公开(公告)号：CN105793990A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201480066442.4

申请日：2014-10-07

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 町田悟 ,  山下侑佑 ,  妹尾贤 ,  大河原淳 ,  平林康弘 ,  细川博司

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/41 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/083 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/36 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8611

Abstract: 本发明涉及一种纵型半导体装置，其中，缓冲层具有n+型的第一缓冲区与n+型的第二缓冲区。第一缓冲区被形成于从半导体层的第一主面起的第一深度处，且该第一缓冲区的杂质浓度与漂移层的杂质浓度相比较浓。第二缓冲区被形成于从半导体层的第一主面起的与第一深度相比较浅的第二深度处，且该第二缓冲区的杂质浓度与漂移层的杂质浓度相比较浓。第一缓冲区在半导体层的第一深度的面内划定了开口。第二缓冲区在半导体层的第二深度的面内划定了开口。

公开(公告)号：CN105702718B

公开(公告)日：2018-10-30

申请号：CN201510918997.3

申请日：2015-12-10

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 平林康弘 ,  细川博司 ,  安田佳史 ,  添野明高 ,  妹尾贤 ,  町田悟 ,  山下侑佑

IPC: H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1095

Abstract: 本发明提供一种对两步式导通现象的产生进行抑制的反向导通绝缘栅双极性晶体管。反向导通绝缘栅双极性晶体管(1)的半导体层(10)具备n型的势垒区(18)，所述势垒区(18)被设置在体区(15)内，并且通过从半导体层(10)的表面(10B)延伸的柱区(19)而与发射极(24)电连接。势垒区(18)具有第一势垒部分区域(18a)及第二势垒部分区域(18b)，其中，所述第一势垒部分区域(18a)到漂移区(14)的距离为第一距离(18Da)，所述第二势垒部分区域(18b)到漂移区(14)的距离为与第一距离(18Da)相比较长的第二距离(18Db)。第二势垒部分区域(18b)与绝缘沟槽栅部(30)的侧面相接。

公开(公告)号：CN108074810A

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201711123594.5

申请日：2017-11-14

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 细川博司 ,  岩崎真也 ,  西胁刚 ,  今井敦志 ,  大木周平

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/268 ,  H01L21/322 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L27/0716 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/268 ,  H01L21/8249 ,  H01L27/0727 ,  H01L29/08 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/32 ,  H01L29/36 ,  H01L29/407 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/8613 ,  H01L29/66348 ,  H01L21/322

Abstract: 本发明提供抑制阴极区域与晶体缺陷区域的相对位置偏离的半导体装置的制造方法。该制造方法是具备二极管的半导体装置的制造方法，具有：通过从半导体基板的第一表面和所述第一表面的相反侧的第二表面中的至少一方向所述半导体基板的第一范围和第二范围注入带电粒子，来使所述第一范围及所述第二范围的晶体缺陷密度上升的工序；通过从所述第一表面向所述第一范围注入n型杂质，来使所述第一范围的向所述第一表面露出的区域非晶形化的工序；在实施所述带电粒子的注入和所述n型杂质的注入后，通过将激光向所述第一表面照射来对所述第一范围和所述第二范围进行加热的工序；及在实施所述激光的照射以后使非晶形化的所述区域结晶化的工序。

公开(公告)号：CN110911472A

公开(公告)日：2020-03-24

申请号：CN201910862120.5

申请日：2019-09-12

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 细川博司 ,  岩崎真也 ,  利田祐麻

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明提供一种绝缘栅双极型晶体管，在具有矩形沟槽的IGBT中抑制接触电阻的上升同时抑制闩锁。一种绝缘栅双极型晶体管，其中，具备配置于矩形沟槽内的栅电极。发射极区域与构成矩形沟槽的一边的直线沟槽接触。表层体区域在与发射极区域相邻的范围中与直线沟槽接触。体接触区域从直线沟槽的相反侧与发射极区域接触。体接触区域具有第一部分和相比第一部分向发射极区域侧突出的第二部分。第二部分与直线沟槽之间的发射极区域的宽度比第一部分与直线沟槽之间的发射极区域的宽度窄。

公开(公告)号：CN110277442A

公开(公告)日：2019-09-24

申请号：CN201910194403.7

申请日：2019-03-14

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 近藤圭一 ,  妹尾贤 ,  细川博司

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明的半导体装置具备：半导体基板、被设置于半导体基板的上表面上的多个沟槽、覆盖沟槽的内表面的绝缘膜、被配置于沟槽内的控制电极、上部电极和下部电极。半导体基板的二极管区具有：n型的旁路区，其与绝缘膜相接，并且与上部电极连接；p型的阳极接触区，其与上部电极连接；p型的体区，其被配置于旁路区与阳极接触区的下侧，且在旁路区的下侧处与绝缘膜相接；n型的漂移区，其在体区的下侧处与绝缘膜相接；n型的阴极区，其被配置于漂移区的下侧，且与下部电极连接。阳极接触区的下端的位置与旁路区的下端的位置相比靠下侧。

公开(公告)号：CN105702718A

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201510918997.3

申请日：2015-12-10

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 平林康弘 ,  细川博司 ,  安田佳史 ,  添野明高 ,  妹尾贤 ,  町田悟 ,  山下侑佑

IPC: H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/7395

Abstract: 本发明提供一种对两步式导通现象的产生进行抑制的反向导通绝缘栅双极性晶体管。反向导通绝缘栅双极性晶体管(1)的半导体层(10)具备n型的势垒区(18)，所述势垒区(18)被设置在体区(15)内，并且通过从半导体层(10)的表面(10B)延伸的柱区(19)而与发射极(24)电连接。势垒区(18)具有第一势垒部分区域(18a)及第二势垒部分区域(18b)，其中，所述第一势垒部分区域(18a)到漂移区(14)的距离为第一距离(18Da)，所述第二势垒部分区域(18b)到漂移区(14)的距离为与第一距离(18Da)相比较长的第二距离(18Db)。第二势垒部分区域(18b)与绝缘沟槽栅部(30)的侧面相接。