公开(公告)号：CN101611471B

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN200880004854.X

申请日：2008-02-12

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 秦雅彦 ,  佐泽洋幸 ,  西川直宏

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/338 ,  H01L29/207 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7783 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207 ,  H01L29/66462

Abstract: 本发明提供一种场效应晶体管用外延基板，场效应晶体管用外延基板在衬底基板和工作层之间设有含有Ga的氮化物系III-V族半导体外延结晶，氮化物系III-V族半导体外延结晶含有(i)、(ii)及(iii)。(i)第一缓冲层，其含有Ga或Al，并且包括添加了元素周期表中处于与Ga同一周期且原子序号小的补偿杂质元素的高电阻结晶层；(ii)第二缓冲层，其层叠于第一缓冲层的工作层侧，并含有Ga或Al；(iii)高纯度外延结晶层，其设于高电阻结晶层和工作层之间，并不含有或含有能够维持耗尽状态的程度的微量受主杂质。

公开(公告)号：CN102414789A

公开(公告)日：2012-04-11

申请号：CN201080019105.1

申请日：2010-04-02

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 西川直宏 ,  中野强 ,  井上孝行

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/331 ,  H01L21/338 ,  H01L29/737 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L21/02395 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/20 ,  H01L29/7371 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/8605

Abstract: 本发明提供一种适合在单一半导体基板上形成如HBT及FET的多个不同种类的器件的半导体基板的制造方法。该方法是反复进行多个阶段来制造多个半导体基板的方法，该多个阶段包含在使半导体结晶生长的反应容器内导入包含具有第1杂质原子作为构成要素的单质或化合物的第1杂质气体的阶段；该方法在导入第1杂质气体的阶段之后包括：取出制成的半导体基板的阶段、向反应容器内设置第1半导体的阶段、向反应容器内导入第2杂质气体的阶段，该第2杂质气体包含具有在第1半导体内显示与第1杂质原子相反的传导型的第2杂质原子作为构成要素的单质或化合物；在第2杂质气体的气氛中加热第1半导体的阶段，在已加热的第1半导体上使第2半导体结晶生长的阶段。

公开(公告)号：CN101218688A

公开(公告)日：2008-07-09

申请号：CN200680024736.6

申请日：2006-07-05

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 西川直宏 ,  上田和正 ,  笠原健司 ,  土田良彦

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01L33/007 ,  H01L33/22

Abstract: 本发明提供一种基板及半导体发光元件。基板形成具有曲面的凸部而成。半导体发光元件包括形成具有曲面的凸部而成的基板和在基板上的半导体层。

公开(公告)号：CN101218688B

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN200680024736.6

申请日：2006-07-05

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 西川直宏 ,  上田和正 ,  笠原健司 ,  土田良彦

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01L33/007 ,  H01L33/22

Abstract: 本发明提供一种基板及半导体发光元件。基板形成具有曲面的凸部而成。半导体发光元件包括形成具有曲面的凸部而成的基板和在基板上的半导体层。

公开(公告)号：CN1763049B

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN200510108383.5

申请日：2005-10-13

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 松原政信 ,  岛田健 ,  西川直宏 ,  门田阳一

IPC: C07F5/00 ,  H01L21/20

CPC classification number: C30B29/406 ,  C07F5/00 ,  C30B25/02

Abstract: 本发明提供一种三甲基镓以及一种制造该三甲基镓的方法。该三甲基镓具有小于0.1ppm的总有机硅化合物含量；且该方法包括：水解作为原材料的三甲基铝；以一溶剂萃取所含有的有机硅化合物；藉由气相色谱-质谱法对甲基三乙基硅烷进行定量；选择具有小于0.5ppm甲基三乙基硅烷含量的三甲基铝作为原材料；藉由蒸馏进行提纯；接着与氯化镓反应；并且随后蒸馏反应物溶液以获得三甲基镓。

公开(公告)号：CN101061571B

公开(公告)日：2010-05-05

申请号：CN200580039647.4

申请日：2005-11-22

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 上田和正 ,  西川直宏

IPC: H01L21/205 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647 ,  H01L51/5048 ,  H01L51/5268

Abstract: 本发明提供一种半导体层叠基板、其制造方法以及发光元件。是具有半导体层的半导体层叠基板，该半导体层包含除了金属氮化物的无机粒子(二氧化硅、氧化铝、氧化锆、二氧化钛、二氧化铈、氧化镁、氧化锌、氧化锡、钇铝石榴石等)，半导体层叠基板的制造方法包括以下的工序(a)和工序(b)，(a)是在基板上配置除了金属氮化物的无机粒子的工序；(b)是使半导体层生长的工序，发光元件包含所述的半导体层叠基板。

公开(公告)号：CN101611479B

公开(公告)日：2012-05-02

申请号：CN200880004951.9

申请日：2008-02-07

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 西川直宏 ,  佐泽洋幸 ,  秦雅彦

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7783

Abstract: 本发明提供一种氮化镓系外延结晶、其制造方法及场效应晶体管。氮化镓系外延结晶包含衬底基板和(a)～(e)层，并且为了电连接第一缓冲层与p传导型半导体结晶层，将包含氮化镓系结晶的连接层配置在非氮化镓系的绝缘层的开口部，所述(a)～(e)层为：(a)栅极层；(b)包括与栅极层的衬底基板侧界面相接的通道层的高纯度的第一缓冲层；(c)配置在第一缓冲层的衬底基板侧的第二缓冲层；(d)配置在第二缓冲层的衬底基板侧且其一部分具有开口部的非氮化镓系的绝缘层；以及，(e)配置在绝缘层的衬底基板侧的p传导型半导体结晶层。

公开(公告)号：CN101432850A

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：CN200780008086.0

申请日：2007-03-08

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 上田和正 ,  西川直宏 ,  笠原健司

IPC: H01L21/205 ,  C30B29/38 ,  H01L33/00 ,  H01S5/323

Abstract: 本发明涉及III－V族氮化物半导体基板的制造方法。本发明的III－V族氮化物半导体基板的制造方法包括工序(I－1)～(I－6)：(I－1)在衬底基板上配置无机粒子；(I－2)以无机粒子为蚀刻掩模，干法蚀刻衬底基板，在衬底基板上形成凸部；(I－3)在衬底基板上形成外延生长掩模用的被膜；(I－4)去除无机粒子形成衬底基板的露出面；(I－5)在衬底基板的露出面上生长III－V族氮化物半导体；(I－6)将III－V族氮化物半导体与衬底基板分离。此外，本发明的III－V族氮化物半导体基板的制造方法包括工序(II－1)～(II－7)：(II－1)在衬底基板上配置无机粒子；(II－2)以无机粒子为蚀刻掩模，干法蚀刻衬底基板，在衬底基板上形成凸部；(II－3)去除无机粒子；(II－4)在衬底基板上形成外延生长掩模用的被膜；(II－5)去除凸部的顶部的被膜形成衬底基板的露出面；(II－6)在衬底基板的露出面上生长III－V族氮化物半导体；(II－7)将III－V族氮化物半导体与衬底基板分离。

公开(公告)号：CN100472718C

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：CN200680008951.7

申请日：2006-03-20

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 上田和正 ,  西川直宏 ,  土田良彦

IPC: H01L21/205 ,  H01L33/00 ,  C23C16/01 ,  C23C16/34

Abstract: 本发明提供自支撑衬底、其制造方法及半导体发光元件。自支撑衬底包括半导体层和无机粒子，并且无机粒子被包含在半导体层中。自支撑衬底的制造方法依次包括以下的工序(a)～(c)。(a)在衬底上配置无机粒子的工序、(b)生长半导体层的工序、(c)将半导体层与衬底分离的工序。另外，自支撑衬底的制造方法依次包括以下的工序(s1)、(a)、(b)及(c)。(s1)在衬底上生长缓冲层的工序、(a)在缓冲层上配置无机粒子的工序、(b)生长半导体层的工序、(c)将半导体层与衬底分离的工序。半导体发光元件包括所述的自支撑衬底、传导层、发光层及电极。

公开(公告)号：CN101180710A

公开(公告)日：2008-05-14

申请号：CN200680017368.2

申请日：2006-05-02

Applicant: 住友化学株式会社 ,  国立大学法人三重大学

Inventor： 平松和政 ,  三宅秀人 ,  土田良彦 ,  小野善伸 ,  西川直宏

IPC: H01L21/205 ,  H01L33/00 ,  C30B29/38 ,  H01S5/323

Abstract: 本发明提供一种第3－5族氮化物半导体多层衬底(1)和用于制备这种衬底的方法。在底部衬底(11)上形成半导体层(12)，并且在所述半导体层(12)上形成掩模(13)。然后，在通过选择性生长形成第3－5族氮化物半导体结晶层(14)之后，将第3－5族氮化物半导体结晶层(14)和所述底部衬底(11)相互分离。所述半导体层(12)的结晶性低于第3－5族氮化物半导体结晶层(14)的结晶性。