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公开(公告)号：CN119730425A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411787269.9
申请日：2024-12-06
Applicant: 重庆邮电大学 , 中国科学院重庆绿色智能技术研究院
Abstract: 本发明涉及一种硅基超表面光谱探测器的制备及光谱探测方法，属于光电探测器件技术领域。硅基超表面光谱探测器基于微纳超表面制备得到，首先将图像传感器芯片进行处理以去除拜耳层，然后在图像传感器芯片表面旋涂UV胶，再将硅基超表面倒扣于UV胶上，并利用紫外光进行固化即得到硅基超表面光谱探测器。本发明基于微纳超表面制备光谱探测器，价格便宜，加工工艺成熟，可以在较低成本下制作超表面，且通过微纳超表面结构对入射光进行调制，利用传感器探测光电流，可实现光谱的高效分离与采集。此外，本发明通过光纤光谱仪采集标准的光谱信号，并用于对神经网络进行训练，利用神经网络进行数据拟合，准确性高。
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公开(公告)号：CN119048377A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411143546.2
申请日：2024-08-20
Applicant: 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 , 重庆大学
IPC: G06T5/60 , G06T5/73 , G06T5/20 , G06V10/44 , G06V10/764 , G06V10/80 , G06V10/82 , G06N3/045 , G06N3/0464 , G06N3/0475 , G06N3/084 , G06N3/094
Abstract: 本发明涉及一种图像还原方法，属于图像处理领域，其包括：采集真值图像和超构透镜成像图像建立数据对，形成数据集；构建包括生成器和判别器的图像还原模型，其中，生成器包括图像特征提取模块、特征传播模块以及特征解码模块，其通过将超构透镜成像图像进行多尺度特征融合后输出重构图像；判别器将重构图像和对应的真值图像作为判别器的输入，通过对重构图像和真值图像进行分块判别以指导图像还原模型生成质量更高的还原图像；为构建的图像还原模型构建损失函数，基于数据集以及损失函数对图像还原模型进行训练；采用训练完成的生成器对通过超构透镜成像模组实时采集的超构透镜成像图像进行还原，输出还原图像。
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公开(公告)号：CN106153202B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201610564989.8
申请日：2016-07-18
Applicant: 中国科学院重庆绿色智能技术研究院
IPC: G01J5/10
Abstract: 本发明公开了一种非制冷宽波段红外探测器，其单元器件包括硅基底、支撑层、金属电极、宽波段红外吸收层、热敏感层及悬空孔；热敏感层置于宽波段红外吸收层上方或下方的中间；金属电极置于热敏感层的两旁、宽波段红外吸收层两端的上方；支撑层置于硅基底上方，悬空孔置于硅基底和支撑层的中间，并穿透了硅基底和支撑层，宽波段红外吸收层和热敏感层均置于支撑层上方且完全覆盖支撑层中间的悬空孔的上端开口。本发明的宽波段红外吸收层和热敏感层共同组成红外敏感层，并结合悬空结构，可极大提高探测器的性能。解决了现有非制冷宽波段红外探测器工艺复杂、红外吸收波段窄、红外吸收率低等问题，实现非制冷宽波段、低成本、高灵敏度红外探测。
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公开(公告)号：CN106876608B
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201710206278.8
申请日：2017-03-31
Applicant: 中国科学院重庆绿色智能技术研究院
Abstract: 本发明涉及有机发光二极管领域，具体地涉及一种基于OLED光提取的超薄金属透明电极的OLED制造方法，包括分布有纳米凸起结构的柔性透明基底以及位于柔性透明基底之上的多层电极结构，所述多层电极结构自下而上包括：柔性透明基底上的种子层、位于种子层上的超薄金属层、超薄金属层上的减反增透层。因其随机分布纳米结构的存在，有效降低了全反射，耦合出了被局限在OLED结构中的部分波导模式和表面等离子体模式，实现了较无光提取结构OLED器件出光效率大幅度提升，并且提出的纳米结构制作方法兼容于大面积或者精细小面积的制备过程。
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公开(公告)号：CN106092334A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610566514.2
申请日：2016-07-19
Applicant: 中国科学院重庆绿色智能技术研究院
IPC: G01J5/20
CPC classification number: G01J5/20 , G01J2005/103 , G01J2005/204
Abstract: 本发明涉及一种基于碳纳米红外吸收层的红外探测器，包括第一氮化硅层，所述第一氮化硅层向下依次为第一碳纳米红外吸收层，第二氮化硅层，热敏电阻层和第四氮化硅层；所述第一氮化硅层、第一碳纳米红外吸收层和第二氮化硅层构成红外探测器的宽波段红外吸收复合膜；所述第四氮化硅层和金属反射层之间通过支撑桥墩形成红外吸收谐振腔；所述金属反射层位于硅衬底之上。本发明的红外探测器能够实现宽波段红外吸收增强，从而提高器件的探测灵敏度，器件结构简单，兼容MEMS工艺，适合批量生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105486414A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201510975460.0
申请日：2015-12-23
Applicant: 中国科学院重庆绿色智能技术研究院
Abstract: 本发明涉及一种基于石墨烯微测辐射热计，所述石墨烯微测辐射热计包括硅基底(101)、悬空孔(102)、悬空支撑层(103)、金属电极引线(104)、石墨烯红外敏感层(105)、石墨烯保护层(106)、悬空支撑层微孔(107)。该微测辐射热计采用石墨烯作为宽波段红外吸收敏感层，采用悬空支撑层微孔结构提高了红外探测灵敏度，结构简单，成本低，且具有优异的非制冷宽波段红外探测性能。
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公开(公告)号：CN117293208B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202311151593.7
申请日：2023-09-07
Applicant: 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 , 重庆大学
IPC: H01L31/0336 , H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于硫化铅/硅复合结构的光电探测器及其制备方法，其中垂直结构的硫化铅采用电化学沉积法制备而成，具体方法为：以乙酸铅和硫化钠为原料，乙二胺四乙酸二钠为络合剂，配置包含Pb2+和S2‑的前驱体溶液，接着采用微纳加工工艺图案化刻蚀硅片表面二氧化硅层，利用电化学沉积法在刻蚀图案后的硅衬底上进行恒电位沉积，控制电位为‑0.95V，生长时间30min，得到硫化铅微米柱。本发明旨在通过构建PbS/Si复合结构来提高光电探测器的响应度和探测率，并降低暗电流对器件性能的影响。
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公开(公告)号：CN117810288A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311847721.1
申请日：2023-12-28
Applicant: 中国科学院重庆绿色智能技术研究院
IPC: H01L31/108 , H01L31/0336 , H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种短波红外光电探测器及其制备方法，该探测器包括从下向上依次设置的背面电极、基底、势垒修饰层、感光层和正面电极。基底的材料为Si，势垒修饰层材料为Au，感光层的材料为Ni。势垒修饰层Au用于提高Ni与Si之间的肖特基结势垒高度，阻止探测器在暗态下的电子向基底方向扩散，从而降低其暗电流，使器件可以在工作电压为0V时的暗电流密度降低至小于5nA/cm2，暗态噪声谱强度小于10‑14A/Hz1/2。在波长为1550nm、光强密度为166mW/cm2的光照下，该探测器的比探测率可以达到1011Jones以上，响应度大于1mA/W，开关时间小于35μs，具有很好的实用价值。探测器为简单叠层结构，工艺简单，与CMOS半导体工艺兼容，对设备要求低，生产成本低，易于推广应用。
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公开(公告)号：CN117782319A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311836907.7
申请日：2023-12-28
Applicant: 中国科学院重庆绿色智能技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种数字光谱发生系统及方法、光学器件校准方法，校准方法包括采用数字光谱发生系统产生相应光谱的校准光源进行校准。光谱发生系统包括准直光源、分光模块、光谱编码模块和光谱调制模块，准直光源发出光线平行且方向一致的光束，分光模块对准直光源发出的光束进行分光，产生多束不同波长的光束，光谱编码模块根据输入的光谱数据生成相应的编码矩阵二值图发送给光谱调制模块，光谱调制模块基于二值图对分光模块输出的多束光束进行编码调制，得到与光谱数据相匹配的复色光，光谱匀化模块将复色光转化成空间均匀分布的复色光。该系统可实现各种类型的光谱稳定输出，并且具有系统的组成部分少，结构简单的特点，适合工业生产应用。
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公开(公告)号：CN116435321A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310370110.6
申请日：2023-04-07
Applicant: 中国科学院重庆绿色智能技术研究院
IPC: H01L27/146 , G01J5/48 , G01J5/10 , G01J5/20 , H04N23/20 , H04N23/54 , H04N25/20 , H04N25/78 , H04N25/772
Abstract: 本发明公开了一种宽波段硅基红外探测芯片及成像系统，所述宽波段硅基红外探测芯片为阵列器件，所述阵列器件包括多个单元器件，所述单元器件设置在N阱中，其包括超材料红外聚焦结构、光波传输结构、肖特基光电转换结构和电流传输结构。本发明中的宽波段硅基红外探测芯片，其制程摈弃昂贵的红外吸收材料后，可与标准硅基CMOS工艺具有良好的兼容性，制备工艺具有均一性好、重复性高等优势，为大面阵和规模化方向发展提供了标准工艺保障，为民用领域的低成本应用带来了新机遇。
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