公开(公告)号：CN101484986B

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：CN200780025186.4

申请日：2007-05-28

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 中野强

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/201 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明提供电子迁移率特性获得改善的更高性能的化合物半导体外延基板及其制造方法。化合物半导体外延基板具有电子移动的通道层以及位于通道层的前侧和背侧的外延层，并且，位于通道层的背侧的外延层中每单位面积的p型载流子浓度总量A(/cm2)、位于通道层的前侧的外延层中每单位面积的p型载流子浓度总量B(/cm2)满足下式(1)。0＜A/B≤3.5(1)。在此，A＝(位于通道层的背侧的外延层中含有的活性状态的受主杂质提供的总p型载流子浓度)×(位于背侧的外延层的总厚度)，B＝(位于通道层的前侧的外延层中含有的活性状态的受主杂质提供的总p型载流子浓度)×(位于前侧的外延层的总厚度)。

公开(公告)号：CN102369594A

公开(公告)日：2012-03-07

申请号：CN201080014373.4

申请日：2010-04-02

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 中野强

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7786 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66856 ,  H01L29/7785 ,  H01L29/812

Abstract: 提供改善了电压-电流特性线性度的高性能化合物半导体外延基板、其制造方法及其判定方法。提供一种半导体基板，具备：生成二维载流子气体的化合物半导体；对该化合物半导体供给载流子的载流子供给半导体；以及迁移率降低半导体，其配置于该化合物半导体与该载流子供给半导体之间，并具有使载流子的迁移率小于该化合物半导体中的载流子的迁移率的迁移率降低因素。

公开(公告)号：CN102414789A

公开(公告)日：2012-04-11

申请号：CN201080019105.1

申请日：2010-04-02

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 西川直宏 ,  中野强 ,  井上孝行

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/331 ,  H01L21/338 ,  H01L29/737 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L21/02395 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/20 ,  H01L29/7371 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/8605

Abstract: 本发明提供一种适合在单一半导体基板上形成如HBT及FET的多个不同种类的器件的半导体基板的制造方法。该方法是反复进行多个阶段来制造多个半导体基板的方法，该多个阶段包含在使半导体结晶生长的反应容器内导入包含具有第1杂质原子作为构成要素的单质或化合物的第1杂质气体的阶段；该方法在导入第1杂质气体的阶段之后包括：取出制成的半导体基板的阶段、向反应容器内设置第1半导体的阶段、向反应容器内导入第2杂质气体的阶段，该第2杂质气体包含具有在第1半导体内显示与第1杂质原子相反的传导型的第2杂质原子作为构成要素的单质或化合物；在第2杂质气体的气氛中加热第1半导体的阶段，在已加热的第1半导体上使第2半导体结晶生长的阶段。

公开(公告)号：CN102301452A

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN201080005574.8

申请日：2010-01-26

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 秦淳也 ,  中野强

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7785 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262

Abstract: 包括：在反应容器内部设置基底基板(base wafer)的阶段；以及对上述反应容器供给由3族元素的有机金属化合物构成的3族原料气、由5族元素构成的5族原料气体、及在半导体内被掺杂含施主杂质的杂质气体，在基底基板上使p型3-5族化合物半导体外延生长的阶段；其中，使p型3-5族化合物半导体在基底基板上结晶外延生长的阶段中，将杂质气体的流量、以及5族原料气体相对于3族原料气体的流量比设定成p型3-5族化合物半导体的残留载流子浓度N(cm-3)及厚度d(cm)的积N×d(cm-2)为8.0×1011以下的状态。

公开(公告)号：CN102792430A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201180013776.1

申请日：2011-04-21

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 西川直宏 ,  中野强 ,  井上孝行

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/20 ,  H01L27/095 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7785 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0262 ,  H01L27/085 ,  H01L29/207 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/812

Abstract: 本发明提供一种半导体基板，具备：基底基板；第1半导体部，形成在基底基板上，具有包含第1传导型的多数载流子的第1沟道层；分离层，形成在第1半导体部的上方，具有提供比第1半导体部的杂质能级更深的杂质能级的杂质；以及第2半导体部，形成在分离层的上方，具有包含与第1传导型相反的第2传导型的多数载流子的第2沟道层。

公开(公告)号：CN101484986A

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：CN200780025186.4

申请日：2007-05-28

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 中野强

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/201 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明提供电子迁移率特性获得改善的更高性能的化合物半导体外延基板及其制造方法。化合物半导体外延基板具有电子移动的通道层以及位于通道层的前侧和背侧的外延层，并且，位于通道层的背侧的外延层中每单位面积的p型载流子浓度总量A(/cm2)、位于通道层的前侧的外延层中每单位面积的p型载流子浓度总量B(/cm2)满足下式(1)。0＜A/B≤3.5(1)。在此，A＝(位于通道层的背侧的外延层中含有的活性状态的受主杂质提供的总p型载流子浓度)×(位于背侧的外延层的总厚度)，B＝(位于通道层的前侧的外延层中含有的活性状态的受主杂质提供的总p型载流子浓度)×(位于前侧的外延层的总厚度)。