公开(公告)号：CN101019200A

公开(公告)日：2007-08-15

申请号：CN200580030825.7

申请日：2005-07-12

Applicant: 伊利诺伊大学受托管理委员会

Inventor： 朴晟镇 ,  J·加里·伊登 ,  朴璟虎

IPC: H01J1/62 ,  H01J1/02

CPC classification number: H01J1/025 ,  B82Y10/00 ,  H01J3/025 ,  H01J17/066 ,  H01J63/02 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2217/49

Abstract: 本发明提供一种场发射纳米结构(18)，其辅助微放电器件的工作。该场发射纳米结构被集成到微放电器件中或被定位在微放电器件的电极(14，16，36，38)的附近。与没有场发射纳米结构的其他相同的器件相比，该场发射纳米结构降低了工作和启动电压，同时也增加了微放电器件的辐射输出。