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公开(公告)号：CN113471324B
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202110702353.6
申请日：2021-06-22
Applicant: 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 , 重庆大学
IPC: H01L31/103 , H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯同质结的宽波段光电探测器及其制备方法，其中：探测器包括衬底、石墨烯条带和电极，石墨烯条带覆盖在衬底上方，电极为分别设置在所述石墨烯条带两端上方的两个金属电极，衬底表面包括呈周期性平行排列的沟道；制备方法为在硅‑氧化硅‑硅衬底上刻蚀形成周期性平行沟道，制备石墨烯薄膜并转移到衬底上，然后在石墨烯薄膜两端分别沉积金属形成金属电极，最后将石墨烯薄膜条带化。本发明克服了石墨烯载流子寿命短的缺陷，激发出石墨烯宽光谱探测的能力，能够在不依赖于光学辅助的情况下进行中红外波段进行探测，是一种极具实用性的光电探测器结构。
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公开(公告)号：CN112688017B
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202011459103.6
申请日：2020-12-11
Applicant: 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 , 重庆大学
IPC: H01M50/296 , H01M50/244 , H01M50/213 , H01M50/51 , H01M6/42 , H01M10/04 , H01R13/73
Abstract: 本发明提供一种电池电源设备，把多节电池设置成两个相互独立的串联电池结构后，通过设置在取电平面的四个象限内且相邻象限内的电连接极性不同的四个第一取电片，以及一侧设有两个第二取电片、另外一侧设有一个连接片的公头的结构设计，能配合实现正插和反插取电，使用方便，不会因为电池极性的连接错误导致设备或人身安全问题；电池电源设备还包括剩余电量显示模块，剩余电量显示模块能让使用者对电池电源设备的剩余电量情况有比较直观的判断，剩余电量不足时能及时更换电池，可避免由于电量不足而造成的目标设备无法正常工作的情况；该电池电源设备可以广泛应用于如手术器械、玩具、电动工具等场合。
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公开(公告)号：CN113471327A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110692010.6
申请日：2021-06-22
Applicant: 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 , 重庆大学
IPC: H01L31/113 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于双栅压调控的高增益石墨烯光电探测器及其制备方法。其中，该探测器包括从上至下地结构为顶层半导体、中间层绝缘介质、底层半导体的衬底；还包括漏极电极、源极电极、顶栅电极和底栅电极，漏极电极与源极电极分别设置在所述顶层半导体上方两端处；还包括在漏极电极与源级电极之间的器件沟道，覆盖在器件沟道上方的离子绝缘层；顶栅电极、底栅电极分别与漏极电极、源极电极连接，还分别与离子绝缘层、底层半导体连接。该探测器利用底栅极调控半导体薄膜内载流子的浓度和分布，同时顶栅通过离子凝胶调控石墨烯内载流子的浓度和类型，将响应波段从可见光拓展至近红外波段，在响应度增大的同时响应时间也得到加快。
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公开(公告)号：CN112688017A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011459103.6
申请日：2020-12-11
Applicant: 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 , 重庆大学
IPC: H01M50/296 , H01M50/244 , H01M50/213 , H01M50/51 , H01M6/42 , H01M10/04 , H01R13/73
Abstract: 本发明提供一种电池电源设备，把多节电池设置成两个相互独立的串联电池结构后，通过设置在取电平面的四个象限内且相邻象限内的电连接极性不同的四个第一取电片，以及一侧设有两个第二取电片、另外一侧设有一个连接片的公头的结构设计，能配合实现正插和反插取电，使用方便，不会因为电池极性的连接错误导致设备或人身安全问题；电池电源设备还包括剩余电量显示模块，剩余电量显示模块能让使用者对电池电源设备的剩余电量情况有比较直观的判断，剩余电量不足时能及时更换电池，可避免由于电量不足而造成的目标设备无法正常工作的情况；该电池电源设备可以广泛应用于如手术器械、玩具、电动工具等场合。
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公开(公告)号：CN110224041A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201910504453.0
申请日：2019-06-12
Applicant: 中国科学院重庆绿色智能技术研究院
IPC: H01L31/101 , H01L31/11 , H01L31/18
Abstract: 本发明属光电探测技术领域，具体涉及一种包含石墨烯夹层结构的双波段高增益光电探测器。本发明提供了一种包含石墨烯夹层结构的光电探测器，所述光电探测器从下到上包依次为光吸收层1(1)、石墨烯层(2)、光吸收层2(3)，所述石墨烯层(2)置于光吸收层(1)和光吸收层2(3)中间，形成夹层结构；所述石墨烯层(2)表面还设置有金属电极(4)。本发明的独特石墨烯结合双层光吸收材料层的三明治结构，能够同时实现对不同波段的光分别响应，并获得良好的响应效果，此外，该光电探测器制备工艺流程简单，具有很强的实用性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110165023A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910504446.0
申请日：2019-06-12
Applicant: 中国科学院重庆绿色智能技术研究院
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216
Abstract: 本发明属于微电子学技术领域，具体涉及一种石墨烯硅复合光电探测器的制备方法。本发明提供一种石墨烯硅复合光电探测器的制备工艺方法，包括步骤：1、石墨烯制备。2、旋涂PMMA层。3、转移石墨烯。4、旋涂光刻胶层。5、石墨烯图案化。6、金属电极制备。7、双层胶的去除。本发明利用了创新的双层胶工艺，可以获得具有高迁移率的石墨烯硅复合光电探测器，且工艺流程简明便捷，操作性强，可提高产品良率。
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公开(公告)号：CN118334483A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410441335.0
申请日：2024-04-12
Applicant: 重庆邮电大学 , 中国科学院重庆绿色智能技术研究院
IPC: G06V10/82 , G06N3/0464 , G06N3/09
Abstract: 本发明涉及一种基于Zynq的轻量化红外目标检测方法，属于红外图像处理领域。该方法包括以下步骤：搭建红外图像训练环境；将YOLOv5s的骨干网络替换为MobileNetv3，并且根据上采样的图片大小，改变Neck网络中连接层和输出层；利用红外图像数据集训练轻量化的YOLOv5s网络模型，得到权重pt文件；在Docker容器中安装Vitis AI工具，并且搭建其环境与S1中的环境一致；对训练得到的模型进行量化；将量化好的模型进行编译优化；准备Zynq硬件平台，将执行文件部署到Zynq芯片中。本发明相较于之前的YOLO版本，提供了更强的特征提取和表示能力，使红外目标检测系统能够获得更高的检测精度。
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公开(公告)号：CN116026215A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202310008794.5
申请日：2023-01-04
Applicant: 重庆邮电大学 , 中国科学院重庆绿色智能技术研究院
Abstract: 本发明涉及基于石墨烯‑锗基位置敏感探测器的光斑位置检测系统，属于光电技术领域。该系统包括石墨烯/锗基光电导位置敏感探测器模块、模拟信号处理模块、数据采集与处理模块。模拟信号处理电路主要包括前置运放及暗电流补偿电路、二阶带通滤波电路、后置自动增益差分运算电路、峰值检测电路，实现对偏置条件下的探测器输出的四路光电流信号进行I/V转换放大、滤波、差分运算和峰值检测。数据采集与处理模块通过FPGA控制A/D模块实现实现对峰值电压的数字化处理，并根据转换的电压值自动调整模拟开关通道，实现自动增益控制。本发明提高了信噪比、优化了系统结构，模拟电路与数字电路分立式设计，增强了系统的场景适用性。
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公开(公告)号：CN113471324A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110702353.6
申请日：2021-06-22
Applicant: 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 , 重庆大学
IPC: H01L31/103 , H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯同质结的宽波段光电探测器及其制备方法，其中：探测器包括衬底、石墨烯条带和电极，石墨烯条带覆盖在衬底上方，电极为分别设置在所述石墨烯条带两端上方的两个金属电极，衬底表面包括呈周期性平行排列的沟道；制备方法为在硅‑氧化硅‑硅衬底上刻蚀形成周期性平行沟道，制备石墨烯薄膜并转移到衬底上，然后在石墨烯薄膜两端分别沉积金属形成金属电极，最后将石墨烯薄膜条带化。本发明克服了石墨烯载流子寿命短的缺陷，激发出石墨烯宽光谱探测的能力，能够在不依赖于光学辅助的情况下进行中红外波段进行探测，是一种极具实用性的光电探测器结构。
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公开(公告)号：CN116435321A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310370110.6
申请日：2023-04-07
Applicant: 中国科学院重庆绿色智能技术研究院
IPC: H01L27/146 , G01J5/48 , G01J5/10 , G01J5/20 , H04N23/20 , H04N23/54 , H04N25/20 , H04N25/78 , H04N25/772
Abstract: 本发明公开了一种宽波段硅基红外探测芯片及成像系统，所述宽波段硅基红外探测芯片为阵列器件，所述阵列器件包括多个单元器件，所述单元器件设置在N阱中，其包括超材料红外聚焦结构、光波传输结构、肖特基光电转换结构和电流传输结构。本发明中的宽波段硅基红外探测芯片，其制程摈弃昂贵的红外吸收材料后，可与标准硅基CMOS工艺具有良好的兼容性，制备工艺具有均一性好、重复性高等优势，为大面阵和规模化方向发展提供了标准工艺保障，为民用领域的低成本应用带来了新机遇。
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