公开(公告)号：CN103489969B

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201310225995.7

申请日：2013-06-07

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 寺西俊辅 ,  佐藤寿朗

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/02 ,  H01L33/04 ,  H01L33/06

Abstract: 本发明的课题是维持从半导体发光元件输出的光的波长的单一性，并且抑制与环境温度的上升相伴的发光效率的下降。本发明提供一种半导体发光元件，其具备含有n型杂质的n覆盖层（142）、层叠在n覆盖层（142）上的发光层（150）、和含有p型杂质并且层叠在发光层（150）上的p覆盖层（161）。发光层（150）具备第1势垒层（151a）～第8势垒层（151h）和第1阱层（152a）～第7阱层（152g），由两个势垒层夹持1个阱层。将第1阱层（152a）～第5阱层（152e）设为共同的基准阱厚度和共同的组成，并将第6阱层（152f）和第7阱层（152g）设为比共同的基准阱厚度厚的最大阱厚度且设为带隙比共同的组成大的组成。

公开(公告)号：CN103489969A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201310225995.7

申请日：2013-06-07

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 寺西俊辅 ,  佐藤寿朗

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/02 ,  H01L33/04 ,  H01L33/06

Abstract: 本发明的课题是维持从半导体发光元件输出的光的波长的单一性，并且抑制与环境温度的上升相伴的发光效率的下降。本发明提供一种半导体发光元件，其具备含有n型杂质的n覆盖层（142）、层叠在n覆盖层（142）上的发光层（150）、和含有p型杂质并且层叠在发光层（150）上的p覆盖层（161）。发光层（150）具备第1势垒层（151a）～第8势垒层（151h）和第1阱层（152a）～第7阱层（152g），由两个势垒层夹持1个阱层。将第1阱层（152a）～第5阱层（152e）设为共同的基准阱厚度和共同的组成，并将第6阱层（152f）和第7阱层（152g）设为比共同的基准阱厚度厚的最大阱厚度且设为带隙比共同的组成大的组成。