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公开(公告)号：CN104756256A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201380056368.3
申请日：2013-11-06
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L29/12 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/1608 , H01L21/0475 , H01L21/3065 , H01L29/045 , H01L29/42364 , H01L29/66068 , H01L29/7395 , H01L29/7802 , H01L29/7813 , H01L29/1037 , H01L29/7827
Abstract: 一种碳化硅半导体器件(1)，具有碳化硅衬底(10)、栅绝缘膜(15)和栅电极(27)。碳化硅衬底(10)包括第一杂质区(17)、阱区(13)和第二杂质区(14)，第一杂质区(17)具有第一导电类型，阱区(13)接触第一杂质区(17)并且具有与第一导电类型不同的第二导电类型，第二杂质区(14)通过阱区(13)与第一杂质区(17)分开并且具有第一导电类型。栅绝缘膜(15)接触第一杂质区(17)和阱区(14)。栅电极(27)接触栅绝缘膜(15)并且相对于栅绝缘膜(15)与阱区(14)相对布置。向栅电极(27)施加的栅驱动电压的一半电压下的特征导通电阻小于所述栅驱动电压下的特征导通电阻的两倍。因此，可提供能够改进开关特性的碳化硅半导体器件(1)。
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公开(公告)号：CN1497716A
公开(公告)日：2004-05-19
申请号：CN200310102731.9
申请日：2003-10-22
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体封装，其通过将半导体芯片工作时产生的热量有效地转移至散热器，允许半导体芯片精确、长时间、高稳定性地工作。该封装包括：衬底(2)，其上表面上具有将安装半导体芯片(1)的安装空间；框架(3)，设置为围绕所述衬底(2)上表面上的所述安装空间并在一侧具有用于输入/输出端子(5)的接头(3a)；以及输入/输出端子(5)，连接至所述接头(3a)，其中所述衬底(2)、或部分所述衬底(2)、或所述衬底(2)和所述框架(3)、或部分所述衬底和所述框架由金属－金刚石复合物或由金刚石颗粒和铜构成的金属－金刚石烧结体形成，所述金属－金刚石复合物中具有经由金属碳化物结合的金刚石颗粒的母体材料被铜和/或银渗透。另外，金属－金刚石复合物表面镀金。
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公开(公告)号：CN102648587A
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201080034453.6
申请日：2010-08-04
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 国立大学法人京都大学
CPC classification number: H04B3/56 , H04B3/54 , H04B2203/5416 , H04B2203/5458 , H04B2203/547
Abstract: 在要安装在诸如家用电器的电气设备中，以更简化且更便宜的电路配置实现电力线通信的传输功能。电力线通信装置被配置成使得存在于与电力线连接的电路上的半导体开关元件(Sx)由调制单元(12)驱动。该调制单元(12)通过控制半导体开关元件(Sx)的ON/OFF状态来在规定的时期将调制后的矩形波通信信号输出至电力线。
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公开(公告)号：CN107949917A
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201680048848.9
申请日：2016-08-03
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L29/1608 , H01L29/06 , H01L29/1095 , H01L29/12 , H01L29/66068 , H01L29/78
Abstract: 一种碳化硅半导体器件包括：与第一主表面接触并且具有第一导电类型的漂移层；位于漂移层中、与第一主表面接触并且具有第二导电类型的本体区；以及具有第二导电类型并且连接到本体区的底部的凸出部。一种制造方法包括在碳化硅衬底的漂移层中，通过离子注入形成本体区、凸出部、JTE区和至少一个保护环区，每一个具有第二导电类型。
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公开(公告)号：CN103891136B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201280052674.5
申请日：2012-10-11
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 国立大学法人丰桥技术科学大学
CPC classification number: H03K17/687 , H02M1/08 , H02M3/158 , H03F1/0211 , H03F1/0222 , H03F3/16 , H03F3/217 , H03F3/45 , H03F3/55 , H03F3/607 , H03F2200/102 , H03F2200/351 , Y10T307/747
Abstract: 一种开关电路33包括：连接电路级联连接控制端子，该连接电路级联连接控制端子用于相应地经由n‑1数目个线圈L1来控制n数目的晶体管M1至Mn的切换，n为等于或大于2的整数；以及线圈L3，线圈L3相应地连接在晶体管M1至Mn中的每一个的一端与线圈L2的另一端之间，该线圈L2的一端电连接至DC电源。利用输入至该连接电路的输入端子的PWM信号来顺次地切换晶体管M1至Mn。开关电路33进一步包括晶体管M0，晶体管M0以级联连接插入在线圈L2的所述一端或所述另一端处。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102473604A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201180002713.6
申请日：2011-02-21
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/205
CPC classification number: H01L29/7802 , H01L21/02378 , H01L21/02447 , H01L21/02529 , H01L21/02631 , H01L21/02658 , H01L21/02664 , H01L21/046 , H01L21/0495 , H01L29/04 , H01L29/1608 , H01L29/6606 , H01L29/66068
Abstract: 本发明提供了一种碳化硅衬底、设置有外延层的衬底、半导体器件和用于制造碳化硅衬底的方法，它们都实现了导通电阻的减小。碳化硅衬底(10)是具有主表面的碳化硅衬底(10)，并且包括：SiC单晶衬底(1)，其形成在所述主表面的至少一部分中；以及基底构件(20)，其被设置成环绕所述SiC单晶衬底(1)。所述基底构件(20)包括边界区域(11)和基底区域(12)。边界区域(11)在沿着所述主表面的方向上与所述SiC单晶衬底(1)相邻并且在边界区域(11)内部具有晶粒边界。基底区域(12)在垂直于所述主表面的方向上与所述SiC单晶衬底(1)相邻并且具有的杂质浓度高于所述SiC单晶衬底(1)的杂质浓度。
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公开(公告)号：CN105074897A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201480009879.4
申请日：2014-02-07
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/66 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/78
CPC classification number: H01L22/12 , H01L21/02008 , H01L21/02019 , H01L21/78 , H01L22/24 , H01L29/12 , H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L29/78 , H01L29/7813
Abstract: 一种制造碳化硅半导体器件(1)的方法，包括以下步骤：制备具有第一主表面(80b)以及与第一主表面(80b)相反的第二主表面(80a)的碳化硅衬底(80)；蚀刻第一主表面(80b)而使包括微管道的蚀刻坑(3a)出现在第一主表面(80b)上；获得关于第一主表面(80b)上的微管道的二维位置信息；碳化硅衬底切割成多个芯片(C12-C65)。基于二维位置信息选择芯片(C12-C65)。第一主表面(80b)是硅面或者从硅面偏离小于或等于10°的角的面。由此，可提供一种可以高精度筛选出包括微管道的芯片的制造碳化硅半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN102648587B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201080034453.6
申请日：2010-08-04
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 国立大学法人京都大学
CPC classification number: H04B3/56 , H04B3/54 , H04B2203/5416 , H04B2203/5458 , H04B2203/547
Abstract: 在要安装在诸如家用电器的电气设备中，以更简化且更便宜的电路配置实现电力线通信的传输功能。电力线通信装置被配置成使得存在于与电力线连接的电路上的半导体开关元件(Sx)由调制单元(12)驱动。该调制单元(12)通过控制半导体开关元件(Sx)的ON/OFF状态来在规定的时期将调制后的矩形波通信信号输出至电力线。
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公开(公告)号：CN103891136A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201280052674.5
申请日：2012-10-11
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 国立大学法人丰桥技术科学大学
CPC classification number: H03K17/687 , H02M1/08 , H02M3/158 , H03F1/0211 , H03F1/0222 , H03F3/16 , H03F3/217 , H03F3/45 , H03F3/55 , H03F3/607 , H03F2200/102 , H03F2200/351 , Y10T307/747
Abstract: 一种开关电路33包括：连接电路级联连接控制端子，该连接电路级联连接控制端子用于相应地经由n-1数目个线圈L1来控制n数目的晶体管M1至Mn的切换，n为等于或大于2的整数；以及线圈L3，线圈L3相应地连接在晶体管M1至Mn中的每一个的一端与线圈L2的另一端之间，该线圈L2的一端电连接至DC电源。利用输入至该连接电路的输入端子的PWM信号来顺次地切换晶体管M1至Mn。开关电路33进一步包括晶体管M0，晶体管M0以级联连接插入在线圈L2的所述一端或所述另一端处。
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公开(公告)号：CN103534801A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201280023196.5
申请日：2012-04-05
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L23/3735 , H01L23/24 , H01L23/49866 , H01L24/73 , H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/01047 , H01L2924/1305 , H01L2924/13062 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明的一实施方式的半导体装置(10)包括：绝缘性基板(121)；布线层(122)，其形成于绝缘性基板的第一主面(121a)上；以及半导体元件(14)，其搭载于布线层上。在该半导体装置中，布线层由包含铜及热膨胀系数小于铜的金属的第一含铜材料构成，且第一含铜材料的热膨胀系数小于铜的热膨胀系数。
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