能够减少零件数及装配作业步骤。所述管路保持连接结构(30a)包括：外壳(32)，以气密地封闭真空容器(4)的开口部(6)的方式而固定；第1管路(50)，端部附近贯穿开口部(6)及外壳(32)；以及第2管路(60)，具有与所述端部的公螺纹部(56)螺合的母螺纹部(64)。管路(50)具有卡止部(52)。两管路(50)、(60)内供流体(2)流动。在管路(50)与外壳(32)及管路(60)的端部之间，分别设置有衬垫(72)、(73)。所述管路保持连接结构(30a)能够用于高频天线装置。
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公开(公告)号：CN102833937A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210306854.3
申请日：2012-08-24
Applicant: 日新电机株式会社
Inventor： 安东靖典
IPC: H05H1/46
CPC classification number: H01J37/3211 , C23C16/402 , C23C16/507
Abstract: 本发明提供一种等离子处理装置，使天线的有效电感减小，而将天线长度方向的两端部间所产生的电位差抑制为小电位差，借此将等离子电位抑制为低电位，并提高天线长度方向上的等离子密度分布的均一性。构成等离子处理装置的平面形状实质上笔直的天线(30)呈往返导体构造，即，以使两块矩形导体板(31、32)位于同一平面上的方式，彼此隔开间隙(34)靠近地平行配置两块导体板(31、32)，利用导体(33)将两导体板长度方向(X)的一端相连接。高频电流(IR)彼此逆向流至两个导体板(31、32)。在两导体板(31、32)的间隙侧边上形成开口部(37)，使多个开口部(37)分散地配置在天线(30)的长度方向(X)上。
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