公开(公告)号：CN114645268A

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN202011508859.5

申请日：2020-12-18

Applicant: 中国科学院金属研究所

Inventor： 沈艳芳 ,  王吉强 ,  崔新宇 ,  唐俊榕 ,  任宇鹏 ,  景玮晨 ,  熊天英

IPC: C23C24/04 ,  C23C24/08

Abstract: 本发明公开了一种基于冷喷涂高速沉积技术制备金属钼涂层的方法，属于抗高温氧化涂层制备技术领域。该方法具体采用冷喷涂高速沉积技术将烘干后的金属钼粉末沉积到经过表面处理的高温合金基体上，从而获得相成分单一、与基体结合良好的纯金属钼防护涂层。结果表明，冷喷涂高速沉积技术是一种制备纯金属钼涂层的有效方法，较现有金属钼涂层制备工艺相比不仅具有涂层厚度大、致密性高、与基体结合力强、防护效果好等特点，同时还具有涂层基本不存在氧化和涂层的内应力为压应力的主要特点，以及可以实现快速沉积钼涂层、且涂层局部脱落后可进行修复再制造等优点。

公开(公告)号：CN120026298A

公开(公告)日：2025-05-23

申请号：CN202510512142.4

申请日：2025-04-23

Applicant: 中国科学院金属研究所

Inventor： 唐明强 ,  侯文康 ,  景玮晨 ,  崔新宇 ,  熊天英

IPC: C23C16/32 ,  C23C16/02 ,  C30B29/06 ,  C30B33/00 ,  C30B33/12 ,  C23C16/26 ,  C23C16/448 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明属于防护涂层制备技术领域，具体涉及一种在单晶Si基体上一体化制备C缓冲层和SiC防护涂层的化学气相沉积方法。采用热激发式的化学气相沉积系统，选择HMDSO/n‑Hexane体系作为原料并控制其比例，反应腔体内放置石墨棒为辅助碳源，当工作压强为100Pa~1000Pa和工作温度为1000℃~1250℃时，在单晶Si基体表面上沉积出结构致密的C缓冲层和SiC防护涂层。本发明采用的原料价格低廉且无毒无害，反应副产物无毒无害，采用此法可一体化制备C缓冲层和SiC防护涂层，所制备涂层结构致密且与单晶Si基体结合良好，并可以对单晶Si基体起到优异的耐蚀防护作用。

公开(公告)号：CN117702078A

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202211087781.3

申请日：2022-09-07

Applicant: 中国科学院金属研究所

Inventor： 唐明强 ,  景玮晨 ,  刘厚盛 ,  崔新宇 ,  王吉强 ,  熊天英

IPC: C23C16/32 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明属于防护涂层制备技术领域，具体涉及一种采用新型原料体系制备纯碳化硅涂层的化学气相沉积方法。采用热激发式化学气相沉积系统，选择HMDSO/n‑Hexane‑H2‑Ar体系并控制前驱体HMDSO与n‑Hexane的比例，通入反应腔体的气体体系选用HMDSO/n‑Hexane‑H2‑Ar体系，在工作压强600～800Pa和温度为1200～1350℃条件下，在基体表面上沉积出结构致密的碳化硅涂层。本发明采用的原料更便宜，并且在制备碳化硅涂层时不会在腔体内产生粉末，提高沉积效率的同时可活得高质量防护涂层，且尾气无毒无害，具有一定的经济性、实用性、环保性，适用于大多数使用环境。

公开(公告)号：CN117265501A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202311015013.1

申请日：2023-08-14

Applicant: 中国科学院金属研究所

Inventor： 唐明强 ,  景玮晨 ,  侯文康 ,  崔新宇 ,  王吉强 ,  熊天英

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/30

Abstract: 本发明属于防护涂层制备技术领域，具体涉及一种在石墨基体上制备SiOC耐高温氧化防护涂层的化学气相沉积方法。采用热激发式的化学气相沉积系统，选择HMDSO/n‑Hexane/EtOH体系作为前驱体并控制其比例，当工作压强为100Pa～10000Pa和温度为900℃～1250℃时，在石墨基体表面上沉积出结构致密的SiOC耐高温氧化防护涂层。本发明采用的原料价格低廉且无毒无害，反应副产物无毒无害。检测结果表明：采用此法制备的SiOC防护涂层结构致密，硬度高，且与石墨基体结合良好，并可以对石墨基体起到优异的高温耐氧化防护作用。

公开(公告)号：CN117004919A

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN202310817849.7

申请日：2023-07-05

Applicant: 中国科学院金属研究所

Inventor： 唐明强 ,  景玮晨 ,  侯文康 ,  崔新宇 ,  王吉强 ,  熊天英

IPC: C23C16/32 ,  C23C16/455 ,  C23C16/02

Abstract: 本发明属于防护涂层制备技术领域，具体涉及一种采用SiOC缓冲层实现在Si基体上制备低残余应力高力学性能SiC涂层的化学气相沉积方法。采用热激发式化学气相沉积系统，选择HMDSO/n‑Hexane/EtOH‑H2‑Ar体系并控制前驱体HMDSO、n‑Hexane和EtOH的比例，通入反应腔体的气体体系选用HMDSO/n‑Hexane/EtOH‑H2‑Ar体系，在工作压强600～1000Pa和温度为1000～1350℃条件下，在Si基体表面上依次沉积出结构致密的SiOC缓冲层和低残余应力高力学性能的SiC涂层。本发明采用的原料便宜且尾气无毒无害，在Si基体上制备的SiOC缓冲层质量高、缺陷少，并且与在Si基体上制备的无缓冲层的SiC涂层相比，通过使用SiOC缓冲层制备的SiC涂层的残余应力降低87.9％、且硬度和杨氏模量提高至38.95GPa和380.45GPa。