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公开(公告)号:CN102272937B
公开(公告)日:2014-03-26
申请号:CN201080002210.4
申请日:2010-03-29
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/032
CPC classification number: H01L31/0322 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种光电转换装置的制法,其包括:向含有包含I-B族元素、III-B族元素和硫属元素的单源前体的有机溶剂中,添加III-B族元素的硫属化物粉末,制作半导体形成用溶液的工序;使用所述半导体形成用溶液来形成含有I-III-VI族化合物的半导体的工序。
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公开(公告)号:CN102549764A
公开(公告)日:2012-07-04
申请号:CN201080045441.3
申请日:2010-12-16
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L31/04 , H01L21/208
CPC classification number: H01L31/0749 , H01L21/02551 , H01L21/02568 , H01L21/02601 , H01L21/02628 , H01L31/0322 , H01L31/046 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的目的在于提供可容易制造所期望的厚度的良好的半导体层的半导体层的制造方法、光电转换装置的制造方法和半导体层形成用溶液。为了达成该目的,首先制成含有金属元素、含硫属元素的有机化合物和路易斯碱性有机化合物的原料溶液。然后,通过对所述原料溶液进行加热,从而制成多个微粒。该多个微粒含有作为所述金属元素和包含在所述含硫属元素的有机化合物中的硫属元素的化合物的金属硫属化物。随后,使用分散有所述多个微粒的半导体层形成用溶液来形成半导体层。
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公开(公告)号:CN102334193A
公开(公告)日:2012-01-25
申请号:CN201080009244.6
申请日:2010-06-29
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/1868 , Y02E10/50 , Y02P70/521 , Y10T29/5313
Abstract: 提供一种光电转换元件的制造方法、光电转换元件的制造装置及光电转换元件。本发明的光电转换元件的制造方法的一实施方式具备:对在一对第一及第二电极间具有包括半导体层的光电转换体的构造体确定物性异常部位的确定工序以及通过机械加工分离所述物性异常部位的分离工序。
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公开(公告)号:CN102272937A
公开(公告)日:2011-12-07
申请号:CN201080002210.4
申请日:2010-03-29
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/0322 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种光电转换装置的制法,其包括:向含有包含I-B族元素、III-B族元素和硫属元素的单源前体的有机溶剂中,添加III-B族元素的硫属化物粉末,制作半导体形成用溶液的工序;使用所述半导体形成用溶液来形成含有I-III-VI族化合物的半导体的工序。
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公开(公告)号:CN117501621A
公开(公告)日:2024-02-02
申请号:CN202280043410.7
申请日:2022-06-15
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H02S40/34
Abstract: 具备太阳能电池的板条构件(3s)具备:板状的板条主体部(31);固定于该板状的板条主体部(31)的板状的太阳能电池单元(32);和连接箱(33)。板状的板条主体部(31)具有第1面(31f)、与该第1面(31f)相反的第2面(31s)以及第1侧面(31t),并且具有沿着第1方向的长边方向,其中,该第1方向沿着第1面(31f)。板状的太阳能电池单元(32)具有位于第1面(31f)侧的第3面(32s)、与该第3面(32s)相反的第4面(32f)、和将第3面(32s)和第4面(32f)连接的第2侧面(32t),并且具有沿着第1方向的长边方向。连接箱(33)具有导体部(33m)、外壳部(33b)以及布线线缆(33c)。导体部(33m)连接与板状的太阳能电池单元(32)的电极连接的布线材料。外壳部(33b)存放导体部(33m)且沿着第1侧面(31t)以及第2侧面(32t)当中的1个以上的侧面而设置。布线线缆(33c)与导体部(33m)电连接且从外壳部(33b)内向该外壳部(33b)外突出。
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公开(公告)号:CN102246316B
公开(公告)日:2014-07-02
申请号:CN201080003522.7
申请日:2010-09-29
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L31/0749 , H01L31/0224 , H01L27/142
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L31/046 , H01L31/0465 , H01L31/0749 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种光电转换效率高的光电转换装置。光电转换装置(21)具备:基板(1);设置于基板(1)上且包含金属元素的多个下部电极(2);设置于多个下部电极(2)上且在下部电极(2)上彼此分离的包含硫属化合物半导体的多个光电转换层(33);设置于下部电极(2)和光电转换层(33)之间、且包含上述金属元素和上述硫属化合物半导体所含有的硫属元素的金属硫属化合物层(8);设置于光电转换层(33)上的上部电极(5);在多个光电转换层(33)之间,未经由金属硫属化合物层(8)而将上部电极(5)和下部电极(2)电连接的连接导体(7)。
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公开(公告)号:CN102246316A
公开(公告)日:2011-11-16
申请号:CN201080003522.7
申请日:2010-09-29
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L31/046 , H01L31/0465 , H01L31/0749 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种光电转换效率高的光电转换装置。光电转换装置(21)具备:基板(1);设置于基板(1)上且包含金属元素的多个下部电极(2);设置于多个下部电极(2)上且在下部电极(2)上彼此分离的包含硫属化合物半导体的多个光电转换层(33);设置于下部电极(2)和光电转换层(33)之间、且包含上述金属元素和上述硫属化合物半导体所含有的硫属元素的金属硫属化合物层(8);设置于光电转换层(33)上的上部电极(5);在多个光电转换层(33)之间,未经由金属硫属化合物层(8)而将上部电极(5)和下部电极(2)电连接的连接导体(7)。
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