公开(公告)号：CN102414789A

公开(公告)日：2012-04-11

申请号：CN201080019105.1

申请日：2010-04-02

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 西川直宏 ,  中野强 ,  井上孝行

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/331 ,  H01L21/338 ,  H01L29/737 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L21/02395 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/20 ,  H01L29/7371 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/8605

Abstract: 本发明提供一种适合在单一半导体基板上形成如HBT及FET的多个不同种类的器件的半导体基板的制造方法。该方法是反复进行多个阶段来制造多个半导体基板的方法，该多个阶段包含在使半导体结晶生长的反应容器内导入包含具有第1杂质原子作为构成要素的单质或化合物的第1杂质气体的阶段；该方法在导入第1杂质气体的阶段之后包括：取出制成的半导体基板的阶段、向反应容器内设置第1半导体的阶段、向反应容器内导入第2杂质气体的阶段，该第2杂质气体包含具有在第1半导体内显示与第1杂质原子相反的传导型的第2杂质原子作为构成要素的单质或化合物；在第2杂质气体的气氛中加热第1半导体的阶段，在已加热的第1半导体上使第2半导体结晶生长的阶段。

公开(公告)号：CN102792430A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201180013776.1

申请日：2011-04-21

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 西川直宏 ,  中野强 ,  井上孝行

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/20 ,  H01L27/095 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7785 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0262 ,  H01L27/085 ,  H01L29/207 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/812

Abstract: 本发明提供一种半导体基板，具备：基底基板；第1半导体部，形成在基底基板上，具有包含第1传导型的多数载流子的第1沟道层；分离层，形成在第1半导体部的上方，具有提供比第1半导体部的杂质能级更深的杂质能级的杂质；以及第2半导体部，形成在分离层的上方，具有包含与第1传导型相反的第2传导型的多数载流子的第2沟道层。