公开(公告)号：CN102301452A

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN201080005574.8

申请日：2010-01-26

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 秦淳也 ,  中野强

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7785 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262

Abstract: 包括：在反应容器内部设置基底基板(base wafer)的阶段；以及对上述反应容器供给由3族元素的有机金属化合物构成的3族原料气、由5族元素构成的5族原料气体、及在半导体内被掺杂含施主杂质的杂质气体，在基底基板上使p型3-5族化合物半导体外延生长的阶段；其中，使p型3-5族化合物半导体在基底基板上结晶外延生长的阶段中，将杂质气体的流量、以及5族原料气体相对于3族原料气体的流量比设定成p型3-5族化合物半导体的残留载流子浓度N(cm-3)及厚度d(cm)的积N×d(cm-2)为8.0×1011以下的状态。