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公开(公告)号：CN119833967A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202510016003.2
申请日：2025-01-06
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明公开了一种基于粉煤灰磁选产物的吸波材料及其制备方法，属于吸波材料制备技术领域，该基于粉煤灰磁选产物的吸波材料的制备方法，包括以下步骤：将磁选产物在氩气保护下升至目标温度，然后在此温度下进行氢气还原，再冷却至室温，得到所述基于粉煤灰磁选产物的吸波材料。经过磁选富集后的粉煤灰，其主体为Fe3O4和Fe2O3，另外含有少量其他物质，有望作为一种以Fe3O4为主体的吸波材料。本发明通过将磁选产物中的Fe2O3可以在合适的温度下，通过氢气还原成为Fe3O4。Fe3O4在高温和氢气条件下会转变为Fe单质，通过控制Fe3O4和Fe单质的比例，制备得到一种同时具有优异的介电损耗和磁损耗的吸波材料。
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公开(公告)号：CN119822335A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202510016034.8
申请日：2025-01-06
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明公开了一种基于粉煤灰磁选产物还原氮化改性的吸波材料及其制备方法，属于吸波材料制备技术领域；该基于粉煤灰磁选产物还原氮化改性的吸波材料的制备方法，包括以下步骤：于500℃条件下，采用氨气对粉煤灰还原产物进行氮化改性，得到所述基于粉煤灰磁选产物还原氮化改性的吸波材料。即本发明通过改变氮化时间以探究氮化程度对氮化体系样品的晶体结构、表面形貌、磁性能和电磁吸波特性的影响，得到5h氮化样品在11.28GHz的最强反射损耗值为‑23.08dB；有效吸收带宽为10.08～12.08GHz，匹配厚度为4mm。
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公开(公告)号：CN119702663A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202510015977.9
申请日：2025-01-06
Applicant: 中国计量大学
IPC: B09B3/70 , B09B3/30 , B03C1/02 , B09B101/30
Abstract: 本发明公开了一种粉煤灰的还原‑磁选工艺，属于粉煤灰处理技术领域，该粉煤灰的还原‑磁选工艺，包括以下步骤：利用高温加热和氢气还原粉煤灰，得到还原产物；采用干式磁选对还原产物进行磁选；其中，所述高温加热和氢气还原过程中的还原温度为250‑500℃，还原时间为0.5h～5h。即本发明通过高温加热和氢气还原粉煤灰的方法，成功获得了更多的磁性产物，并通过优化还原温度和时间，实现了粉煤灰的高效资源化利用；进一步，本发明通过在磁棒套上设置带有分离环的非磁性外壳后，可以实现磁性和非磁性颗粒的相对运动，进而将它们区分开来，可以有效消除传统磁选中的非磁性夹带现象，提高磁选产物中的铁含量。
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公开(公告)号：CN115353149B
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202211062844.X
申请日：2022-09-01
Applicant: 中国计量大学
IPC: F25B21/00
Abstract: 本发明公开了一种多孔钙钛矿锰氧化物纳米球磁制备及磁制冷的应用，其特征是将六水硝酸镧、四水硝酸钙、50％wt硝酸锰溶液、pvp按照一定比例加入到甘油与异丙醇的混合溶液中，然后超声搅拌使药品完全溶解；将混合溶液转移至200ml聚四氟乙烯反应釜内衬中，将内衬置于不锈钢反应釜中拧紧反应釜，将反应釜置于鼓风干燥箱中150~180℃保温4~10小时；冷却反应釜取出内衬，将溶液5000~10000 r/min转速离心收集沉淀物，将离心所得沉淀物使用乙醇洗涤后离心，重复两次；最后干燥前驱体，放入马弗炉中，在500~800℃下煅烧5~8小时。冷却后得到的La0.66Ca0.33MnO3多孔钙钛矿锰氧化物纳米球，具备较大表面积与简单的尺寸调控策略。该制备方法简单、高效、绿色环保。该材料用于磁制冷，具有不错的磁熵变与相对制冷能力，较宽的熵变温度区间使其制冷的温度区间更加灵活。
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公开(公告)号：CN116230345A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202211715505.7
申请日：2022-12-30
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明公开了一种组分变化的钙钛矿锰氧化物磁制冷材料及应用，所述的钙钛矿锰氧化物是La0.66‑xCa0.33‑yMn1+x+yO3多孔纳米球，其中La:Ca:Mn的摩尔比分别为0.66:0.33:1、0.61:0.33:1.05、0.56:0.33:1.1、0.66:0.28:1.05和0.66:0.23:1.1。本发明的钙钛矿锰氧化物多孔纳米球具备较大表面积与灵活的相变温度调控。本发明的材料用于磁制冷，具有优良的磁熵变与相对制冷能力，且较宽的熵变温度区间使其制冷的温度区间更加灵活。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115536032A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211397116.4
申请日：2022-11-09
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明公开了一种球状二氧化硅，包括硅源，本发明还包括生物表面活性剂，所述生物表面活性剂为鹅去氧胆酸；所述硅源为3‑氨丙基三甲氧基硅烷和正硅酸乙酯的混合物。本发明采用上述结构的球状二氧化硅，利用小分子生物材料(鹅去氧胆酸)既可以作为模板剂又可以作为活性剂，反应中不使用有机溶剂，操作简单条件温和，实验易重复，可以一步合成表面含氮的二氧化硅微球，制备的二氧化硅空心材料因其表面接枝部分氨基官能团及具有可观的比表面积，在二氧化碳吸附领域具有市场前景。
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公开(公告)号：CN114496443A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210090825.1
申请日：2022-01-26
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明公开一种核壳结构磁性材料及其制备方法；包括Fe4N内核和Fe2N覆层，所述Fe2N覆层完全包裹在Fe4N内核之外以形成包含Fe4N和Fe2N两种相的Fe4N/Fe2N磁性颗粒，Fe4N内核和Fe2N覆层之间过渡连续，两者之间通过原子键紧密结合。制备方法为：铁粉在NH3和H2的混合气氛中，550℃氮化8h，得到纯Fe4N相。而后Fe4N在NH3气氛中，500℃氮化0.1～12h，然后在保护气氛中随炉冷却至室温，得到Fe4N/Fe2N核壳结构颗粒。将Fe4N/Fe2N核壳结构颗粒与粘接剂均匀混合，在1.2GPa压力下压制成型，而后保护气氛中在650℃去应力退火2h，得到Fe4N/Fe2N核壳结构磁性材料。本发明的优点在于：原位合成了一种Fe4N/Fe2N核壳结构磁性材料，Fe4N与Fe2N相之间结合紧密，得到的Fe4N和Fe2N相兼具优良的绝缘特性和磁性能，避免了传统非磁性绝缘包覆造成的磁性能降低。
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公开(公告)号：CN113461065A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110683647.9
申请日：2021-06-21
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明公开一种利用水热法以一水合氢氧化锂、高锰酸钾和还原剂为原料制备锰酸锂的方法。包括以下步骤：(一)、将高锰酸钾和一水合氢氧化锂分别溶解于相同体积的去离子水中，然后将一水合氢氧化锂溶液倒入高锰酸钾溶液中混合均匀；(二)、加入还原剂固体粉末，在室温下搅拌5‑10分钟，搅拌速度为200‑300r/min得到混合液；(三)、混合液转移至反应釜中，反应温度为150‑250℃，反应时间为1‑5小时；(四)、溶液抽滤，用蒸馏水洗涤，然后把所得粉体放入真空箱中，干燥得到的产物为锰酸锂粉体。该法步骤简单、操作容易，制备的甲醛降解催化剂具有较高的甲醛降解效率，稳定性好。
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公开(公告)号：CN112331436A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202011425844.2
申请日：2020-12-09
Applicant: 中国计量大学
IPC: H01F1/00 , H01F41/02 , H01B13/016 , C01B32/168
Abstract: 本发明涉及一种基于交换偏置同轴磁纳米电缆复合材料的制备方法，该发明利用碳纳米管石墨层的同轴性与碳元素的还原性合成一种具有交换偏置效应多层同轴磁纳米电缆（碳纳米管/碳化物/铁磁金属/反铁磁氧化物，CNTs/Ni3C/Ni/NiO），构造壳/核/核/碳基四元磁纳米同轴结构，并引入碳化物功能因子，依靠反铁磁层与铁磁层间的交换偏置效应来提高材料的有效各向异性场，从而提高复合材料的矫顽力。该发明无需通氢气还原，直接利用CNTs碳元素还原得到铁磁层，并包含了弱铁磁层碳化物功能因子，且反铁磁层、铁磁层和碳化物层的微结构可控，进而可以调控同轴磁纳米电缆的交换偏置效应性能，同时CNTs为壳层使复合材料性能更稳定。
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公开(公告)号：CN107910436B
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN201711334594.X
申请日：2017-12-14
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明涉及一种复相多铁材料的制备方法。本发明在衬底上或施加电场使铁电衬底产生应力预变形，或通过机械装置在铁电衬底上施加拉应力或压应力产生预变形；在预变形的铁电薄膜衬底上通过脉冲激光沉积、磁控溅射、或分子束外延等方法生长铁磁性薄膜；在铁磁性薄膜制备完成后，移除铁电衬底上的电场或机械装置，获得复相多铁材料；铁电衬底在铁磁性薄膜的约束下无法再变回原来形状，因而在界面处产生应力，铁磁性薄膜的磁性受该应力的调控。本发明获得的复相多铁材料中预应力的存在，使得较小的外电场就可能改变铁磁性薄膜的磁化状态，降低了响应场。
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