矩阵式射频开关智能切换控制系列

    公开(公告)号:CN1716682A

    公开(公告)日:2006-01-04

    申请号:CN200510088954.3

    申请日:2005-08-03

    Abstract: 本发明公开了一种矩阵式射频开关智能切换控制系列,由矩阵开关单元、监控板、OMT监控器、N路输入设备接口、N路输出设备接口和电源组成。N×N矩阵开关单元由2N个子单元组成,各子单元由N-1个单刀双掷射频开关组成,相当于单刀N掷射频开关;由监控板根据监控器的近端、远程选择或预先设置的参数实施对矩阵开关的手工或自动切换,实现智能化控制,将N路射频输入接口中的任一路从N路输出接口中的任一路输出,信号传输一对一完成,两路输入信号不会同时从同一输出端口输出,信号路间具有高隔离度,相互间不干扰。本发明切换速度快,隔离度高,结构简约,智能控制,电缆布局整齐,可大幅提高整机系统可靠性,可实现对大功率射频的快速切换。

    一种半导体器件的加热方法及装置

    公开(公告)号:CN102163583A

    公开(公告)日:2011-08-24

    申请号:CN201110028275.2

    申请日:2011-01-26

    CPC classification number: H01L2924/0002 H01L2924/00

    Abstract: 本发明公开了一种半导体器件的加热方法,其包括利用电加热体对PCB板上的需要加热的半导体器件进行加热的步骤,所述电加热体先将所述PCB板的底座加热,再通过底座传热到所述半导体器件。本发明的加热方法利用电加热体对PCB板的底座加热,通过底座再传热到半导体器件,因此,系统温升比较均匀,半导体器件上下表面温差较小,焊脚不会产生应力变形等不利影响;并且,半导体器件正常工作时,对半导体器件正常工作的散热没有影响。同时本发明还公开了一种半导体器件的加热装置。

    一种半导体器件的加热方法及装置

    公开(公告)号:CN102163583B

    公开(公告)日:2014-08-13

    申请号:CN201110028275.2

    申请日:2011-01-26

    CPC classification number: H01L2924/0002 H01L2924/00

    Abstract: 本发明公开了一种半导体器件的加热方法,其包括利用电加热体对PCB板上的需要加热的半导体器件进行加热的步骤,所述电加热体先将所述PCB板的底座加热,再通过底座传热到所述半导体器件。本发明的加热方法利用电加热体对PCB板的底座加热,通过底座再传热到半导体器件,因此,系统温升比较均匀,半导体器件上下表面温差较小,焊脚不会产生应力变形等不利影响;并且,半导体器件正常工作时,对半导体器件正常工作的散热没有影响。同时本发明还公开了一种半导体器件的加热装置。

    矩阵式射频开关智能切换控制系统

    公开(公告)号:CN1716682B

    公开(公告)日:2012-01-04

    申请号:CN200510088954.3

    申请日:2005-08-03

    Abstract: 本发明公开了一种矩阵式射频开关智能切换控制系列,由矩阵开关单元、监控板、OMT监控器、N路输入设备接口、N路输出设备接口和电源组成。N×N矩阵开关单元由2N个子单元组成,各子单元由N-1个单刀双掷射频开关组成,相当于单刀N掷射频开关;由监控板根据监控器的近端、远程选择或预先设置的参数实施对矩阵开关的手工或自动切换,实现智能化控制,将N路射频输入接口中的任一路从N路输出接口中的任一路输出,信号传输一对一完成,两路输入信号不会同时从同一输出端口输出,信号路间具有高隔离度,相互间不干扰。本发明切换速度快,隔离度高,结构简约,智能控制,电缆布局整齐,可大幅提高整机系统可靠性,可实现对大功率射频的快速切换。

    矩阵式射频开关智能切换控制系列

    公开(公告)号:CN2847753Y

    公开(公告)日:2006-12-13

    申请号:CN200520110319.6

    申请日:2005-06-21

    Abstract: 矩阵式射频开关智能切换控制系列由矩阵开关单元、监控板、OMT监控器、N路输入设备接口、N路输出设备接口和电源组成。N×N矩阵开关单元由2N个子单元组成,各子单元由N-1个单刀双掷射频开关组成,相当于单刀N掷射频开关;由监控板根据OMT监控器近端、远程选择或预先设置的参数实施对矩阵开关的手工或自动切换,实现智能化控制,将N路射频输入设备接口中的任意一路从N路输出设备接口中的任意一路输出,信号传输一对一完成,两路输入信号不会同时从同一输出端口输出,信号路间具有高隔离度,相互间不干扰。本实用新型切换速度快,隔离度高,结构简约,智能控制,电缆布局整齐,可大幅提高整机系统可靠性,可实现对大功率射频的快速切换。

    一种半导体器件的加热装置

    公开(公告)号:CN201946584U

    公开(公告)日:2011-08-24

    申请号:CN201120025808.7

    申请日:2011-01-26

    CPC classification number: H01L2924/0002 H01L2924/00

    Abstract: 本实用新型公开了一种半导体器件的加热装置,其包括导热的底座、固定于底座上的PCB板、设于PCB板上的需要加热的半导体器件以及电加热体,在所述底座上分别设有第一腔室和第二腔室,所述需要加热的半导体器件容纳于该第一腔室内,且该半导体器件的顶面与该第一腔室的底面直接接触或者通过设于两者之间的导热体接触,所述加热体固定于该第二腔室内。本实用新型的加热装置利用电加热体对PCB板的底座加热,通过底座再传热到半导体器件,因此,系统温升比较均匀,半导体器件上下表面温差较小,焊脚不会产生应力变形等不利影响;并且,半导体器件正常工作时,对半导体器件正常工作的散热没有影响。

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