公开(公告)号：CN117810288A

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN202311847721.1

申请日：2023-12-28

Applicant: 中国科学院重庆绿色智能技术研究院

Inventor： 汤林龙 ,  梁众 ,  于乐泳 ,  文鑫皓 ,  邵丽 ,  陈惠 ,  史浩飞

IPC: H01L31/108 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种短波红外光电探测器及其制备方法，该探测器包括从下向上依次设置的背面电极、基底、势垒修饰层、感光层和正面电极。基底的材料为Si，势垒修饰层材料为Au，感光层的材料为Ni。势垒修饰层Au用于提高Ni与Si之间的肖特基结势垒高度，阻止探测器在暗态下的电子向基底方向扩散，从而降低其暗电流，使器件可以在工作电压为0V时的暗电流密度降低至小于5nA/cm2，暗态噪声谱强度小于10‑14A/Hz1/2。在波长为1550nm、光强密度为166mW/cm2的光照下，该探测器的比探测率可以达到1011Jones以上，响应度大于1mA/W，开关时间小于35μs，具有很好的实用价值。探测器为简单叠层结构，工艺简单，与CMOS半导体工艺兼容，对设备要求低，生产成本低，易于推广应用。