公开(公告)号：CN107910436B

公开(公告)日：2021-01-26

申请号：CN201711334594.X

申请日：2017-12-14

Applicant: 中国计量大学

Inventor： 李静 ,  贾钤淋 ,  彭晓领 ,  杨艳婷 ,  徐靖才 ,  王攀峰 ,  金红晓 ,  金顶峰 ,  洪波 ,  王新庆 ,  葛洪良

IPC: H01L41/20 ,  H01L41/47 ,  H01F41/14

Abstract: 本发明涉及一种复相多铁材料的制备方法。本发明在衬底上或施加电场使铁电衬底产生应力预变形，或通过机械装置在铁电衬底上施加拉应力或压应力产生预变形；在预变形的铁电薄膜衬底上通过脉冲激光沉积、磁控溅射、或分子束外延等方法生长铁磁性薄膜；在铁磁性薄膜制备完成后，移除铁电衬底上的电场或机械装置，获得复相多铁材料；铁电衬底在铁磁性薄膜的约束下无法再变回原来形状，因而在界面处产生应力，铁磁性薄膜的磁性受该应力的调控。本发明获得的复相多铁材料中预应力的存在，使得较小的外电场就可能改变铁磁性薄膜的磁化状态，降低了响应场。