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公开(公告)号：CN103548265B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201280024710.7
申请日：2012-04-02
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 国立大学法人丰桥技术科学大学
IPC: H03K17/04 , H03K17/687
Abstract: 一实施方式的开关电路(10)包括至少一个具有输入端子(21)、输出端子(22)及公共端子(23)的半导体开关元件，且其通过对输入端子与公共端子之间施加脉冲状信号而开关输出端子与公共端子之间的电流。该开关电路具备电容抑制元件部(50)，其连接在输入端子与输出端子之间、输入端子与公共端子之间及输出端子与公共端子之间的至少一个，且电容抑制元件部使连接有电容抑制元件部的半导体开关元件的端子间的寄生电容比在脉冲状信号的时钟频率的N倍(N为1以上的整数)的频率下未连接电容抑制元件部的情况更低。
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公开(公告)号：CN103563253B
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201280025463.2
申请日：2012-04-02
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 国立大学法人丰桥技术科学大学
IPC: H03K17/04 , H03K17/687
Abstract: 一实施方式的开关电路(10A)包括具有输入端子(21)、输出端子(22)及公共端子(23)的第一半导体开关元件～第四半导体开关元件(20)。以在第一半导体开关元件及第四半导体开关元件导通(截止)时剩余的半导体开关元件成为截止(导通)的方式，对各半导体开关元件的输入端子施加脉冲状信号。开关电路具备：第一电容元件(60)，连接在第二半导体开关元件的输出端子与第四半导体开关元件的输入端子之间；及第二电容元件(61)，连接在第二半导体开关元件的输入端子与第四半导体开关元件的输出端子之间。第一及第二电容元件分别具有如下电容：使第四及第二半导体开关元件各自的输入端子与输出端子间的寄生电容在对第四及第二半导体开关元件供给的脉冲状信号的时钟频率的N倍(N为1以上的整数)的频率下降低。
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公开(公告)号：CN103907275B
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201280052673.0
申请日：2012-10-18
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 国立大学法人丰桥技术科学大学
Abstract: 根据本发明的实施例的晶体管保护电路10是一种用于保护电压驱动晶体管20的晶体管保护电路，该电压驱动晶体管20是通过由驱动电路将电源40的高电位侧电压或低电位侧电压施加至该晶体管的栅极端子而受开关控制。该晶体管保护电路10具有电源控制器12，该电源控制器12在接收到用于执行保护晶体管的保护命令之后逐渐降低电源40的高电位侧电压。
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公开(公告)号：CN103891136A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201280052674.5
申请日：2012-10-11
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 国立大学法人丰桥技术科学大学
CPC classification number: H03K17/687 , H02M1/08 , H02M3/158 , H03F1/0211 , H03F1/0222 , H03F3/16 , H03F3/217 , H03F3/45 , H03F3/55 , H03F3/607 , H03F2200/102 , H03F2200/351 , Y10T307/747
Abstract: 一种开关电路33包括：连接电路级联连接控制端子，该连接电路级联连接控制端子用于相应地经由n-1数目个线圈L1来控制n数目的晶体管M1至Mn的切换，n为等于或大于2的整数；以及线圈L3，线圈L3相应地连接在晶体管M1至Mn中的每一个的一端与线圈L2的另一端之间，该线圈L2的一端电连接至DC电源。利用输入至该连接电路的输入端子的PWM信号来顺次地切换晶体管M1至Mn。开关电路33进一步包括晶体管M0，晶体管M0以级联连接插入在线圈L2的所述一端或所述另一端处。
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公开(公告)号：CN103563253A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201280025463.2
申请日：2012-04-02
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 国立大学法人丰桥技术科学大学
IPC: H03K17/04 , H03K17/687
Abstract: 本发明的开关电路(10A)包括具有输入端子(21)、输出端子(22)及公共端子(23)的第一半导体开关元件～第四半导体开关元件(20)。以在第一半导体开关元件及第四半导体开关元件导通(截止)时剩余的半导体开关元件成为截止(导通)的方式，对各半导体开关元件的输入端子施加脉冲状信号。开关电路具备：第一电容元件(60)，连接在第二半导体开关元件的输出端子与第四半导体开关元件的输入端子之间；及第二电容元件(61)，连接在第二半导体开关元件的输入端子与第四半导体开关元件的输出端子之间。第一及第二电容元件分别具有如下电容：使第四及第二半导体开关元件各自的输入端子与输出端子间的寄生电容在对第四及第二半导体开关元件供给的脉冲状信号的时钟频率的N倍(N为1以上的整数)的频率下降低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103891136B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201280052674.5
申请日：2012-10-11
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 国立大学法人丰桥技术科学大学
CPC classification number: H03K17/687 , H02M1/08 , H02M3/158 , H03F1/0211 , H03F1/0222 , H03F3/16 , H03F3/217 , H03F3/45 , H03F3/55 , H03F3/607 , H03F2200/102 , H03F2200/351 , Y10T307/747
Abstract: 一种开关电路33包括：连接电路级联连接控制端子，该连接电路级联连接控制端子用于相应地经由n‑1数目个线圈L1来控制n数目的晶体管M1至Mn的切换，n为等于或大于2的整数；以及线圈L3，线圈L3相应地连接在晶体管M1至Mn中的每一个的一端与线圈L2的另一端之间，该线圈L2的一端电连接至DC电源。利用输入至该连接电路的输入端子的PWM信号来顺次地切换晶体管M1至Mn。开关电路33进一步包括晶体管M0，晶体管M0以级联连接插入在线圈L2的所述一端或所述另一端处。
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公开(公告)号：CN103548258B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201280024953.0
申请日：2012-04-02
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 国立大学法人丰桥技术科学大学
IPC: H03F1/02 , H03F3/217 , H03K17/687
Abstract: 一实施方式的开关电路(1)包括：开关元件(10)，其含有第一端子(13)及第二端子(11)，且通过脉冲信号驱动而开关第一端子及第二端子的导通状态；电源部(30)，其对开关元件的第一端子供给电压；负载电路(40)，其与电源部并联连接；无源电路部(50)，其连接于电源部和负载电路的连接点与开关元件的第一端子之间，且在脉冲信号的时钟频率的N倍(N为1以上的整数)的频率下，抑制从连接点流向开关元件的电流；及谐振电路部(60)，其连接于无源电路部与连接点之间，且在N倍的频率下谐振。
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公开(公告)号：CN103548258A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201280024953.0
申请日：2012-04-02
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 国立大学法人丰桥技术科学大学
IPC: H03F1/02 , H03F3/217 , H03K17/687
Abstract: 一实施方式的开关电路(1)包括：开关元件(10)，其含有第一端子(13)及第二端子(11)，且通过脉冲信号驱动而开关第一端子及第二端子的导通状态；电源部(30)，其对开关元件的第一端子供给电压；负载电路(40)，其与电源部并联连接；无源电路部(50)，其连接于电源部和负载电路的连接点与开关元件的第一端子之间，且在脉冲信号的时钟频率的N倍(N为1以上的整数)的频率下，抑制从连接点流向开关元件的电流；及谐振电路部(60)，其连接于无源电路部与连接点之间，且在N倍的频率下谐振。
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公开(公告)号：CN102934358B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201180021998.8
申请日：2011-03-28
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 国立大学法人丰桥技术科学大学
Abstract: 本发明的一实施方式的开关电路具备：N个开关元件；包含串联连接的N-1个第1电感元件的连接电路；第2电感元件；及N个第3电感元件。N个开关元件的控制端子分别连接于连接电路的两端及连接接点。第2电感元件的一端连接于电源。N个第3电感元件分别电连接N个开关元件的一端与第2电感元件的另一端。
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公开(公告)号：CN103907275A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201280052673.0
申请日：2012-10-18
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 国立大学法人丰桥技术科学大学
Abstract: 本发明的实施例的晶体管保护电路10是一种用于保护电压驱动晶体管20的晶体管保护电路，该电压驱动晶体管20是通过由驱动电路将电源40的高电位侧电压或低电位侧电压施加至该晶体管的栅极端子而受开关控制。该晶体管保护电路10具有电源控制器12，该电源控制器12在接收到用于执行保护晶体管的保护命令之后逐渐降低电源40的高电位侧电压。
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