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公开(公告)号:CN114592162A
公开(公告)日:2022-06-07
申请号:CN202011376275.7
申请日:2020-11-30
Applicant: 中国科学院金属研究所
Abstract: 本发明公开了一种超音速火焰喷涂技术制备钇涂层的方法,属于热喷涂技术领域。该方法包括如下步骤:(1)选择纯度大于99.9%的钇粉末进行干燥处理,(2)对喷涂基材的表面进行预处理,(3)通过超音速火焰喷涂技术在基体表面进行喷涂,制备钇涂层。本发明制备的钇涂层结构致密,孔隙率低,在0.5%~2%之间,涂层的结合强度(涂层与基体之间的结合强度)达到30~60MPa。
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公开(公告)号:CN114150311A
公开(公告)日:2022-03-08
申请号:CN202010825838.X
申请日:2020-08-17
Applicant: 中国科学院金属研究所
Abstract: 本发明属于功能涂层制备技术领域,具体涉及一种陶瓷/铜复合基板及其制备方法。该方法包括:(1)采用等离子喷涂或者火焰喷涂设备,将陶瓷粉末(可为Al2O3、AlN、Si3N4等)在一定条件下喷涂到纯Cu板材上,形成陶瓷沉积层。(2)采用冷气动力喷涂设备,在已制备的陶瓷沉积层表面喷涂高纯Cu粉末,以获得纯Cu沉积层。该方法制成的陶瓷沉积层较薄,热阻较小,且具有良好的力学性能;制得的Cu沉积层氧含量低,可满足电力电子器件中功率模块的封装材料的要求。
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公开(公告)号:CN112496073A
公开(公告)日:2021-03-16
申请号:CN201910871353.1
申请日:2019-09-16
Applicant: 中国科学院金属研究所
IPC: B21C37/02
Abstract: 本发明属于复合板带制造领域,具体涉及一种金属粉末固态沉积‑轧制‑热处理制造铜铝铜复合板的方法。利用粉末固态沉积工艺在铝或铝合金基板上下两个面各制备一层铜或铜合金沉积层,经过保温退火、轧制和后热处理得到铜(或铜合金)/铝(或铝合金)/铜(或铜合金)复合板。本发明制备的铜(或铜合金)/铝(或铝合金)/铜(或铜合金)复合板整板抗拉强度达到200MPa,延伸率达到26%,铜或铜合金/铝或铝合金界面剪切强度达到95MPa,导电率达到95%IACS。本发明可以提高铜铝铜复合板带的制造效率,制造厚度任意且机械性能和导电性能良好的铜铝铜复合板。
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公开(公告)号:CN116926532A
公开(公告)日:2023-10-24
申请号:CN202210334666.5
申请日:2022-03-30
Applicant: 中国科学院金属研究所
Abstract: 本发明属于聚合物表面金属化技术领域,具体涉及一种基于冷气动力喷涂和激光重熔处理的聚合物表面金属化涂层的制备方法。该方法包括:(1)采用冷气动力喷涂设备,将金属粉末(如:Al、Cu、Ti、Ag、Sn等)在一定条件下喷涂到聚合物基体(如:PEEK、PEI、PA6、ABS及它们的复合材料等)表面。(2)采用激光束对已沉积的冷喷涂涂层进行重熔处理,从而在聚合物基表面获得高导电、高结合强度的金属化涂层。该方法结合了冷气动力喷涂技术及激光重熔的优势,为聚合物及聚合物基复合材料表面金属化开辟了新的工艺路线。
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公开(公告)号:CN114645268A
公开(公告)日:2022-06-21
申请号:CN202011508859.5
申请日:2020-12-18
Applicant: 中国科学院金属研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于冷喷涂高速沉积技术制备金属钼涂层的方法,属于抗高温氧化涂层制备技术领域。该方法具体采用冷喷涂高速沉积技术将烘干后的金属钼粉末沉积到经过表面处理的高温合金基体上,从而获得相成分单一、与基体结合良好的纯金属钼防护涂层。结果表明,冷喷涂高速沉积技术是一种制备纯金属钼涂层的有效方法,较现有金属钼涂层制备工艺相比不仅具有涂层厚度大、致密性高、与基体结合力强、防护效果好等特点,同时还具有涂层基本不存在氧化和涂层的内应力为压应力的主要特点,以及可以实现快速沉积钼涂层、且涂层局部脱落后可进行修复再制造等优点。
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公开(公告)号:CN116926531A
公开(公告)日:2023-10-24
申请号:CN202210332667.6
申请日:2022-03-30
Applicant: 中国科学院金属研究所
Abstract: 本发明属于聚合物表面金属化技术领域,具体涉及一种基于冷气动力喷涂和搅拌摩擦处理的聚合物表面金属化涂层的制备方法。该方法包括:(1)采用冷气动力喷涂设备,将金属粉末(如:Al、Cu、Ti、Ag、Sn等)在一定条件下喷涂到聚合物基体(如:PEEK、PEI、PA6、ABS及它们的复合材料等)表面形成冷喷涂金属涂层。(2)采用搅拌摩擦焊接中心,对已沉积的冷喷涂涂层及其与聚合物基体的界面进行搅拌摩擦处理,从而在聚合物基表面获得高导电、高结合强度的金属化涂层。该方法结合了冷气动力喷涂技术及搅拌摩擦处理技术的优点,为聚合物及聚合物基复合材料表面金属化开辟了新的工艺路线。
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公开(公告)号:CN114075664B
公开(公告)日:2022-10-11
申请号:CN202010825069.3
申请日:2020-08-17
Applicant: 中国科学院金属研究所
IPC: C23C24/04
Abstract: 本发明属于陶瓷表面金属化技术领域,具体涉及一种冷喷涂制备图形化陶瓷覆铜板的方法。该方法包括:(1)采用冷气动力喷涂设备,将金属粉末(可为Al、Ti、Ni‑Al、Ta‑Al、Ag‑Cu‑Ti、NiCrAl等)在一定条件下喷涂到陶瓷基片(可为Al2O3、AlN、Si3N4等)表面形成过渡层。(2)采用冷气动力喷涂设备,在已制备的过渡层表面喷涂高纯Cu粉末,从而在陶瓷基片表面获得纯Cu涂层,结合激光切割钢制电路图案掩膜可以制备图形化陶瓷覆铜板。该方法制成的Cu层和陶瓷基片结合良好,且无需刻蚀过程,可以直接形成图形电路。
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公开(公告)号:CN114075664A
公开(公告)日:2022-02-22
申请号:CN202010825069.3
申请日:2020-08-17
Applicant: 中国科学院金属研究所
IPC: C23C24/04
Abstract: 本发明属于陶瓷表面金属化技术领域,具体涉及一种冷喷涂制备图形化陶瓷覆铜板的方法。该方法包括:(1)采用冷气动力喷涂设备,将金属粉末(可为Al、Ti、Ni‑Al、Ta‑Al、Ag‑Cu‑Ti、NiCrAl等)在一定条件下喷涂到陶瓷基片(可为Al2O3、AlN、Si3N4等)表面形成过渡层。(2)采用冷气动力喷涂设备,在已制备的过渡层表面喷涂高纯Cu粉末,从而在陶瓷基片表面获得纯Cu涂层,结合激光切割钢制电路图案掩膜可以制备图形化陶瓷覆铜板。该方法制成的Cu层和陶瓷基片结合良好,且无需刻蚀过程,可以直接形成图形电路。
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公开(公告)号:CN112589104A
公开(公告)日:2021-04-02
申请号:CN201910872103.X
申请日:2019-09-16
Applicant: 中国科学院金属研究所
IPC: B22F7/04 , B22F10/10 , B22F10/64 , B22F10/66 , C23C24/04 , C22F1/04 , C22F1/06 , C21D9/00 , B33Y10/00 , B33Y70/00 , B33Y40/20
Abstract: 本发明属于复合板生产领域,具体涉及一种粉末增材制造‑轧制‑热处理联合制备镁铝复合板的方法。首先对镁(合金)基板表面进行前处理(去除氧化膜),然后采用增材制造技术将铝(合金)粉末沉积在基板表面(单侧或双侧)形成预结合板。将预结合板保温退火去除应力,然后加热到一定温度进行轧制处理,最后通过一定的热处理制度调节镁铝复合板的界面结构和力学性质,得到性能优良的镁铝复合板。本发明将金属粉末增材制造技术引入复合板制造领域,可以不受尺寸限制,能够制造任意厚度和长度的镁铝复合板带,不需要中间粘结材料,使镁铝复合板的界面剪切强度提高30%以上,且提高了镁铝复合板的生产效率。
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