公开(公告)号：CN101675525A

公开(公告)日：2010-03-17

申请号：CN200880014873.0

申请日：2008-11-11

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 西田秀一 ,  大西丰和 ,  庄司智幸

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/407 ,  H01L29/7397

Abstract: 本发明提供一种在具有载流子屏蔽层的垂直型半导体装置中进一步降低通态电阻(或者通态电压)的技术。半导体装置(10)的半导体衬底(20)具有沟道区(10A)和非沟道区(10B)。在沟道区(10A)中设置有发射区(26)，其与沟槽栅(30)的侧面接触并与发射极(28)形成电连接。在非沟道区(10B)的体区(25)中没有设置发射区(26)。在俯视时，配置在非沟道区(10B)中的载流子屏蔽层(52)在非沟道区(10B)所占的占有面积比，要高于配置在沟道区(10A)中的载流子屏蔽层(52)在沟道区(10A)所占的占有面积比。

公开(公告)号：CN101675525B

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN200880014873.0

申请日：2008-11-11

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 西田秀一 ,  大西丰和 ,  庄司智幸

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/407 ,  H01L29/7397

Abstract: 本发明提供一种在具有载流子屏蔽层的垂直型半导体装置中进一步降低通态电阻(或者通态电压)的技术。半导体装置(10)的半导体衬底(20)具有沟道区(10A)和非沟道区(10B)。在沟道区(10A)中设置有发射区(26)，其与沟槽栅(30)的侧面接触并与发射极(28)形成电连接。在非沟道区(10B)的体区(25)中没有设置发射区(26)。在俯视时，配置在非沟道区(10B)中的载流子屏蔽层(52)在非沟道区(10B)所占的占有面积比，要高于配置在沟道区(10A)中的载流子屏蔽层(52)在沟道区(10A)所占的占有面积比。