公开(公告)号：CN115990802A

公开(公告)日：2023-04-21

申请号：CN202310284719.1

申请日：2023-03-22

Applicant: 之江实验室

Inventor： 王海涛 ,  胡家兴 ,  余辉

IPC: B24B7/22 ,  B24B41/06 ,  B24B37/10 ,  B24B37/30

Abstract: 本申请涉及一种载具和抛光设备。载具包括本体以及芯片槽。本体包括抛光侧和组装侧。所述组装侧用于与抛光设备连接。芯片槽设置于所述抛光侧。所述芯片槽包括底面。所述底面用于与裸晶芯片可拆卸连接。所述芯片槽的深度小于所述裸晶芯片的厚度。本申请的载具设置简单，并且能够实现用现有的抛光技术和抛光设备对裸晶芯片进行打磨和抛光，有利于提高裸晶芯片后续加工的良品率，并且无需重新开发和设计新的抛光设备，降低抛光成本。

公开(公告)号：CN117888080A

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202410294017.6

申请日：2024-03-14

Applicant: 之江实验室

Inventor： 夏志强 ,  余辉 ,  朱洪力 ,  胡家兴 ,  洪悦 ,  邹黎明 ,  穆堂杰

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/513 ,  C23C16/455

Abstract: 本申请公开二氧化硅薄膜及其制备方法。制备方法采用PECVD工艺，包括如下：S1）将衬底置于反应腔内，加热直至反应腔内部温度为第一温度预设值，并保持第一预设时长；S2）对反应腔抽真空至第一压力预设值，反应腔内的温度值为第一温度预设值；S3）向反应腔内通入TEOS气体，反应腔内的温度值为第二温度预设值，真空度为第二压力预设值；S4）开启射频电源，反应腔内的温度值为第三温度预设值，以及反应腔内的真空度为第三压力预设值，在衬底上沉积二氧化硅薄膜，以获得所需的二氧化硅薄膜。第一温度预设值、第二温度预设值和第三温度预设值为0℃‑80℃。由于采用TEOS源并结合前述工艺条件，形成的二氧化硅薄膜耐腐蚀性好。