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公开(公告)号：CN118702734A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410703056.7
申请日：2024-06-03
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明公开一种XantphosCuIN型咪唑配合物荧光粉及其制备方法和荧光传感应用。本发明杂化半导体荧光粉结构式为CuI(Xantphos)(IMZ)，式中Xantphos为双膦配体4,5‑双(二苯基膦)‑9,9‑二甲基氧杂蒽，IMZ为含氮配体咪唑；由CuI与配体球磨发生配位反应得到；材料本身发黄光，可制成纸基荧光薄膜和聚合物基掺杂薄膜；材料及其薄膜器件对苯乙酮、四氢呋喃、吡啶等VOC具有选择性荧光响应传感性能，其中对吡啶和4‑甲基吡啶的检测限分别为17.9和13.1ppm；且传感具有可逆性和可重复使用性，可作为便携式荧光传感器件应用于多种VOC传感检测。
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公开(公告)号：CN118702730A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410702994.5
申请日：2024-06-03
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明公开了一种CuIP2N型亚铜配合物荧光粉及其制备方法和荧光传感应用。本发明的杂化半导体发光材料结构式为CuI(Xantphos)(3‑CNPy)，式中Xantphos为电中性双膦配体4,5‑双(二苯基膦)‑9,9‑二甲基氧杂蒽，3‑CNPy为含氮配体3‑氰基吡啶；由CuI与配体球磨发生配位反应得到；材料本身发橙光，可制成纸基荧光薄膜和聚合物基掺杂薄膜；材料及其薄膜器件对丙酮、环己胺、四氢呋喃、吡啶等VOC具有选择性荧光响应传感性能，其中对吡啶的检测限可达39.27ppm；而且传感都具有可逆性和可重复使用的性能，可作为便携式荧光传感器件应用于多种VOC的传感检测。
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公开(公告)号：CN117186121A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202310225858.7
申请日：2023-03-10
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明公开了一种三配位亚铜配合物材料及其制备方法和VOC荧光传感应用。本发明的VOC荧光传感配合物，由一价铜盐与配体络合得到，其分子结构为[Cu(BINAP)(2‑PhPy)](PF6)，式中BINAP为螯合膦配体1,1'‑联萘‑2,2'‑双二苯膦，2‑PhPy为含氮杂环配体2‑苯基吡啶。所述配合物既具备小分子易提纯的优点，而且具有高的热稳定性。该材料是由Cu(CH3CN)4PF6与配体的二氯甲烷溶液直接混合反应得到，具有工艺简便、设备简单、原料易得且成本低等优点。该材料及其聚合物掺杂薄膜可作为VOC荧光点亮传感材料，其对吡啶有优异的选择性荧光响应。
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公开(公告)号：CN115536032B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202211397116.4
申请日：2022-11-09
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明公开了一种球状二氧化硅，包括硅源，本发明还包括生物表面活性剂，所述生物表面活性剂为鹅去氧胆酸；所述硅源为3‑氨丙基三甲氧基硅烷和正硅酸乙酯的混合物。本发明采用上述结构的球状二氧化硅，利用小分子生物材料(鹅去氧胆酸)既可以作为模板剂又可以作为活性剂，反应中不使用有机溶剂，操作简单条件温和，实验易重复，可以一步合成表面含氮的二氧化硅微球，制备的二氧化硅空心材料因其表面接枝部分氨基官能团及具有可观的比表面积，在二氧化碳吸附领域具有市场前景。
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公开(公告)号：CN115318277A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210980792.8
申请日：2022-08-16
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明公开了一种用于甲醛降解催化剂的离子交换剥离二氧化锰方法，包括以下步骤：将二氧化锰与碱溶液混合进行水热处理，洗涤干燥；将上述固体与过硫酸铵水溶液混合，搅拌酸化，减压过滤分离固体，再次按同比例将固体与过硫酸铵水溶液称量混合；将得到的混合溶液减压过滤，洗涤所得固体，将固体与去离子水按比例称量混合，利用四烷基氢氧化铵溶液调节pH，低速搅拌剥离；将胶体离心分离，将盐酸溶液滴入胶体溶液中至纳米片沉淀；将混合溶液进行离心，下层固体洗涤至中性离心，将所得固体烘干得到剥离的二氧化锰。本发明采用上述方法解决了商业二氧化锰由于其较低的比表面积、较小的孔容、无规则的孔道、在室温下催化氧化甲醛效果相对较低的缺点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114373596A
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202210090851.4
申请日：2022-01-26
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明公开了一种磁性材料及其制备方法；包括Fe内核和Fe3N外层，所述Fe3N外层完全包裹在所述Fe内核之外以形成包含Fe和Fe3N两种相的Fe/Fe3N磁性颗粒；其中Fe和Fe3N相之间过渡连续，两者之间通过原子键紧密结合。制备方法为：铁粉在NH3气氛或NH3与H2混合气氛下，在500℃氮化一段时间，然后将氮化产物在保护气氛中随炉冷却至室温，得到Fe/Fe3N磁性颗粒。将氮化产物与粘接剂均匀混合，在800MPa压力下压制成型，而后保护气氛中在630℃去应力退火2h，得到Fe/Fe3N软磁复合材料。本发明采用原位氮化的方式合成了一种Fe/Fe3N磁性材料，Fe与Fe3N相之间结合紧密，得到的Fe/Fe3N磁性材料的高频软磁性能比Fe有了大幅提升，可以用于更高频率，同时本发明工艺简单，可以快速实现工业应用。
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公开(公告)号：CN114360838A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202210090841.0
申请日：2022-01-26
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明公开一种复相磁性材料及其制备方法；包括Fe4N内核和Fe3N覆层，所述Fe3N覆层完全包裹在Fe4N内核之外以形成包含Fe4N和Fe3N两种相的Fe4N/Fe3N磁性颗粒，Fe4N内核和Fe3N覆层之间过渡连续，两者之间通过原子键紧密结合。制备方法为：铁粉在NH3和H2的混合气氛中，550℃氮化8h，得到纯Fe4N相。而后Fe4N在NH3气氛中，500℃氮化0.1～12h，然后在保护气氛中随炉冷却至室温，得到Fe4N/Fe3N核壳结构颗粒。将Fe4N/Fe3N核壳结构颗粒与粘接剂均匀混合，在1.2GPa压力下压制成型，而后保护气氛中在650℃去应力退火2h，得到Fe4N/Fe3N复相磁性材料。本发明的优点在于：原位合成了一种Fe4N/Fe3N复相磁性材料，Fe4N与Fe3N相之间结合紧密，得到的Fe4N和Fe3N相兼具优良的绝缘特性和磁性能，避免了传统非磁性绝缘包覆造成的磁性能降低。
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公开(公告)号：CN109085209B
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN201810821599.3
申请日：2018-07-24
Applicant: 中国计量大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明涉及一种n‑p异质型球状气敏材料及制备方法，具体涉及一种p型多孔球状NiO负载n型纳米SnO2气敏材料及制备方法。制备步骤为：一、将一定量Ni(NO3)2•6 H2O放入鼓泡搅拌釜中，加入环己烷、水、正己醇及十二烷基硫酸钠，在5~20℃水浴下搅拌充分溶解；二、从鼓泡搅拌釜的底部以10~50 ml/min的速率通入CO2鼓泡30min，然后将鼓泡搅拌釜内的压强调到0.05~0.1 MPa，停止通入CO2；三、逐滴加入2mol/L的NaOH溶液至pH=8~11，静置1~2 h；四、加入一定量的SnCl4·5H2O并在50~80℃搅拌至粉末，然后放入马弗炉中500~700℃煅烧4~8h，得到n‑p异质型多孔球状气敏材料。
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公开(公告)号：CN108565109B
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN201810595193.8
申请日：2018-06-11
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明涉及一种软磁复合材料的制备方法。软磁复合材料以片状Fe、Fe‑Si、Fe‑Ni、Fe‑Ni‑Mo、Fe‑Si‑Al、非晶纳米晶软磁合金粉末为原材料；将钝化剂和软磁合金粉末混合，经搅拌、烘干，得到钝化粉；将钝化粉装入成型模具中，在压制过程中施加外磁场取向；磁场取向方式有2种：或沿磁环平面方向旋转样品或旋转磁场，或采用径向4磁极对样品进行对向交替充磁取向；采用B2O3、V2O5、Bi2O3、Na2CO3、Mn2O3、Sb2O3、CuO和低熔点玻璃粉等低熔点化合物将磁环表面包覆，经400~1000℃真空退火1~48h，使低熔点化合物经颗粒界面扩散至磁环内部，提高磁体电阻率，炉冷至室温，获得软磁复合材料。本发明的优点是：片状结构可有效降低涡流损耗，提高磁导率；经界面处渗透扩散得到的绝缘层非常薄，磁环磁导率高。
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公开(公告)号：CN108538568B
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201810595963.9
申请日：2018-06-11
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明提供一种软磁复合材料的热变形界面扩散制备方法：对Fe、Fe‑Si、Fe‑Ni、Fe‑Ni‑Mo、Fe‑Si‑Al进行热压热变形制备，经热变形磁粉变为片状结构，所有片状磁性颗粒皆沿磁环平面平行有序排列；采用B2O3、V2O5、Bi2O3、Na2CO3、Mn2O3、Sb2O3、CuO和低熔点玻璃粉等低熔点化合物将磁环表面包覆，再采用真空退火工艺，使低熔点化合物经颗粒界面扩散至磁环内部，提高磁体电阻率，炉冷至室温，获得软磁复合材料。本发明的优点是：片状结构可有效降低损耗，提高磁导率，经热压热变形工艺可直接获得有序磁结构，通过真空退火在磁体内部界面处渗透扩散得到的绝缘层非常薄，磁体磁导率高。
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