公开(公告)号：CN101310353A

公开(公告)日：2008-11-19

申请号：CN200680006484.4

申请日：2006-01-24

Applicant: 伊利诺伊大学受托管理委员会

Inventor： J·加里·伊登 ,  陈国峰 ,  内尔斯·P·奥斯特罗姆 ,  朴晟镇

IPC: H01J1/62

CPC classification number: H01J61/09 ,  H01J1/025 ,  H01J9/02 ,  H01J17/066 ,  H01J37/32018 ,  H01J37/32596 ,  H01J65/046

Abstract: 一种制造微空腔放电装置和装置阵列的方法。所述装置通过在第一导电层或基底(210、1010)上层叠电介质(1020、220)而制造。第二导电层或结构覆盖在所述介电层上。在一些装置中，产生贯穿所述第二导电层或结构和所述介电层的微空腔(1040、212)。在其它装置中，所述微空腔贯穿至所述第一导电层。所述第二导电层或结构与所述微空腔的内表面一起用第二介电层覆盖。随后用放电气体填充所述微空腔。当合适大小的时变电位施加到所述导体之间时，在所述微空腔内产生微等离子体放电。由于所述导体被封装，保护导体免于由于暴露于等离子体而产生的退化，所以这些装置可以展示出延长的寿命。一些这些装置是柔性的并且可以选择所述电介质从而起镜子的作用。

公开(公告)号：CN101019200A

公开(公告)日：2007-08-15

申请号：CN200580030825.7

申请日：2005-07-12

Applicant: 伊利诺伊大学受托管理委员会

Inventor： 朴晟镇 ,  J·加里·伊登 ,  朴璟虎

IPC: H01J1/62 ,  H01J1/02

CPC classification number: H01J1/025 ,  B82Y10/00 ,  H01J3/025 ,  H01J17/066 ,  H01J63/02 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2217/49

Abstract: 本发明提供一种场发射纳米结构(18)，其辅助微放电器件的工作。该场发射纳米结构被集成到微放电器件中或被定位在微放电器件的电极(14，16，36，38)的附近。与没有场发射纳米结构的其他相同的器件相比，该场发射纳米结构降低了工作和启动电压，同时也增加了微放电器件的辐射输出。