公开(公告)号：CN102197487A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN200980142276.0

申请日：2009-10-15

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 西胁刚 ,  齐藤顺

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/66348

Abstract: 本发明提供一种即使产生杂质浓度的制造误差，通态电压也不易产生误差的绝缘栅双极性晶体管及绝缘栅双极性晶体管的制造方法。一种在第2导电型的体区内形成有第1导电型的浮置区的垂直型绝缘栅双极性晶体管，其中，在浮置区与其上侧的体区之间的边界部附近的第1导电型杂质浓度，以从上侧到下侧趋于上升的方式分布，在浮置区与其下侧的体区之间的边界部附近的第1导电型杂质浓度，以从上侧到下侧趋于下降的方式分布，在浮置区与其上侧的体区之间的边界部附近的第2导电型杂质浓度，以从上侧到下侧趋于下降的方式分布，在浮置区与其下侧的体区之间的边界部附近的第2导电型杂质浓度，以从上侧到下侧趋于上升的方式分布。

公开(公告)号：CN108321082A

公开(公告)日：2018-07-24

申请号：CN201711383678.2

申请日：2017-12-20

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 西胁刚

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/268

CPC classification number: H01L21/2253 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324 ,  H01L27/0664

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，抑制在向半导体基板的表面照射光来激活杂质时半导体基板背面的温度上升。在光吸收层形成工序中，在具有表面和背面的半导体基板的表面上或内部形成光吸收率高于相邻半导体层的光吸收率的光吸收层。在此，以使光吸收层分布在比背面接近表面的范围内的方式形成光吸收层。在高浓度层形成工序中，通过向半导体基板注入杂质而形成杂质浓度上升的高浓度层。在加热工序中，通过对高浓度层进行加热而激活高浓度层内的杂质。光吸收层形成工序和高浓度层形成工序以使光吸收层与高浓度层至少局部重叠的方式实施。在对高浓度层进行加热的工序中，通过从表面侧朝着高浓度层照射光而对高浓度层进行加热。

公开(公告)号：CN103843142A

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201180073862.1

申请日：2011-09-28

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 妹尾贤 ,  宫城恭辅 ,  西胁刚 ,  斋藤顺

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66348 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/36 ,  H01L29/6634 ,  H01L29/7396 ,  H01L29/7397

Abstract: 本发明提供一种绝缘栅双极性晶体管及其制造方法，该绝缘栅双极性晶体管具备：发射区；顶部体区，其被形成在发射区的下侧；浮置区，其被形成在顶部体区的下侧；底部体区，其被形成在浮置区的下侧；沟槽；栅绝缘膜，其覆盖沟槽的内表面；栅电极，其被配置于沟槽的内部。在沿着半导体基板的厚度方向来观察与发射区相比位于下侧的顶部体区内和浮置区内的p型杂质浓度分布时，p型杂质浓度随着从与发射区相比位于下侧的顶部体区的上端趋向下侧而减少，且在浮置区内的预定深度处达到极小值。

公开(公告)号：CN108074810A

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201711123594.5

申请日：2017-11-14

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 细川博司 ,  岩崎真也 ,  西胁刚 ,  今井敦志 ,  大木周平

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/268 ,  H01L21/322 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L27/0716 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/268 ,  H01L21/8249 ,  H01L27/0727 ,  H01L29/08 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/32 ,  H01L29/36 ,  H01L29/407 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/8613 ,  H01L29/66348 ,  H01L21/322

Abstract: 本发明提供抑制阴极区域与晶体缺陷区域的相对位置偏离的半导体装置的制造方法。该制造方法是具备二极管的半导体装置的制造方法，具有：通过从半导体基板的第一表面和所述第一表面的相反侧的第二表面中的至少一方向所述半导体基板的第一范围和第二范围注入带电粒子，来使所述第一范围及所述第二范围的晶体缺陷密度上升的工序；通过从所述第一表面向所述第一范围注入n型杂质，来使所述第一范围的向所述第一表面露出的区域非晶形化的工序；在实施所述带电粒子的注入和所述n型杂质的注入后，通过将激光向所述第一表面照射来对所述第一范围和所述第二范围进行加热的工序；及在实施所述激光的照射以后使非晶形化的所述区域结晶化的工序。

公开(公告)号：CN103843142B

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：CN201180073862.1

申请日：2011-09-28

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 妹尾贤 ,  宫城恭辅 ,  西胁刚 ,  斋藤顺

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66348 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/36 ,  H01L29/6634 ,  H01L29/7396 ,  H01L29/7397

Abstract: 本发明提供一种绝缘栅双极性晶体管及其制造方法，该绝缘栅双极性晶体管具备：发射区；顶部体区，其被形成在发射区的下侧；浮置区，其被形成在顶部体区的下侧；底部体区，其被形成在浮置区的下侧；沟槽；栅绝缘膜，其覆盖沟槽的内表面；栅电极，其被配置于沟槽的内部。在沿着半导体基板的厚度方向来观察与发射区相比位于下侧的顶部体区内和浮置区内的p型杂质浓度分布时，p型杂质浓度随着从与发射区相比位于下侧的顶部体区的上端趋向下侧而减少，且在浮置区内的预定深度处达到极小值。

公开(公告)号：CN102197487B

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN200980142276.0

申请日：2009-10-15

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 西胁刚 ,  齐藤顺

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/66348

Abstract: 本发明提供一种即使产生杂质浓度的制造误差，通态电压也不易产生误差的绝缘栅双极性晶体管及绝缘栅双极性晶体管的制造方法。一种在第2导电型的体区内形成有第1导电型的浮置区的垂直型绝缘栅双极性晶体管，其中，在浮置区与其上侧的体区之间的边界部附近的第1导电型杂质浓度，以从上侧到下侧趋于上升的方式分布，在浮置区与其下侧的体区之间的边界部附近的第1导电型杂质浓度，以从上侧到下侧趋于下降的方式分布，在浮置区与其上侧的体区之间的边界部附近的第2导电型杂质浓度，以从上侧到下侧趋于下降的方式分布，在浮置区与其下侧的体区之间的边界部附近的第2导电型杂质浓度，以从上侧到下侧趋于上升的方式分布。