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公开(公告)号:CN101084566A
公开(公告)日:2007-12-05
申请号:CN200580039492.4
申请日:2005-10-04
Applicant: 伊利诺伊大学受托管理委员会
Abstract: 本发明的一个实施例为包括包封在电介质内的第一电极(230)的微放电装置,该电介质可以为纳米孔介电膜。提供也可以用电介质包封的第二电极(240)。这些电极配置成,当时变(AC、RF、双极或脉冲DC等)电势施加在电极之间时,在微腔内触发放电。在本发明的具体实施例中,第二电极可以是覆盖微腔开口的网,且该微腔在一端闭合。在本发明的一些实施例中,该第二电极可直接接触第一电极。在其他实施例中,一间隙分隔这些电极。在具有包封电极的微放电装置的优选制造方法中,金属基板用于形成纳米孔介电包封电极并溶解介电层的一部分。该介电层随后再次被阳极化,形成纳米孔介电包封电极,其纳米尺寸介电结构具有改善的规则性。在本发明的一些实施例中,电介质内的柱状孔洞可以用一种或多种材料回填,以进一步调整电介质的性能。
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公开(公告)号:CN101310353A
公开(公告)日:2008-11-19
申请号:CN200680006484.4
申请日:2006-01-24
Applicant: 伊利诺伊大学受托管理委员会
Inventor: J·加里·伊登 , 陈国峰 , 内尔斯·P·奥斯特罗姆 , 朴晟镇
IPC: H01J1/62
CPC classification number: H01J61/09 , H01J1/025 , H01J9/02 , H01J17/066 , H01J37/32018 , H01J37/32596 , H01J65/046
Abstract: 一种制造微空腔放电装置和装置阵列的方法。所述装置通过在第一导电层或基底(210、1010)上层叠电介质(1020、220)而制造。第二导电层或结构覆盖在所述介电层上。在一些装置中,产生贯穿所述第二导电层或结构和所述介电层的微空腔(1040、212)。在其它装置中,所述微空腔贯穿至所述第一导电层。所述第二导电层或结构与所述微空腔的内表面一起用第二介电层覆盖。随后用放电气体填充所述微空腔。当合适大小的时变电位施加到所述导体之间时,在所述微空腔内产生微等离子体放电。由于所述导体被封装,保护导体免于由于暴露于等离子体而产生的退化,所以这些装置可以展示出延长的寿命。一些这些装置是柔性的并且可以选择所述电介质从而起镜子的作用。
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公开(公告)号:CN101019200A
公开(公告)日:2007-08-15
申请号:CN200580030825.7
申请日:2005-07-12
Applicant: 伊利诺伊大学受托管理委员会
CPC classification number: H01J1/025 , B82Y10/00 , H01J3/025 , H01J17/066 , H01J63/02 , H01J2201/30469 , H01J2217/49
Abstract: 本发明提供一种场发射纳米结构(18),其辅助微放电器件的工作。该场发射纳米结构被集成到微放电器件中或被定位在微放电器件的电极(14,16,36,38)的附近。与没有场发射纳米结构的其他相同的器件相比,该场发射纳米结构降低了工作和启动电压,同时也增加了微放电器件的辐射输出。
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